【導讀】你可以想象有這樣一個世界，在這個世界中，你不需要建造這么多發(fā)電廠，來滿足不斷躥升的數(shù)字需求。在這個世界中，工業(yè)、企業(yè)計算、電信和可再生能源系統(tǒng)的運行速度大大加快，并且效率更高。
這樣一個世界也許很快就可以實現(xiàn)。
正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳的應用。
“氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運行更快，動力更加強勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能。”
它會影響到我們身邊的每一個人。你每次使用智能手機、網(wǎng)上下單、查看社交媒體，或者將照片上傳至在線賬戶時，你連接的是一個包含數(shù)千臺服務器的巨大數(shù)據(jù)中心。
這些服務器和數(shù)據(jù)中心的運轉耗電量很大。而對于電力的需求—也是對于電廠發(fā)電量的要求—也增長的越來越快，這是因為我們的生活與網(wǎng)絡互連的關系越來越緊密，并且對于高耗能數(shù)字器件的依賴程度也越來越高。
“由于我們對電子元器件的期待越來越高，隨著物聯(lián)網(wǎng)不斷增長，我們的設備都被連接在了一起，我們需要消耗更多的電能，”GaN開發(fā)團隊的系統(tǒng)和應用工程師Eric Faraci說，“更多的能耗意味著需要建造更多的大型電廠。但是，如果我們使用諸如氮化鎵的技術，我們可以將效率提高到一定的程度，這樣的話，我們也許就不再需要增加發(fā)電能力了。”
所以，我們可以想象一個更加綠色環(huán)保的生活。
“我們需要減少能耗，”Steve說，“我們無法一直滿足全世界范圍內(nèi)不斷增長的用電需求。”
在TI，我們不斷工作，在憧憬著未來美好生活的同時，我們也努力盡早實現(xiàn)這些未來的技術。
感覺不到散熱
GaN是將鎵元素和氮元素這兩個元素組合在一起而創(chuàng)造出來的一款超快速的半導體材料。在很多年間，硅材料一直在底部支撐電子元器件的基礎構造塊。相對于硅材料，這個組合使得電子能夠更加自由的運動。
系統(tǒng)中的電路，從手機到高端工業(yè)用工具和服務器，它們的工作方式都是不斷接通和斷開數(shù)百萬個微型開關。開關每移動一次，它就會產(chǎn)生熱量。
這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說，當你筆記本電腦的電源變熱時，其原因在于流經(jīng)電路開關內(nèi)的電子會產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。
由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導體材料，它的發(fā)熱量更低，所以設計人員能夠將更多的開關裝在更小的空間內(nèi)。
在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算機和可再生能源應用中，具有集成式驅動器的600V GaN功率級開關顯得特別重要。LMG3410的優(yōu)勢包括：
● 將目前技術最先進的硅材料功率因數(shù)校正轉換器的功率密度加倍。
● 相對于分立式GaN解決方案，其功率損耗、電壓應力和電磁干擾更低。
● 實現(xiàn)全新技術。
“GaN是一個更好的器具，”Steve說，“如果你極大地提升了開關的密度，降低電阻率，并使它們移動的更快，它對散熱的需求就會降低，對于指定的大小，你就能夠獲得更佳的性能。它所實現(xiàn)的這些美妙功能突破了之前對于電子元器件處理能力的限制。”
完整的解決方案
GaN解決方案的推出將對高壓應用產(chǎn)生一個短期的影響。但是，隨著包含有GaN的系統(tǒng)設計變得越來越普遍，它的使用能夠擴展至高端音頻放大器、無人機、電動汽車、照明、計算、太陽能板、針對車輛的成像技術，并最終擴展至由墻上插座供電的所有低壓應用。
“不同類型的應用層出不窮，”Steve說，“我們以無人機為例。目前，無人機的應用領域主要是滿足人們業(yè)余愛好的需要，但是有了GaN后，我們也許能夠將它們用于更加商業(yè)化和工業(yè)化的應用。”
關鍵是電池的使用壽命，Steve說。目前，大多數(shù)無人機在再次充電、返航或電量耗盡前的飛行時間大約為20分鐘。
“由于其切換得更快，并且驅動頻率更高，GaN的其中一個優(yōu)勢就是，你可以減少你的組件、磁性元件、電感器和電容器的體積和重量，”他說，“這將直接影響無人機的飛行時間。”
由于我們已經(jīng)將GaN開關與一個驅動器封裝在一起，并且用一個能夠幫助應用充分利用其高級性能的完整生態(tài)系統(tǒng)對其提供支持，此類應用將運行得更加高效。此外，此器件包含針對溫度、短路和不同電壓條件的內(nèi)置保護。
“我們從整個系統(tǒng)的角度來審視這個器件，”TI高級技術營銷經(jīng)理Masoud Beheshti說，“我們使客戶能夠更加輕松地把這款器件設計到他們的系統(tǒng)當中。我們充分了解如何使這款器件與我們產(chǎn)品庫中的其它器件配合在一起，以提供一個完整的解決方案，這將幫助我們的用戶加快產(chǎn)品上市時間，更加快速且有效地解決他們的問題。”
減少阻礙
LMG3410是第一款包含TI GaN開關的集成電路。這些器件在硅材料兼容晶圓制造工廠內(nèi)生產(chǎn)，并且用我們數(shù)十年工藝技術經(jīng)驗提供品質保證。
“借助3百萬小時以上的可靠性測試，LMG3410使得電源設計人員有信心挖掘GaN的潛能，并且重新思考那些他們之前認為根本就不可行的電源架構和系統(tǒng)，”TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lamhousse說，“在擴大TI生產(chǎn)能力和廣泛系統(tǒng)設計專業(yè)知識影響力方面，這個全新的功率級是在GaN市場上邁出的重要一步。”
這就減少了某些阻礙，從而使設計人員能夠將這款器件用于他們的應用，Steve Tom補充道。
“這也是我們希望控制生產(chǎn)制造的原因，”他說，“正因如此，我們在可靠性測試方面投入大量時間?；谶@個原因，我們已經(jīng)開發(fā)出了伴隨電路，幫助盡可能地提高器件性能。”
“GaN功能強大，而我們將幫助設計人員將他們的應用提高到一個全新的水平。”
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