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微型逆變器市場將大幅增長

發(fā)布時間:2010-05-21 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

機遇與挑戰(zhàn):
  • 微型逆變器和分布式最大功率點跟蹤解決方案將會大幅增長
市場數(shù)據(jù):
  • 預(yù)計2010年到2015年的年均復(fù)合增長率可達77%

微型逆變器和分布式最大功率點跟蹤(MPPT)解決方案作為光伏逆變器市場的新興領(lǐng)域,預(yù)計將會大幅增長,2010年到2015年的年均復(fù)合增長率可達77%。

從發(fā)電系統(tǒng)的角度來看,光伏并網(wǎng)在技術(shù)上的重點在于以下兩個方面。一是從光伏系統(tǒng)的角度來看,光伏行業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是太陽能面板的陰影問題。陰影的變化、太陽能面板上的污垢和面板老化,都會對各個面板的電壓構(gòu)成影響,從而引起串聯(lián)面板的輸出電壓發(fā)生變化。微型逆變器將是其中一個替代解決方案,它能夠在面板級實現(xiàn)最大功率點跟蹤(MPPT),擁有超越中央逆變器的優(yōu)勢。MPPT能夠在每塊太陽能面板取得最佳功率點,而無需進行串行太陽能面板串聯(lián)配置,可以最大限度地減少陰影問題。二是從功率器件的角度來看,由于主要的光伏系統(tǒng)廠商擁有各自的光伏逆變應(yīng)用專利拓撲,半導(dǎo)體供應(yīng)商必須開發(fā)專用的產(chǎn)品。因此,這些廠商需要緊跟太陽能逆變器市場不斷演進的新興技術(shù)趨勢。例如,由于需要提高輸入電壓以獲得更高的效率,所以必須使用650V或以上MOSFET/IGBT。此外也需要使用SiCSBD作為成套解決方案。另外,要擴大10kW以上市場份額,就必須使用IGBT/SPM模塊。

對于10kW以下并網(wǎng)光伏逆變器解決方案,飛兆半導(dǎo)體提供場截止(FS)IGBT和SupreMOSMOSFET器件,具備進入這一高性能市場所需的低EOFF優(yōu)勢和高可靠性。對于微型逆變器,飛兆半導(dǎo)體擁有中等電壓MOSFET和SupreMOS技術(shù),可為這類應(yīng)用提供卓越性能。
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