產(chǎn)品特性：

• 采用SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)制造
• 超群的高驅(qū)動(dòng)電流、發(fā)光強(qiáng)度和光功率，低熱阻系數(shù)
• 發(fā)射波長(zhǎng)為850nm

應(yīng)用范圍：

• CMOS攝像頭、驅(qū)動(dòng)輔助系統(tǒng)、3D電視機(jī)和3D成像、紅外照明

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅(qū)動(dòng)電流、發(fā)光強(qiáng)度和光功率，同時(shí)具有低熱阻系數(shù)。

VSMY7850X01發(fā)射器包含一個(gè)42mil芯片，驅(qū)動(dòng)電流達(dá)1A，脈沖電流可達(dá)5A，VSMY7852X01包含一個(gè)20mil芯片，驅(qū)動(dòng)電流達(dá)250mA，脈沖電流達(dá)1.5A。由于VSMY7850X01和VSMY7852X01的熱阻系數(shù)只有10K/W和15K/W，兩款器件幾乎在-40℃～+100℃的整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)都能采用最大電流。

Vishay的SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)使用一種獨(dú)特的硅片結(jié)構(gòu)，在這個(gè)結(jié)構(gòu)中所有從半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生的光都從芯片的頂表面發(fā)射出來，從而使VSMY7850X01在1A電流下的發(fā)光強(qiáng)度高達(dá)170mW/sr，光功率高達(dá)520mW，正向壓降只有2V；SMY7852X01在250mA電流下的發(fā)光強(qiáng)度高達(dá)42mW/sr，光功率高達(dá)130mW，正向壓降只有1.8V。近日發(fā)布的兩款器件通過了AEC-Q101認(rèn)證，半強(qiáng)角為±60°。

由于工作電流極高，這些發(fā)射器完全可以替代多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)SMD器件，這樣設(shè)計(jì)者就能夠在各種各樣的應(yīng)用削減元器件數(shù)量，并提高性能表現(xiàn)。VSMY7852X01和VSMY7850X01非常適用于CMOS攝像頭、驅(qū)動(dòng)輔助系統(tǒng)、3D電視機(jī)和3D成像、夜視設(shè)備和紅外閃光燈中的紅外照明。發(fā)射器的開關(guān)時(shí)間只有15ns，是機(jī)器視覺紅外數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕^佳選擇。

VSMY7852X01和VSMY7850X01是A850系列SurfLight發(fā)射器的最后兩款產(chǎn)品，該系列包括VSMY3850、VSMY2850G、VSMY2850RG、VSMY1850X01和VSLY5850。所有這些器件均采用表面發(fā)射技術(shù)制造，發(fā)射波長(zhǎng)為850nm，具有高光強(qiáng)和光功率。

VSMY7852X01和VSMY7850X01現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。