機(jī)遇與挑戰(zhàn)：

• 氮化鎵將替代現(xiàn)有功率MOSFET
• 全面商用化后將快速擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模

市場(chǎng)數(shù)據(jù)：

• 2010年氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模近乎為零
• 氮化鎵2013年市場(chǎng)將猛增至1.836億美元

美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN（氮化鎵）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si（硅）的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)換效率。所以，全面開始商用化之后，市場(chǎng)規(guī)模將快速擴(kuò)大。目前已開始GaN功率半導(dǎo)體商用化的企業(yè)包括美國(guó)國(guó)際整流器公司（IR）及美國(guó)Efficient Power Conversions（EPC）。IR在POL（point of load）轉(zhuǎn)換器用多芯片模塊上采用了GaN功率半導(dǎo)體。而EPC已開始銷售GaN功率半導(dǎo)體單品。