石墨烯FET的新聞事件：

• 三星與IBM發(fā)布截止頻率突破200GHz的石墨烯FET

石墨烯FET的事件影響：

• 應(yīng)用于高頻RF元件
• 與硅元件相同的基板上一同集成石墨烯FET和自旋電子學(xué)元件
• 克服一些問(wèn)題，截止頻率可提高至300G～400GHz

在“IEDM 2010”開(kāi)幕當(dāng)天舉行的研討會(huì)上，韓國(guó)三星尖端技術(shù)研究所（SAIT）與美國(guó)IBM相繼發(fā)布了截止頻率突破200GHz的石墨烯FET。兩公司均計(jì)劃將其應(yīng)用于高頻RF元件。

SAIT總裁Kinam Kim上午發(fā)表了主題演講，介紹了該研究所的石墨烯FET最新開(kāi)發(fā)成果。Kim表示，該研究所使用直徑150mm的硅基板制作了柵長(zhǎng)180nm的石墨烯 FET，并驗(yàn)證能以202GHz的截止頻率工作。石墨烯的成膜采用了半導(dǎo)體制造技術(shù)，以及親和性較高的電漿輔助方式低溫CVD法，成膜溫度為650℃。 Kim稱(chēng)，已經(jīng)確立了采用該方法使單層石墨烯均勻成膜的技術(shù)。載流子遷移率達(dá)到了1萬(wàn)3000cm2/Vs。

關(guān)于石墨烯FET，Kim在演講中表示，“作為高速高頻信號(hào)處理元件，配備了較高的電位，還可與 Si-CMOS電路融合。今后估計(jì)還可能在與硅元件相同的基板上一同集成石墨烯FET以及自旋電子學(xué)元件等”。另外，SAIT將在此次的IEDM上發(fā)布 Kim介紹的成果詳情。

IBM發(fā)布了與美國(guó)麻省理工學(xué)院（MIT）的共同研究成果。二者共同研究出了在SiC基板上形成的柵長(zhǎng)240nm石墨烯FET，并驗(yàn)證其截止頻率為230GHz。石墨烯通過(guò)熱處理SiC基板而成膜。研究小組還制作出了柵長(zhǎng)100nm以下的石墨烯 FET，柵長(zhǎng)90nm的元件截止頻率為170GHz。據(jù)IBM介紹，截止頻率比柵長(zhǎng)240nm的元件低是因?yàn)椋壳叭詿o(wú)法確立尺寸較短的柵極電極的自調(diào)整形成工藝，以及無(wú)法利用柵極電極控制的電場(chǎng)通道占到了柵長(zhǎng)的一半。如果能夠克服這些問(wèn)題，柵長(zhǎng)90nm的元件“截止頻率可提高至300G～400GHz” （IBM的發(fā)布人Y.Q.Wu）。