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意法半導體推出Page EEPROM二合一存儲器，提升智能邊緣設備的性能和能效
意法半導體的 Page EEPROM兼?zhèn)銭EPROM存儲技術的能效和耐用性與閃存的存儲容量和讀寫速度，為面臨極端尺寸和功率限制的應用場景提供了一個混合存儲器。
2024-10-17
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一文讀懂 嵌入式系統(tǒng)外設器件的類型及其選擇
本文介紹了嵌入式系統(tǒng)外設器件的選擇，包括存儲器、時鐘源、定時器、通信接口和輸入/輸出接口等。文章介紹了多種存儲器類型及其選擇考慮因素，多種時鐘源的類型及其選擇考慮因素。強調了定時器精度和計時范圍的重要性。文章還介紹了通信接口類型、常見通信協(xié)議及其選擇因素，以及主要的輸入/輸出接口等，并總結了選擇這些外設器件時的關鍵考量。
2024-10-16
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DigiKey開售Kingston的內存產品和存儲解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內存產品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產品制造商之一，Kingston 面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式 OEM 客戶，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內的各種存儲產品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設計師和制造者打造的工業(yè)級 SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。
2024-07-27
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MCX N系列微處理器之NPU使用方法簡介
MCX N系列是高性能、低功耗微控制器，配備智能外設和加速器，可提供多任務功能和高能效。部分MCX N系列產品包含恩智浦面向機器學習應用的eIQ? Neutron神經處理單元(NPU)。低功耗高速緩存增強了系統(tǒng)性能，雙塊Flash存儲器和帶ECC檢測的RAM支持系統(tǒng)功能安全，提供了額外的保護和保證。這些安全MCU包含恩智浦EdgeLock?安全區(qū)域Core Profile，根據(jù)設計安全方法構建，提供具有不可變信任根和硬件加速加密的安全啟動。
2024-04-23
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意法半導體突破20納米技術節(jié)點，提升新一代微控制器的成本競爭力
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同開發(fā)，使嵌入式處理應用的性能和功耗實現(xiàn)巨大飛躍，同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數(shù)字外設?；谛录夹g的下一代 STM32 微控制器的首款產品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產。
2024-03-26
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意法半導體超低功耗STM32MCU上新，讓便攜產品輕松擁有驚艷圖效
意法半導體推出了集成新的專用圖形加速器的STM32*微控制器(MCU)，讓成本敏感的小型產品也能為用戶帶來更好的圖形體驗。超低功耗MCU STM32U5F9/G9和STM32U5F7/G7集成3MB片上動態(tài)存儲器(SRAM)，可以為圖形顯示屏提供多個幀緩存區(qū)，以節(jié)省外部存儲芯片。新產品還集成了意法半導體的NeoChromVG圖形處理器(GPU)，能夠實現(xiàn)的圖形效果可與更昂貴的高端微處理器相媲美。
2024-02-05
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鎧俠發(fā)布 2TB microSDXC 存儲卡
2023年12月20日,中國上海 — 全球存儲器解決方案領導者鎧俠今天宣布已經開始大規(guī)模生產2TB microSDXC存儲卡,這對于智能手機用戶、內容創(chuàng)作者和移動游戲玩家來說是一項突破性的進展。EXCERIA PLUS G2 2TB microSDXC存儲卡提供更強大的性能和更大的容量,讓用戶能夠記錄和存儲更多內容。
2023-12-29
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如何在下一代 MCU 應用中實現(xiàn)投影顯示
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲器的托管按鍵，當控制信號施加到晶閘管的輸入時，它們就會打開。當使用直流電時，可以通過去掉電源電壓來關斷晶閘管。晶閘管的一個重大且不可避免的缺點是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調整開關閾值的能力。
2023-12-25
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具有受控開關閾值的晶閘管模擬
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲器的托管按鍵，當控制信號施加到晶閘管的輸入時，它們就會打開。當使用直流電時，可以通過去掉電源電壓來關斷晶閘管。晶閘管的一個重大且不可避免的缺點是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調整開關閾值的能力。
2023-12-22
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巨磁阻多圈位置傳感器的磁體設計
多圈傳感器本質上是將磁寫入和電子讀取存儲器與傳統(tǒng)的磁性角度傳感器相結合，以提供高精度的絕對位置。“具有真正上電能力與零功耗的多圈位置傳感器(TPO)”中描述的磁寫入過程需要使用特定的操作窗口來維持入射磁場。如果磁場過高或過低，可能會出現(xiàn)磁寫入錯誤。在設計系統(tǒng)磁體時必須小心仔細，并考慮可能干擾傳感器的任何雜散磁場以及產品使用壽命內的機械公差。較小的雜散磁場可能會導致測量角度出現(xiàn)誤差，而較大的雜散磁場可能會導致磁寫入錯誤，從而引起總圈數(shù)錯誤。
2023-12-05
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兆易創(chuàng)新張靜：“半導體產業(yè)波動周期”下的存儲市場發(fā)展趨勢
近日，第11屆EEVIA年度中國硬科技媒體論壇暨產業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢展望研討會在深圳隆重開啟。兆易創(chuàng)新存儲器事業(yè)部產品市場經理張靜受邀出席，以“持續(xù)開拓，兆易新一代存儲產品助力行業(yè)創(chuàng)新”為題，分享了兆易創(chuàng)新在嵌入式存儲器領域的廣泛布局，以及面向產業(yè)技術變革浪潮的創(chuàng)新思考，共同探討“半導體產業(yè)波動周期”下的存儲器市場發(fā)展趨勢。
2023-11-10
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DDR5 時代來臨，新挑戰(zhàn)不可忽視
在人工智能（AI）、機器學習（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景，內存帶寬成了數(shù)字時代的關鍵“動脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術作為動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的重要演進，極大地推動了計算機性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現(xiàn)了顯著的進步。
2023-10-20
- 車用開關電源的開關頻率定多高才不影響EMC？
- 大聯(lián)大世平集團的駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)（DMS）方案榮獲第六屆“金輯獎之最佳技術實踐應用”獎
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