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測(cè)試測(cè)量

通過(guò)優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率

在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過(guò)，隨著80PLUS，ClimateSavers以及EnergyStar5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開(kāi)始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)。

2009-09-25

FET 功率轉(zhuǎn)換

福特將投資5億美元擴(kuò)充印度生產(chǎn)基地

美國(guó)福特汽車（Ford Motor）宣布，將向該公司位于印度欽奈（Chennai）附近的Maraimalai Nagar工廠投資5億美元，用于更新設(shè)備和擴(kuò)大生產(chǎn)能力。

2009-09-25

福特汽車印度

2010冷年國(guó)內(nèi)空調(diào)銷量有望增長(zhǎng)10%

現(xiàn)時(shí)國(guó)產(chǎn)品牌空調(diào)分別達(dá)到85%和78%銷售額占有率。國(guó)家信息中心與中國(guó)家電網(wǎng)17日聯(lián)合發(fā)布的報(bào)告預(yù)計(jì)，2010冷凍年度（2009年8月至2010年8月）國(guó)內(nèi)空調(diào)市場(chǎng)將走出低谷，全年銷量有望增長(zhǎng)10%，達(dá)到2500萬(wàn)臺(tái)規(guī)模。

2009-09-25

變頻節(jié)能空調(diào)市場(chǎng)

EG-4101/4121CA：愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)頻率溫度特性呈三次曲線的SAW諧振器

愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson Toyocom）公司開(kāi)發(fā)出頻率溫度特性呈三次曲線的SAW諧振器，即在大溫度范圍內(nèi)具有優(yōu)越的頻率精度的低抖動(dòng)及低相位噪音的高頻SAW諧振器：“EG-4101/4121CA”。

2009-09-25

EG-4101/4121CA 愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng) Epson Toyocom SAW諧振器

調(diào)查顯示電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈終將復(fù)蘇

VentureOutsource.com近日公布了針對(duì)當(dāng)前全球電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈業(yè)務(wù)環(huán)境、業(yè)務(wù)量和價(jià)格趨勢(shì)的調(diào)查結(jié)果，這一調(diào)查共收到服務(wù)于該行業(yè)的技術(shù)企業(yè)近300名人員的反饋。調(diào)查結(jié)果顯示了業(yè)務(wù)終將改善的信念，但我們認(rèn)為整體電子產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務(wù)活動(dòng)的全面擴(kuò)張?jiān)谙乱弧蓚€(gè)季度中還不會(huì)發(fā)生

2009-09-25

電子產(chǎn)業(yè) 供應(yīng)鏈

負(fù)載開(kāi)關(guān)的發(fā)展概況

功率MOSFET是一種具有良好開(kāi)關(guān)特性的器件：導(dǎo)通時(shí)其導(dǎo)通電阻RDS(ON)很?。辉陉P(guān)斷時(shí)其漏電流IDSS很小。另外，它的耐壓范圍很寬，從幾十V到幾百V，漏極電源范圍寬，從幾A到幾十A，所以非常適合作負(fù)載開(kāi)關(guān)。

2009-09-24

負(fù)載開(kāi)關(guān) MOSFET

iphone進(jìn)中國(guó)將助長(zhǎng)中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)

iSuppli指出，蘋果公司(Apple)在中國(guó)推出iPhone手機(jī)，預(yù)計(jì)將有助于拉抬2010與2011年全球智能手機(jī)的出貨成長(zhǎng)。

2009-09-24

iphone 智能手機(jī)

Seielect公司推出薄型大功率的薄膜電阻器

薄膜電阻器系列能可靠地替代高功率厚膜電阻，具有高額定功率和不受硫污染影響。Seielect公司推出薄型大功率的薄膜電阻器RNCP該電阻的RNCP系列提供薄膜技術(shù)的所有優(yōu)勢(shì)，包括高功率、高穩(wěn)定性和低噪音。

2009-09-24

RNCP 薄型大功率的薄膜電阻器

英飛凌再度稱雄功率電子市場(chǎng)

英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場(chǎng)》報(bào)告稱，2008年，此類器件的全球市場(chǎng)增長(zhǎng)了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長(zhǎng)率高達(dá)7.8%。

2009-09-24

英飛凌 IGBT MOSFET

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