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淺談反激式電源的開關(guān)過程

發(fā)布時(shí)間:2012-12-29 責(zé)任編輯:Lynnjiao

【導(dǎo)讀】本文淺析了反激式電源的開關(guān)過程,著重描述了Mos管關(guān)斷前、后的穩(wěn)態(tài)分析,我們分析的主要問題還是在Q1管子在關(guān)斷過程中的響應(yīng)。

反激式電源的開關(guān)過程分析

反激式電源的開關(guān)過程分析
圖1:反激式電源的開關(guān)過程分析

我們分析的主要問題還是在Q1管子在關(guān)斷過程中的響應(yīng)。

在關(guān)斷過程中,如果不考慮加入抑制暫態(tài)過程的電路,我們看到的波形將不會(huì)是理想的,如下圖所示:

如果不考慮加入抑制暫態(tài)過程的電路,我們看到的波形將不會(huì)是理想的
圖2:如果不考慮加入抑制暫態(tài)過程的電路,我們看到的波形將不會(huì)是理想的

把功率變壓器模型改進(jìn)模型2帶入其中分析:

把功率變壓器模型改進(jìn)模型2帶入其中分析
圖3:把功率變壓器模型改進(jìn)模型2帶入其中分析

Mos管關(guān)斷前的穩(wěn)態(tài)分析:

勵(lì)磁電感和漏電感中均儲(chǔ)存能量,同時(shí)由于二極管的結(jié)電容存在,次級(jí)電容上都存在一定的電壓,次級(jí)漏感中無電流。

Mos管關(guān)斷前的穩(wěn)態(tài)分析
圖4:Mos管關(guān)斷前的穩(wěn)態(tài)分析

然后我們把Mos管關(guān)掉,看下圖:

Mos管關(guān)斷后的穩(wěn)態(tài)分析
圖5:Mos管關(guān)斷后的穩(wěn)態(tài)分析

上面的過程整理一下:

1.MOS管關(guān)斷后,初級(jí)電流(勵(lì)磁電感和初級(jí)漏電感和電源的綜合作用)給MOS輸出電容充電,初級(jí)電容,初次級(jí)之間電容,次級(jí)電容,次級(jí)二極管電容,負(fù)載電容則開始放電(你可以這樣理解,因?yàn)閴翰钚×?,電容放電,也可以理解為反向充電),Mos管DS端電壓是上升的(這里可以認(rèn)為是上面所涉及的分布參數(shù)之間的諧振,這個(gè)電路的Q之很小的),此時(shí)的電壓可以認(rèn)為是線性上升的。

注意此時(shí)的次級(jí)的二極管是沒有導(dǎo)通的,因?yàn)镈S端電壓比較小。

2.當(dāng)DS端電壓上升,次級(jí)的電壓達(dá)到輸出電壓(這是客觀存在的,因?yàn)槲覀円WC輸出電壓的穩(wěn)定)+整流管的電壓后,如果沒有次級(jí)漏感,次級(jí)回路就導(dǎo)通了,因此DS端電壓會(huì)繼續(xù)上升,當(dāng)克服了次級(jí)漏感的影響后,次級(jí)電流開始上升,在這個(gè)時(shí)候勵(lì)磁電感的能量由于有更小的阻抗通路,從初級(jí)來看,初級(jí)電流會(huì)減小。

當(dāng)DS端電壓上升,次級(jí)的電壓達(dá)到輸出電壓
圖6:當(dāng)DS端電壓上升,次級(jí)的電壓達(dá)到輸出電壓

3.這個(gè)時(shí)候起決定性作用的就變成了初級(jí)漏感,它不能耦合到次級(jí)上沒有小的阻抗通路,因此初級(jí)漏電感就和Mos管輸出電容之間和初級(jí)電容之間諧振,電壓形成幾個(gè)震蕩(如果沒有吸收和clamped電路這個(gè)過程會(huì)持續(xù)很久)。

初級(jí)漏感電流是初級(jí)電流的一部分,因此伴隨著初級(jí)漏感電流的下降的是次級(jí)電流的上升,如果沒有clamped電路,電流的下降會(huì)非???,如果加入clamped電路等于把這個(gè)過程拉長,電壓應(yīng)力也就減小了。

加入clamped電路等于把這個(gè)過程拉長,電壓應(yīng)力也就減小了
圖7:加入clamped電路等于把這個(gè)過程拉長,電壓應(yīng)力也就減小了
 

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