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R2J20653ANP:瑞薩推出筆記本電腦電壓穩(wěn)壓器用功率MOS FET

發(fā)布時(shí)間:2009-12-16 來源:技術(shù)在線

產(chǎn)品特性:
  • 支持20V的輸入電壓
  • 電力轉(zhuǎn)換效率高達(dá)91%
  • 可降低約70%的封裝面積
應(yīng)用范圍:
  • 筆記本電腦的MPU和內(nèi)存等的電壓穩(wěn)壓器

瑞薩科技針對(duì)筆記本電腦的MPU和內(nèi)存等的電壓穩(wěn)壓器,上市了符合“integrated Driver-MOSFET(DrMOS)”標(biāo)準(zhǔn)的功率MOS FET“R2J20653ANP”。新產(chǎn)品支持20V的輸入電壓,電力轉(zhuǎn)換效率高達(dá)91%(輸入電壓為20V、輸出電壓為1.1V時(shí))。
DrMOS是美國(guó)英特爾提倡的封裝產(chǎn)品規(guī)格,將MPU等的電源所需的兩種功率MOSFET以及驅(qū)動(dòng)這兩種功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)IC(1個(gè))集成于一個(gè)封裝內(nèi)。此次的產(chǎn)品符合該規(guī)格,可將20V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為1.1V的MPU內(nèi)核電源電壓。

瑞薩此前也一直在開發(fā)和提供符合DrMOS標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品。不過,原來是面向服務(wù)器和臺(tái)式電腦的、輸入電壓為12V的產(chǎn)品。此次是該公司首次上市可輸入AC適配器20V電壓的高耐壓產(chǎn)品。該產(chǎn)品的輸入電壓為4.5~27V。輸出電壓為0.6V~5.0V。最大額定電流為35A。

與獨(dú)立封裝相比,將降低70%的底板面積
R2J20653ANP將高端(High Side)MOSFET、低端(Low Side)MOSFET以及驅(qū)動(dòng)這兩種MOSFET的驅(qū)動(dòng)IC集成在了一個(gè)封裝內(nèi)。均為瑞薩制造。低端MOSFET內(nèi)置有肖特基勢(shì)壘二極管(Schottky Barrier Diode),降低了開關(guān)時(shí)的損耗。另外,將驅(qū)動(dòng)IC面向兩個(gè)MOSFET的開關(guān)控制進(jìn)行了優(yōu)化。由此,在輸入電壓為20V、輸出電壓為1.1V(頻率為300kHz)的條件下,實(shí)現(xiàn)了91%的電力轉(zhuǎn)換效率。

該產(chǎn)品采用了6mmx6mm的小型高散熱式40引腳QFN封裝。與由3個(gè)獨(dú)立封裝構(gòu)成的情況相比,可降低約70%的封裝面積(與該公司原產(chǎn)品相比)。而且最大工作頻率高達(dá)2MHz,有助于外置部件的小型化。

另外,此次的封裝在內(nèi)部連接中采用了無線結(jié)構(gòu)的銅板,大幅降低了封裝內(nèi)部的電阻。而且大電流路徑采用占據(jù)封裝背面大半部分的端子,因此便于處理電流與熱量的問題。

此外,該產(chǎn)品作為符合DrMOS標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品,“業(yè)界首次”(瑞薩)在驅(qū)動(dòng)IC中內(nèi)置了過熱警告功能(Thermal Warning)和過熱停止功能(Thermal Shutdown)兩個(gè)階段的過熱保護(hù)功能,提高了安全性和可靠性。樣品價(jià)格(含稅)為200日元。2009年12月7日開始量產(chǎn)。(記者:小島 郁太郎)
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