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寬禁帶使太陽能前景廣闊

發(fā)布時間:2020-04-10 來源:安森美半導(dǎo)體 Brandon Becker 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】顯然,可再生能源將是我們未來的重要組成部分,它既滿足我們對電能的日益增長的需求,為電動汽車(EV)等新技術(shù)供電,也保護(hù)環(huán)境,減少我們對污染化石燃料和核能的依賴。
 
在使用的各種形式的可再生能源中,太陽能和風(fēng)能已成為最常使用的能源,并負(fù)責(zé)產(chǎn)生大多數(shù)清潔可再生能源。在這兩種技術(shù)中,太陽能正在成為主導(dǎo)技術(shù),其發(fā)電量幾乎是風(fēng)力發(fā)電的兩倍。實(shí)際上,2017年部署的太陽能發(fā)電量大于同期基于化石燃料的發(fā)電總量,這是全球轉(zhuǎn)向清潔可再生能源的重要里程碑。
 
太陽能發(fā)電的發(fā)展有巨大的市場機(jī)會,因?yàn)樗壳皟H占全球總發(fā)電量的12%(相當(dāng)于500 GW)。亞太地區(qū)的產(chǎn)能領(lǐng)先,占全球一半以上,其中以占全球太陽能部署量三分之一的中國為主。歐洲目前占全球產(chǎn)能的四分之一以上,而美國約占全球產(chǎn)能的六分之一。
 
太陽能的快速增長(有人估計其復(fù)合年增長率(CAGR)約為30%)是由三個主要因素驅(qū)動:對更大功率持續(xù)強(qiáng)烈的需求、技術(shù)進(jìn)步以及政府法規(guī)和倡議。光伏面板正在不斷改進(jìn),以更高效地將陽光轉(zhuǎn)化為電能,和從較小的表面積產(chǎn)生更多的電能,從而使住宅設(shè)施更有效。
 
各國政府正在制定政策刺激太陽能增長,如中國聲明到2020年清潔能源必須滿足其20%的能源需求。歐盟進(jìn)一步實(shí)施其“20-20-20”目標(biāo):到2020年,能效將提高20%,二氧化碳排放量降低20%,可再生能源將產(chǎn)生20%的能量。
 
太陽能發(fā)電技術(shù)
 
光伏面板產(chǎn)生直流電壓,當(dāng)與DC-DC充電器一起使用時,可用于“離網(wǎng)”電源,對存儲能量的電池組進(jìn)行充電,以備后用。但是,大多數(shù)設(shè)備都需要市電電壓下的交流電源,因此,在許多系統(tǒng)中,從光伏面板電壓生成交流電壓的逆變器至關(guān)重要。這種方法被稱為“并網(wǎng)”,因?yàn)榻涣麟娍梢赃B接回主電網(wǎng),從而為房主提供機(jī)會向發(fā)電公司出售電力以抵消賬單。
 
寬禁帶使太陽能前景廣闊
圖1:典型的太陽能發(fā)電逆變系統(tǒng)框圖
 
逆變器尺寸方面,趨勢是從超過100 kW的高功率中央逆變器轉(zhuǎn)向每臺能夠提供高達(dá)100 kW功率的多串逆變器。這些系統(tǒng)的核心是DC - DC升壓轉(zhuǎn)換器和DC - AC逆變器,從光伏面板獲得的DC電壓生成AC電源電壓(和頻率)。除此以外,還有一系列精密的監(jiān)測、控制和保護(hù)電路,以確保系統(tǒng)安全高效地運(yùn)行。
 
能效是任何太陽能光伏系統(tǒng)的關(guān)鍵目標(biāo)之一,以至能量不會浪費(fèi),并且盡可能少地產(chǎn)生不需要的熱量。系統(tǒng)的能效越高,在散熱器、風(fēng)扇和其他硬件方面所需的冷卻就越少,從而減小了系統(tǒng)的大小、重量和成本。
 
寬禁帶技術(shù)對未來的太陽能發(fā)電系統(tǒng)至關(guān)重要
 
可以說,電源轉(zhuǎn)換器最重要的元件開關(guān)器件如MOSFET、IGBT和二極管,通常由硅制成。由于這些器件對太陽能發(fā)電系統(tǒng)的能效至關(guān)重要,因此,領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司如安森美半導(dǎo)體已大量投資,以不斷提高性能。然而,該行業(yè)已到了采用硅器件幾乎不可能進(jìn)一步改進(jìn)的程度。因此,基于寬禁帶(WBG)材料的開關(guān)器件,包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),被視為是提供未來太陽能發(fā)電系統(tǒng)所需性能的關(guān)鍵。
 
SiC開關(guān)器件有時被稱為“解決所有電源工程師問題的方案”,在一些關(guān)鍵領(lǐng)域提供增強(qiáng)的性能。在靜態(tài)應(yīng)用中,它們在完全接通時固有的更低電阻可降低損耗,因此在運(yùn)行期間產(chǎn)生的熱量更少。
 
在現(xiàn)代開關(guān)電源應(yīng)用中,工程師的目標(biāo)是提高開關(guān)頻率,從而能夠減小電感器和變壓器等磁性器件的尺寸。這種方法減少了許多逆變器設(shè)計中接通時出現(xiàn)的浪涌電流。采用基于硅的MOSFET,每個開關(guān)周期所需的門極電荷(Qg)量相對較大,因此,隨著頻率的增加,動態(tài)損耗也隨之增加。
 
使用SiC器件時,動態(tài)開關(guān)損耗要小得多,因而能使用更高的開關(guān)頻率,同時仍能提高性能(并減小尺寸)。相比之下,典型的SiC二極管以80kHz工作時,其損耗要比硅二極管小73%。在大功率太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,提高約3%的能效將帶來顯著的性能提升。
 
人們?nèi)匀徽J(rèn)為SiC方案很貴。但事實(shí)并非如此,盡管這些器件已在市場上銷售了一段時間,但采用率一直低于預(yù)期,因?yàn)殛P(guān)注點(diǎn)在單個器件的成本而不是整個系統(tǒng)的成本或總擁有成本。 
 
如果我們考慮使用硅基30 kW電源方案,則電感器和電容器的成本為90%(分別為60%和30%)。半導(dǎo)體器件僅占總物料單(BOM)成本的10%。盡管單個SiC器件的成本要比對應(yīng)的硅器件高,但使用SiC開關(guān)可使電容和電感值降低75%,顯著降低了成本,從而抵消了開關(guān)器件的成本增加。因此,SiC方案用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的BOM總成本已達(dá)到可以低于硅方案的水平,并具有顯著的應(yīng)用和性能優(yōu)勢。
 
現(xiàn)代SiC WBG方案
 
領(lǐng)先半導(dǎo)體制造商包括安森美半導(dǎo)體提供一系列全面的高能效電源方案,其中包括可提升太陽能發(fā)電系統(tǒng)性能的先進(jìn)SiC基器件。先進(jìn)的門極驅(qū)動器經(jīng)過專門優(yōu)化,可與SiC MOSFET一起使用,并提供允許的最大門極電壓,以確保它們完全導(dǎo)通以最小化損耗。
 
SiC MOSFET如安森美半導(dǎo)體的NVHL080N120SC1具有僅80 mOhm的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和低門極電荷(QG)及電容值,降低電磁干擾(EMI)并支持使用更快的開關(guān)頻率,從而帶來上述好處。SiC肖特基二極管如1200V、30A FFSH30120A沒有反向恢復(fù)電流和與溫度無關(guān)的開關(guān)特性,非常適用于先進(jìn)的太陽能發(fā)電應(yīng)用。
 
總結(jié)
 
太陽能正成為未來的重要能源,因?yàn)樗峁┝谁h(huán)保、可持續(xù)發(fā)展的方案。價格下降、政府政策和減少二氧化碳排放的需要共同使該領(lǐng)域強(qiáng)勁增長。
 
能效在這里至關(guān)重要,是設(shè)計和制造小的、高度可靠的系統(tǒng)的關(guān)鍵所在,而基于硅的方案已達(dá)其發(fā)展?jié)摿Φ臉O限,現(xiàn)正被WBG技術(shù)超越。基于SiC的器件損耗要低得多,并且可以在更高的溫度和更快的工作頻率下運(yùn)行,從而極大地減小了占BOM主要成本的電感和電容器的尺寸和成本。因此,這些高效且可靠的系統(tǒng)能夠以低于上一代硅基產(chǎn)品的價格水平進(jìn)行設(shè)計。
 
 
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