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STC03DE220HV：意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開關(guān)
意法半導體宣布推出STC03DE220HV ESBT（發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管）功率開關(guān)，新產(chǎn)品使設(shè)計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開關(guān)電源的能效，降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管
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TJ3-HT：Vishay新型環(huán)形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及業(yè)內(nèi)最低電感和DCR。
2008-05-16
TJ3-HT 高溫電感器
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STGxL6NC60D：意法半導體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源
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STGxL6NC60D：意法半導體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源
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DG系列：Vishay八款高精度儀表應用模擬多路復用器與開關(guān)
日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復用器與開關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標準 TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路復用器與開關(guān)
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ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過AEC-Q200測試，并具有1000V額定電壓的ESD穩(wěn)定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿足汽車行業(yè)對溫度和濕度的新要求，同時可為工業(yè)、電信及消費電子提供較高的重復性和穩(wěn)定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列
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STW55NM60ND：意法半導體快速恢復MOSFET產(chǎn)品
意法半導體推出快速恢復MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，用于包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應用需求。新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能，同時還使導通電阻實現(xiàn)超過18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 場效應管
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STW55NM60ND：意法半導體快速恢復MOSFET產(chǎn)品
意法半導體推出快速恢復MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，用于包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應用需求。新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能，同時還使導通電阻實現(xiàn)超過18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 場效應管
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B827*系列：EPCOS大電流電磁兼容性電源線扼流圈
借助專為大電流應用而設(shè)計的型號，愛普科斯(EPCOS) 現(xiàn)已擴展其范圍。其雙重電源線扼流圈目前的電流能力可達54 A，新款B82725S*和B82726S*系列的電感值范圍介于0.2至100 mH之間。B8274*系列的三重扼流圈目前擁有高達62 A的電流能力
2008-05-01
B82725S* B82726S* B8274* 扼流圈
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