【導(dǎo)讀】村田制作所開發(fā)出用于LTE智能手機(jī)的小型RF收發(fā)模塊，封裝面積減小4成，其采用該公司的元件內(nèi)置技術(shù)，使用樹脂基板而非陶瓷基板實現(xiàn)了模塊，該模塊集成了LTE收發(fā)信息所需要的RF收發(fā)器IC、功率放大器及前端模塊等，RF電路部分的定位是“全模塊”。
村田制作所試制出支持LTE的RF模塊，新型模塊的投產(chǎn)時間未定，村田制作所表示，“此次制作試制品的目的是為了表明技術(shù)上完全可行”。 此次開發(fā)的RF模塊中，RF收發(fā)器IC采用了富士通半導(dǎo)體生產(chǎn)的支持LTE的產(chǎn)品“MB86L10E”。為了支持LTE和W-CDMA使用的頻帶Band1/5/21和GSM使用的850MHz/900MHz/1800MHz/1900MHz，嵌入了支持各頻帶的功率放大器模塊。雖然嵌入了上述各部件，但模塊的外形尺寸僅有14.5mm×10.3mm×3.0mm，比不采用元件內(nèi)置技術(shù)時的封裝面積減小了40％左右。雖然厚度還高達(dá)3mm，不過村田制作所表示“通過結(jié)合使用其他封裝技術(shù)，還有可能進(jìn)一步減薄”。
村田制作所在展區(qū)內(nèi)演示了該模塊的實際工作情況，并公布了波形等。在LTE模式下，發(fā)送功率為23dBm時，ACLR（相鄰頻道泄露比）平均為－37dB。
圖1：試制的RF“全模塊”
圖2：展板介紹
圖3：會場展位上展示了用測量儀器觀測到的波形
