產(chǎn)品特性：

• 通過減少封裝寄生效應來降低功耗
• 在更高的工作頻率上提供更高的效率
• 具有源極朝下和低側(cè)MOSFET可以實現(xiàn)簡單的布局和布線
• 提供更緊湊的線路板布局并獲得最佳的散熱性能

適用范圍：

• 電源設(shè)計

隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對稱N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設(shè)計人員應對這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。

FDPC8011S專為更高的開關(guān)頻率的應用而開發(fā)，在一個采用全Clip封裝內(nèi)集成1.4m? SyncFETTM 技術(shù)和一個5.4m?控制MOSFET、低質(zhì)量因子的N溝道MOSFET，有助于減少同步降壓應用中的電容數(shù)量并減小電感尺寸。該器件具有源極朝下和低側(cè)MOSFET可以實現(xiàn)簡單的布局和布線，提供更緊湊的線路板布局并獲得最佳的散熱性能。FDPC8011S具有超過25A的輸出電流，與其它普通3x3mm2 雙MOSFET器件相比，輸出電流容量提高了2倍。