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SiTime DCXO九大全新突破，將取代石英VCXO
SiTime Corporation宣布推出SiT3907基于MEMS的數(shù)字控制振蕩器（DCXO），提供了一個在系統(tǒng)（In-System）數(shù)字控制接口用來調(diào)整輸出頻率，有優(yōu)于石英VCXO 100倍的線性度和8倍的拉動范圍，實現(xiàn)更簡單、更可靠的系統(tǒng)。
2012-10-25
SiTime DCXO VCXO
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第二講：瞬態(tài)抑制二極管（TVS）如何進(jìn)行電路保護(hù)
元件的小型化使得產(chǎn)品對電氣應(yīng)力日益敏感，而由雷擊和靜電放電引起的瞬變現(xiàn)象越來越多的受到關(guān)注，尤其是高清監(jiān)控多裝于室外，遭受雷擊及干擾的現(xiàn)象在所難免，因此必須對電壓干擾及雷電進(jìn)行防護(hù)，以防止監(jiān)控設(shè)備運作中斷而丟失一些重要的視頻，造成一些不必要的麻煩或損失。本文主要講述TVS器件的主...
2012-10-25
TVS 電路保護(hù) 高清監(jiān)控
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3G手機銷量大增 高端連接器受益
汽車產(chǎn)業(yè)、電腦通訊產(chǎn)業(yè)等應(yīng)用領(lǐng)域的不斷發(fā)展，讓連接器的市場容量逐步擴大，年均增長率在兩位數(shù)以上，市場發(fā)展?jié)摿^大。我國已經(jīng)成為全球連接器增長最快和容量最大的市場。
2012-10-24
3G手機 高端連接器 連接器
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HiFi功率放大器設(shè)計BOM
這個簡單的低成功率放大器?？梢?種方法完成，就像圖表中所指示的（從20W到80W RMS ）。首先要作的是測試末極功率管的放大系數(shù)hfe or β.如果差異大于30％，放大器將不會提供一個清晰的聲音，使用MJ3001和 MJ2501晶體管，他們的差異在5％。
2012-10-24
HiFi 功率放大器 BOM
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封裝面積減小4成，支持LTE的RF模塊
村田制作所開發(fā)出用于LTE智能手機的小型RF收發(fā)模塊，封裝面積減小4成，其采用該公司的元件內(nèi)置技術(shù)，使用樹脂基板而非陶瓷基板實現(xiàn)了模塊，該模塊集成了LTE收發(fā)信息所需要的RF收發(fā)器IC、功率放大器及前端模塊等，RF電路部分的定位是“全模塊”。
2012-10-24
LTE RF模塊 村田
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第一講：解析雷電和浪涌的產(chǎn)生、危害及防護(hù)措施
眾所周知，雷電具有極大地破壞性，其電壓高達(dá)數(shù)百萬伏，瞬間電流可高達(dá)數(shù)十萬安培。現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來越強，電路越來越復(fù)雜，元器件密度也越來越高，但承受電磁干擾或感應(yīng)電壓的能力越來越低。尤其是監(jiān)控系統(tǒng)，多數(shù)都裝在室外，更易受到雷擊及浪涌的破壞，如不對這些電子設(shè)備進(jìn)行雷電感應(yīng)保護(hù)，...
2012-10-24
雷電 浪涌 保護(hù)
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可支持15種頻帶的FBAR濾波器
安華高此前的FBAR濾波器支持5種頻帶，但世界各地的LTE服務(wù)使用了多種頻帶，因此此次擴大了支持的頻帶數(shù)量。此次增加了對700MHz頻帶、900MHz頻帶及2.6GHz頻帶等15種頻帶的支持。安華高表示，這一舉措使該公司的FBAR濾波器得到了大量智能手機的采用。
2012-10-24
FBAR 濾波器 安華高
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100W USB供電新標(biāo)準(zhǔn)出臺
此前USB 2.0的最大供電能力為2.5W（5V、500mA），USB 3.0為4.5W（5V、900mA），新的標(biāo)準(zhǔn)將USB的最大供電能力一下子提高到了100W，就能夠?qū)崿F(xiàn)為筆記本電腦供電。最近，出現(xiàn)了通過一根USB連接線實現(xiàn)影像輸入和供電的外置顯示器。
2012-10-24
USB 3.0 USB 2.0 筆記本
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本土USB3.0應(yīng)用IP助力SoC設(shè)計
四川和芯微電子正式宣布推出通過USB IF兼容性測試的USB3.0完整IP解決方案，為目前大陸地區(qū)第一家通過該項測試的USB3.0物理層IP產(chǎn)品。再次完善了國內(nèi)在高速接口技術(shù)上的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，為集成電路設(shè)計企業(yè)實現(xiàn)目前熱門的USB3.0接口技術(shù)提供了新的選擇。
2012-10-24
USB3.0 SoC IP
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