【導(dǎo)讀】當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動(dòng)的電流稱為“雪崩電流IAS”，參見下圖（1）。
MOSFET的失效機(jī)理
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)
? 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
? 發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，會(huì)流過大電流，存在MOSFET失效的危險(xiǎn)。
? MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和熱量造成的失效。
什么是雪崩擊穿
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動(dòng)的電流稱為“雪崩電流IAS”，參見下圖（1）。
MOSFET的雪崩失效電流路徑示意圖（紅色部分）
雪崩失效：短路造成的失效
如上圖所示，IAS會(huì)流經(jīng)MOSFET的基極寄生電阻RB。此時(shí)，寄生雙極型晶體管的基極和發(fā)射極之間會(huì)產(chǎn)生電位差VBE，如果該電位差較大，則寄生雙極晶體管可能會(huì)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。一旦這個(gè)寄生雙極晶體管導(dǎo)通，就會(huì)流過大電流，MOSFET可能會(huì)因短路而失效。
雪崩失效：熱量造成的失效
在雪崩擊穿期間，不僅會(huì)發(fā)生由雪崩電流導(dǎo)致寄生雙極晶體管誤導(dǎo)通而造成的短路和損壞，還會(huì)發(fā)生由傳導(dǎo)損耗帶來的熱量造成的損壞。如前所述，當(dāng)MOSFET處于擊穿狀態(tài)時(shí)會(huì)流過雪崩電流。在這種狀態(tài)下，BVDSS被施加到MOSFET并且流過雪崩電流，它們的乘積成為功率損耗。這種功率損耗稱為“雪崩能量EAS”。雪崩測試電路及其測試結(jié)果的波形如下圖所示。此外，雪崩能量可以通過公式（1）來表示。
雪崩測試的電路簡圖
雪崩測試中MOSFET的電壓和電流波形
雪崩能量公式
一般情況下，有抗雪崩保證的MOSFET，在其規(guī)格書中會(huì)規(guī)定IAS和EAS的絕對最大額定值，因此可以通過規(guī)格書來了解詳細(xì)的值。在有雪崩電流流動(dòng)的工作環(huán)境中，需要把握IAS和EAS的實(shí)際值，并在絕對最大額定值范圍內(nèi)使用。
引發(fā)雪崩擊穿的例子包括反激式轉(zhuǎn)換器中的MOSFET關(guān)斷時(shí)的反激電壓和寄生電感引起的浪涌電壓等。針對反激電壓引起的雪崩擊穿，對策包括在設(shè)計(jì)電路時(shí)采用降低反激電壓的設(shè)計(jì)或使用具有更高耐壓性能的MOSFET。而針對寄生電感引起的雪崩擊穿，改用引腳更短的封裝的MOSFET或改善電路板布局以降低寄生電感等都是比較有效的措施。
來源：羅姆半導(dǎo)體
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
在實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中使用傳感器優(yōu)化數(shù)據(jù)可靠性的3個(gè)技巧
