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如何為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管

發(fā)布時(shí)間:2023-01-10 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】如今,車(chē)企正在加快汽車(chē)技術(shù)創(chuàng)新步伐,開(kāi)發(fā)出了電動(dòng)汽車(chē)、網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)、自動(dòng)駕駛汽車(chē)、共享汽車(chē)等全新的汽車(chē)概念。汽車(chē)電動(dòng)化和數(shù)字化的大趨勢(shì)包括區(qū)域控制架構(gòu)、功率芯片驅(qū)動(dòng)數(shù)字化、電池管理系統(tǒng)、功率電子和電源/能源管理。電控單元 (ECU)對(duì)更大功率、更高安全性的需求日益增長(zhǎng),推動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員去開(kāi)發(fā)智能配電解決方案。


如今,車(chē)企正在加快汽車(chē)技術(shù)創(chuàng)新步伐,開(kāi)發(fā)出了電動(dòng)汽車(chē)、網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)、自動(dòng)駕駛汽車(chē)、共享汽車(chē)等全新的汽車(chē)概念。汽車(chē)電動(dòng)化和數(shù)字化的大趨勢(shì)包括區(qū)域控制架構(gòu)、功率芯片驅(qū)動(dòng)數(shù)字化、電池管理系統(tǒng)、功率電子和電源/能源管理。電控單元 (ECU)對(duì)更大功率、更高安全性的需求日益增長(zhǎng),推動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員去開(kāi)發(fā)智能配電解決方案。


智能配電概念是一項(xiàng)非常成熟的技術(shù),已經(jīng)被傳統(tǒng)燃油車(chē)配電解決方案所采用。智能配電子系統(tǒng)開(kāi)始用于開(kāi)發(fā)高可靠性、高能效的配電解決方案,這極大地影響了 ECU電控單元中的配電概念,意味著傳統(tǒng)保險(xiǎn)將被固態(tài)保險(xiǎn)取代。當(dāng)超高電流尖峰引起額外的電壓應(yīng)力時(shí),固態(tài)保險(xiǎn)可以保護(hù)系統(tǒng),同時(shí)還可預(yù)防失效和誤操作。風(fēng)險(xiǎn)一旦抗過(guò)去,配電系統(tǒng)就會(huì)重新啟動(dòng),而無(wú)需更換任何電子單元或保險(xiǎn)絲。


意法半導(dǎo)體全新的STPOWER STripFET F8 40V系列完美滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)對(duì)電子保險(xiǎn)(eFuse)方案的線(xiàn)性模式工作耐變性和能源管理的嚴(yán)格要求。


汽車(chē)配電系統(tǒng)


采用新的智能配電系統(tǒng)取代集中式配電架構(gòu)是汽車(chē)配電系統(tǒng)的主要發(fā)展趨勢(shì),集中式配電架構(gòu)是將電能從電池分配到各個(gè)負(fù)載系統(tǒng),配電裝置包括起到過(guò)載保護(hù)作用的中央繼電器和保險(xiǎn)盒。智能配電系統(tǒng)采用分布式架構(gòu),包含多個(gè)通過(guò)本地互連網(wǎng)絡(luò)(LIN)或控制器局域網(wǎng)(CAN)相互通信的小配電中心。這種模塊化方法允許在車(chē)輛上實(shí)現(xiàn)區(qū)域控制架構(gòu),大幅減少線(xiàn)束的連接數(shù)量,從而優(yōu)化系統(tǒng)成本和重量,改進(jìn)電氣性能。


智能配電模塊又稱(chēng)電子保險(xiǎn)(eFuse),較傳統(tǒng)配電方案有很大的優(yōu)勢(shì),能夠?qū)崟r(shí)交換數(shù)據(jù)信息,可以增強(qiáng)系統(tǒng)診斷和保護(hù)功能。此外,固態(tài)開(kāi)關(guān)可以最大限度減少配電系統(tǒng)的功率損耗,從而提高汽車(chē)的燃油效率,減少二氧化碳排放量。最后,電子保險(xiǎn)提高了系統(tǒng)可靠性,滿(mǎn)足了市場(chǎng)對(duì)汽車(chē)安全的嚴(yán)格要求。圖1所示為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)的框圖。


如何為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管

圖1汽車(chē)智能配電系統(tǒng).


eFuse智能開(kāi)關(guān)集成了控制電路和功率開(kāi)關(guān),其中,控制電路連接微控制器。如果是高限流大功率汽車(chē)配電系統(tǒng),還需另選用高耐變性、低導(dǎo)通電阻的功率 MOSFET 作為外部功率開(kāi)關(guān)。


功率開(kāi)關(guān)選型標(biāo)準(zhǔn)


在導(dǎo)通線(xiàn)性模式下的耐變性和關(guān)斷時(shí)的耐雪崩性是選擇外部功率開(kāi)關(guān)的兩個(gè)重要的參考數(shù)據(jù),這些參數(shù)特性在優(yōu)化大電流配電系統(tǒng)過(guò)程中起著關(guān)鍵作用。


下文全面分析了電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng)中的eFuse 智能開(kāi)關(guān),開(kāi)關(guān)的總電流最高160A,持續(xù)時(shí)間約40 秒,暫停 10 秒,連續(xù)測(cè)量6次,然后討論四個(gè)并聯(lián)的功率 MOSFET,為確保電池和負(fù)載之間是雙向保護(hù),四個(gè)管子采用雙背靠背配置(圖 2):


如何為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管

圖2: eFuse智能開(kāi)關(guān)


開(kāi)關(guān)之間插入的分流電阻(Rshunt)是用于實(shí)時(shí)檢測(cè)支路電流,如果電流意外增加,則關(guān)斷開(kāi)關(guān),關(guān)閉系統(tǒng)。該電阻還把反饋信號(hào)送到控制器,使其對(duì)MOSFET的柵源電壓(VGS)進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整,將電流限制在目標(biāo)值,保持電流恒定。


1. 線(xiàn)性模式耐變性


該配電系統(tǒng)必須在導(dǎo)通時(shí)提供一個(gè)恒定的電流,為電控單元的大容量電容器軟充電,從而限制浪涌電流,并防止任何電壓尖峰出現(xiàn),這是功率開(kāi)關(guān)在線(xiàn)性模式下的工作條件。


我們用一個(gè)專(zhuān)用基準(zhǔn)測(cè)試方法對(duì)STL325N4LF8AG做了測(cè)試,測(cè)量波形如圖 3 所示:


如何為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管

圖 3. 軟充電期間的 MOSFET 基準(zhǔn)測(cè)試


在上述條件下,該MOSFET 能夠耐受充電時(shí)間長(zhǎng)達(dá)700ms的線(xiàn)性模式工作條件。因此,必須檢查該器件的安全工作區(qū)(SOA),驗(yàn)證這個(gè)工況有安全可靠保證。STL325N4LF8AG 的理論 SOA 曲線(xiàn)如圖 4 所示:


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圖 4. STL325N4LF8AG的理論安全工作區(qū)


不過(guò),熱不穩(wěn)定性會(huì)顯著降低MOSFET 的電流處理能力,嚴(yán)重影響開(kāi)關(guān)的性能,這種現(xiàn)象被稱(chēng)為 Spirito 效應(yīng),是由硅片上的電流分布不均引起的。在熱系數(shù)零點(diǎn)(ZTC)以下,如果芯片上出現(xiàn)局部溫度高于其余部分,這個(gè)區(qū)域?qū)⑾母嗟碾娏?,耗散更多的功率,結(jié)果局部高溫變得更高,這個(gè)過(guò)程最終會(huì)導(dǎo)致熱失控和 MOSFET擊穿,三個(gè)電極短路。燒痕會(huì)出現(xiàn)在芯片中心附近和芯片鍵合結(jié)構(gòu)附近。


此外,觀察發(fā)現(xiàn),功率脈沖越寬,熱點(diǎn)出現(xiàn)得越頻繁。當(dāng)時(shí)間脈沖10ms時(shí),Spirito 效應(yīng)發(fā)生在VDS 約2V處,當(dāng)時(shí)間脈沖1ms時(shí),Spirito 效應(yīng)發(fā)生在VDS 約4V處,而直流操作在任何電壓下都受限于熱不穩(wěn)定性,如圖 5 所示:


如何為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管

圖 5.性能降低的 STL325N4LF8AG安全區(qū)


我們仔細(xì)比較了理論SOA曲線(xiàn)在穩(wěn)態(tài)條件下(最壞情況)與有Spirito 效應(yīng)的性能降低的安全區(qū)曲線(xiàn),如圖 6 所示:


如何為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管

圖 6. DC SOA 曲線(xiàn)比較


將Spirito 效應(yīng)考慮在內(nèi),當(dāng)VDS 是10V時(shí),STL325N4LF8AG 在直流操作下可以處理的最大電流從理論上的 19A 急劇下降到 1A。


假設(shè) 700ms 相當(dāng)于穩(wěn)態(tài)工作條件,則可以在SOA 的降額直流曲線(xiàn)上體現(xiàn)與 ECU 大容量電容器預(yù)充電階段相關(guān)的線(xiàn)性模式工作條件。MOSFET可以處理的功率平均值可以用下面的公式 1算出:


如何為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管


其中:PD 是預(yù)充電階段的耗散功率;

           ID是 MOSFET的恒定漏極電流;

           VDS_(mean) 是充電期間MOSFET漏極電壓的平均值


線(xiàn)性模式點(diǎn)是SOA的安全區(qū)域內(nèi),因此,STL325N4LF8AG 具有避免熱失控所需的耐變性。


圖 7詳細(xì)比較了STL325N4LF8AG與一個(gè)主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的等效AEC Q101 MOSFET(等效封裝,相同的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻)的 SOA 曲線(xiàn):


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圖 7. STL325N4LF8AG 和競(jìng)品的 SOA 比較


從 1ms脈沖時(shí)間開(kāi)始,STripFET F8 MOSFET表現(xiàn)出更寬的 SOA 區(qū)和更高的裕度,尤其是在 10ms 時(shí)。


比較7.5V直流曲線(xiàn),可以得到以下數(shù)值:


?STripFET F8 的MOSFET,ID = 1.9A;

?競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的MOSFET ,ID = 1.8A.


因此,STripFET F8 MOSFET表現(xiàn)出良好的穩(wěn)態(tài)性能和高線(xiàn)性模式操作耐變性,與競(jìng)品旗鼓相當(dāng)。


2. 耐雪崩性能


在關(guān)斷時(shí),電流會(huì)持續(xù)幾微秒,這會(huì)將大量電能注入eFuse和功率開(kāi)關(guān)。


事實(shí)上,連接主電池和最終應(yīng)用控制板的線(xiàn)束因寄生雜散電感而產(chǎn)生高阻抗,這會(huì)產(chǎn)生一個(gè)持續(xù)的電壓尖峰,將MOSFET 引向雪崩區(qū)域。


在關(guān)斷時(shí),eFuse的失效模式與 MOSFET 漏源結(jié)的擊穿有關(guān)。


在電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)中,在漏極和源極兩個(gè)連接線(xiàn)路上都有大致7μH 的雜散電感,然后,考慮用下面的測(cè)試電路(圖 8)測(cè)試關(guān)斷狀態(tài)的MOSFET:


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圖 8. MOSFET 關(guān)斷測(cè)試電路原理圖


測(cè)試條件與單功率開(kāi)關(guān)的電流分布相關(guān),如圖 9 所示:


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圖9. 單功率開(kāi)關(guān)的電流分布


關(guān)斷時(shí),MOSFET 進(jìn)入雪崩模式,漏源電壓最大值達(dá)到47.2V,高于擊穿電壓。在這種情況下,器件必須耐受16.8mJ的持續(xù)時(shí)間(tAV) 20μs 的單脈沖雪崩能量(EAS),如圖 10 所示:


如何為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管

圖 10. MOSFET雪崩耐量基準(zhǔn)測(cè)試


如果工作溫度保持在絕對(duì)最大額定值175?C以下,這個(gè)雪崩狀況對(duì)于 MOSFET就是安全可靠的。


在這種情況下,tAV 為20μs 的 EAS 能量決定了由公式 2得出的耗散功率(PD):


如何為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管


根據(jù)數(shù)據(jù)表,用公式 3計(jì)算tAV為 20μs的熱阻值:


如何為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管


然后,溫度變化 (?T)由 (Eq. 4) 得出:


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因?yàn)槌跏冀Y(jié)溫 (TJ_in)為 25?C,所以雪崩工況下的工作溫度(TJ_oper)變?yōu)?(公式5):


如何為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管


因此,STL325N4LF8AG可以安全地處理eFuse中的放電能量。


表1詳細(xì)比較了意法半導(dǎo)體STL325N4LF8AG與主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的等效 AEC Q101 MOSFET的雪崩耐量。 


如何為汽車(chē)智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管

表1. 意法半導(dǎo)體產(chǎn)品與競(jìng)品的雪崩耐量比較


意法半導(dǎo)體在STripFET F8 技術(shù)中引入的創(chuàng)新溝槽結(jié)構(gòu),不僅大大提高了開(kāi)關(guān)性能,而且還提高了耐雪崩能力,讓MOSFET變得更加安全可靠。


結(jié)論


實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明 STL325N4LF8AG 可以耐受eFuse應(yīng)用的電壓應(yīng)力狀況,同類(lèi)一流的性能使 STripFET F8 MOSFET 成為為苛刻的大電流汽車(chē)應(yīng)用開(kāi)發(fā)安全可靠的汽車(chē)配電系統(tǒng)的理想選擇。


參考文獻(xiàn)


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