【導(dǎo)讀】在電子設(shè)計(jì)的路上,遇到難題怎么辦?面對同僚們的顧左右而言他,不如來二姨家論壇里尋求真知灼見。這里有不期而遇的隱身高手,也有誨人不倦的熱情攻城獅,道理越辯越明,思想碰撞出火花,快來加入吧。
以下Q代表問題的提出,A代表網(wǎng)友的回答。
Q:
各位模擬大神,求教一個(gè)問題。如下圖,BAT+點(diǎn)的電壓,通常在2.4~2.8V左右,但是,每當(dāng)按鍵之后,MCU的5腳輸出高電平,導(dǎo)通了Q1的一瞬間,BAT+點(diǎn)的電壓會被瞬間拉低1.5~1.7V左右,持續(xù)約數(shù)十毫秒,結(jié)果就把MCU給拉死了,導(dǎo)致復(fù)位重啟。
求教有無解決辦法???
A1:
電池內(nèi)阻太大,帶不動電機(jī)
A2:
C2再并聯(lián)一較大電容數(shù)uF,再不行則R7再串蕭持基二極管。電池也并聯(lián)大值電容。我一個(gè)產(chǎn)品也一樣情況,MCU采用2V可動作的,大電容用22uF,9V電池,負(fù)載是電磁蜂嗚器和RF發(fā)射。
Q:
to A1,電池是鎳氫電池,帶動電機(jī)沒問題的。電機(jī)本身也是一個(gè)很小的有刷直流小電機(jī)而已。
最大的問題,還是MOS管導(dǎo)通的瞬間,相當(dāng)于短路到地了,所以才會將電源電壓給瞬間拉低的。
A2所提到的這些方法都嘗試過了:
1、C2并大電容,一直試到220uF才解決問題,但是電容體積太大(電解電容),外殼裝不下。
2、并聯(lián)肖特基,導(dǎo)致MCU端的供電電壓下降了0.2~0.3V,當(dāng)電池電壓下降到2.0V時(shí)就面臨復(fù)位的風(fēng)險(xiǎn)了,因?yàn)镸CU的復(fù)位電壓點(diǎn)就設(shè)置在1.6~1.8V之間。并且還是要并聯(lián)大電容,外殼不允許。
3、MCU本身就是可以工作于2.0V以下的,最低可以到1.6V左右。
請指教,看看是否還有其他解決辦法?
A3:
用pwm,占空比從小到大,慢慢啟動。
Q:
嗯,軟啟動這招已經(jīng)試過了,效果確實(shí)可以,但是客戶不接受,理由是:軟啟動導(dǎo)致馬達(dá)緩慢轉(zhuǎn)起來,在轉(zhuǎn)動的那一瞬間,感覺很沒勁。
而硬啟動,在啟動的一瞬間有一種“猛然上沖”的感覺,體驗(yàn)比較爽。這是客戶自己說的,我是死活 提驗(yàn)不出有啥差別。
該客戶是互聯(lián)網(wǎng)客戶,典型的不懂硬件的SB,實(shí)在沒招,唉!??!
A4:
BAT+到單片機(jī)VDD,用肖特基二極管,然后電容盡可能的大。把單片機(jī)電源與電池隔離,單片機(jī)的耗電在壓一壓。
A5:
當(dāng)以上方法確實(shí)用盡,終極方法:電機(jī)串小電阻。
A6:
mos管,那個(gè)100歐換大點(diǎn),換個(gè)2K,下拉電阻加大,減少耗電。電容就能多抗一會。如果那個(gè)3r3換成肖特基,電容應(yīng)該不需要這么大。電容的體積,不一定很大。
A7:
也許該由電池夾子背鍋。兩個(gè)電池如果用電池夾子安裝,有3-4個(gè)接觸點(diǎn),如果彈力不足,或接觸表面不好,接觸電阻可能比較大。
A8:
C1 應(yīng)該改小。1nF 即可。 二極管D2已經(jīng)保護(hù)了MOSFET,電容只是通過EMC用。
用100nF 會讓電源瞬間跌落一半,甚至更多。MLCC誤差可能達(dá)到50%。
電池兩端并聯(lián)大電容可以讓電機(jī)有“猛然上沖”的感覺,還可以減少其他毛病。一個(gè)瓷介電容都沒有點(diǎn)不可思議。
A9:
用宵特基把MCU的電源和其他部分隔開即可。還不行,再加大MCU電源的電容。
A10:
C2并大電容 + 并聯(lián)肖特基要一起上,這樣電容應(yīng)該可以小點(diǎn)。
如果肖特基壓降太大,可以改用低RDS(ON)的PMOS管,
啟動電機(jī)前先關(guān)了它,過了啟動大電流期再打開。
Q:
A10這個(gè)方法測試過了,雖然可以解決問題,但是又引入了其他新的問題,所以最終還是被否決了。
謝謝A8 指教!感覺挺有道理的,回頭我試試。
這個(gè)電路是客戶自己設(shè)計(jì)的,我們只是配合做了MCU及軟件而已?,F(xiàn)在出了問題就賴在我們身上,要求給解決,沒轍啊,只能硬著頭皮上了。
to A7,電池是焊死在板子上的,不存在接觸不良的問題。
來源:21ic論壇