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S系列：Vishay改進(jìn)的軍用級(jí)高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進(jìn)的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點(diǎn)）時(shí)具有 ±2 ppm/°C 的軍用級(jí)典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過(guò) 10,000 小時(shí)的 ±0.005% 負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-07-30
箔電阻 S系列 軍用級(jí)
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MCT 0603 AT：Vishay高性能專(zhuān)業(yè)汽車(chē)薄膜貼片電阻
Vishay宣布推出采用 0603 封裝尺寸的業(yè)界首款專(zhuān)業(yè)汽車(chē)用薄膜貼片電阻，該電阻結(jié)合了高達(dá) +175°C（1000 小時(shí)）的高工作溫度以及先進(jìn)額定功率。
2008-07-30
MCT 0603 AT 薄膜貼片電阻 汽車(chē)電子
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MCT 0603 AT：Vishay高性能專(zhuān)業(yè)汽車(chē)薄膜貼片電阻
Vishay宣布推出采用 0603 封裝尺寸的業(yè)界首款專(zhuān)業(yè)汽車(chē)用薄膜貼片電阻，該電阻結(jié)合了高達(dá) +175°C（1000 小時(shí)）的高工作溫度以及先進(jìn)額定功率。
2008-07-30
MCT 0603 AT 薄膜貼片電阻 汽車(chē)電子
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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的溫度范圍內(nèi)分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對(duì) TCR、額定功率時(shí) ±5 ppm 的出色 PCR（“?R，由于自加熱”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級(jí)
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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的溫度范圍內(nèi)分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對(duì) TCR、額定功率時(shí) ±5 ppm 的出色 PCR（“?R，由于自加熱”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級(jí)
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STV250N55F3：意法半導(dǎo)體新250A功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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STV250N55F3：意法半導(dǎo)體新250A功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管
Vishay宣布推出最大結(jié)溫高達(dá) +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術(shù)，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設(shè)計(jì)人員提高汽車(chē)及其他高溫應(yīng)用中的功率密度。
2008-07-11
30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode
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P10L：Vishay Sfernice微型面板電位計(jì)
Vishay宣布推出具有長(zhǎng)久使用壽命、溫度系數(shù)低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板電位計(jì)。
2008-07-11
P10L 電位計(jì)
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