雙向可控硅應(yīng)用

為正常使用雙向可控硅，需定量掌握其主要參數(shù)，對(duì)雙向可控硅進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。

 

耐壓級(jí)別的選擇：通常把 VDRM（斷態(tài)重復(fù)峰值電壓）和 VRRM（反向重復(fù)峰值電壓）中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。選用時(shí)，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的 2~3 倍，作 為允許的操作過(guò)電壓裕量。

 

電流的確定：由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的 2~3 倍。同時(shí)，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 VDRM 和反向重復(fù)峰 值電壓 VRRM 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的 IDRM 和 IRRM。

 

通態(tài)（峰值）電壓 VTM 的選擇：它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇 VTM 小的可控硅。

 

維持電流：IH 是維持可控硅維持通態(tài)所必需的最小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則 IH 越小。

 

電壓上升率的抵制：dv/dt 指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會(huì)存在寄生電容，如圖 2 所示。我們知道 dv/dt 的變化在電容的兩端會(huì)出現(xiàn)等效電流，這個(gè)電流就會(huì)成為 Ig，也就是出現(xiàn)了觸發(fā)電流，導(dǎo)致誤觸發(fā)。

 

圖 2 雙向可控硅等效示意圖

 

切換電壓上升率 dVCOM/dt。驅(qū)動(dòng)高電抗性的負(fù)載時(shí)，負(fù)載電壓和電流的波形間通常發(fā)生實(shí)質(zhì)性的相位移動(dòng)。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)雙向可控硅發(fā)生切換，由于相位差電壓并不為零。這時(shí)雙向可控硅須立即阻斷該電壓。產(chǎn)生的切換電壓上升率（dVCOM/dt）若超過(guò)允許值，會(huì)迫使雙向可控硅回復(fù)導(dǎo)通狀態(tài)，因?yàn)檩d流子沒(méi)有充分的時(shí)間自結(jié)上撤出，如圖 3 所示。

 

 

圖 3 切換時(shí)的電流及電壓變化

 

高 dVCOM/dt 承受能力受二個(gè)條件影響：

 

dICOM/dt—切換時(shí)負(fù)載電流下降率。dICOM/dt 高，則 dVCOM/dt 承受能力下降。結(jié)面溫度 Tj 越高，dVCOM/dt 承受能力越下降。假如雙向可控硅的 dVCOM/dt 的允許值有可能被超過(guò)，為避免發(fā)生假觸發(fā)，可在 T1 和 T2 間裝置 RC 緩沖電路，以此限制電壓上升率。通常選用 47~100? 的能承受浪涌電流的碳膜電阻，0.01μF~0.47μF 的電容，晶閘管關(guān)斷過(guò)程中主電流過(guò)零反向后迅速由反向峰值恢復(fù)至零電流，此過(guò)程可在元件兩端產(chǎn)生達(dá)正常工作峰值電壓 5-6 倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。

 

斷開(kāi)狀態(tài)下電壓變化率 dvD/dt。若截止的雙向可控硅上（或門(mén)極靈敏的閘流管）作用很高的電壓變化率，盡管不超過(guò) VDRM，電容性?xún)?nèi)部電流能產(chǎn)生足夠大的門(mén)極電流，并觸發(fā)器件導(dǎo)通。門(mén)極靈敏度隨溫度而升高。假如發(fā)生這樣的問(wèn)題，T1 和 T2 間（或陽(yáng)極和陰極間） 應(yīng)該加上 RC 緩沖電路，以限制 dvD/dt。

 

電流上升率的抑制：電流上升率的影響主要表現(xiàn)在以下兩個(gè)方面：

 

①dIT/dt（導(dǎo)通時(shí)的電流上升率）—當(dāng)雙向可控硅或閘流管在門(mén)極電流觸發(fā)下導(dǎo)通，門(mén)極臨近處立即導(dǎo)通，然后迅速擴(kuò)展至整個(gè)有效面積。這遲后的時(shí)間有一個(gè)極限，即負(fù)載電流上升率的許可值。過(guò)高的 dIT/dt 可能導(dǎo)致局部燒毀，并使 T1-T2 短路。假如過(guò)程中限制 dIT/dt 到一較低的值，雙向可控硅可能可以幸存。因此，假如雙向可控硅的 VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出或?qū)〞r(shí)的 dIT/dt 有可能被超出，可在負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)幾 μH 的不飽和（空心）電感。

 

②dICOM/dt (切換電流變化率) —導(dǎo)致高 dICOM/dt 值的因素是:高負(fù)載電流、高電網(wǎng)頻率（假設(shè)正弦波電流）或者非正弦波負(fù)載電流,它們引起的切換電流變化率超出最大的允許值，使 雙向可控硅甚至不能支持 50Hz 波形由零上升時(shí)不大的 dV/dt，加入一幾 mH 的電感和負(fù)載串聯(lián)，可以限制 dICOM/dt。

 

·為了解決高 dv/dt 及 di/dt 引起的問(wèn)題，還可以使用 Hi-Com 雙向可控硅，它和傳統(tǒng)的雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有差別。差別之一是內(nèi)部的二個(gè)“閘流管”分隔得更好，減少了互相的影響。這帶來(lái)下列好處：

 

①高 dVCOM/dt。能控制電抗性負(fù)載，在很多場(chǎng)合下不需要緩沖電路，保證無(wú)故障切換。這降低了元器件數(shù)量、底板尺寸和成本，還免去了緩沖電路的功率耗散。

 

②高 dICOM/dt。切換高頻電流或非正弦波電流的性能大為改善，而不需要在負(fù)載上串聯(lián)電感，以限制 dICOM/dt。

 

③高 dvD/dt（斷開(kāi)狀態(tài)下電壓變化率）。雙向可控硅在高溫下更為靈敏。高溫下，處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，容易因高 dV/dt 下的假觸發(fā)而導(dǎo)通。Hi-Com 雙向可控硅減少了這種傾向。從而可以用在高溫電器，控制電阻性負(fù)載，例如廚房和取暖電器，而傳統(tǒng)的雙向可控硅則不能用。

 

門(mén)極參數(shù)的選用

門(mén)極觸發(fā)電流—為了使可控硅可靠觸發(fā)，觸發(fā)電流 Igt 選擇 25 度時(shí) max 值的 α 倍，α 為門(mén)極觸發(fā)電流—結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊(cè)可得，取特性曲線(xiàn)中最低工作溫度時(shí)的系數(shù)。若對(duì)器件工作環(huán)境溫度無(wú)特殊需要，通常 α 取大于 1.5 倍即可。

 

門(mén)極壓降—可以選擇 Vgt 25 度時(shí) max 值的 β 倍。β 為門(mén)極觸發(fā)電壓—結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊(cè)可得，取特性曲線(xiàn)中最低工作溫度時(shí)的系數(shù)。若對(duì)器件工作環(huán)境溫度無(wú)特殊需要，通常 β 取 1~1.2 倍即可。

 

觸發(fā)電阻—Rg=（Vcc-Vgt）/Igt

 

觸發(fā)脈沖寬度—為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），除了要門(mén)極電流≧IGT ，還要使負(fù)載電流達(dá)到≧IL（擎住電流），并按可能遇到的最低溫度考慮。因此，可取 25 度下可靠觸發(fā)可控硅的脈沖寬度 Tgw 的 2 倍以上。

 

在電子噪聲充斥的環(huán)境中，若干擾電壓超過(guò)觸發(fā)電壓 VGT，并有足夠的門(mén)極電流，就會(huì)發(fā)生假觸發(fā)，導(dǎo)致雙向可控硅切換。第一條防線(xiàn)是降低臨近空間的雜波。門(mén)極接線(xiàn)越短越好，并確保門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路的共用返回線(xiàn)直接連接到 TI 管腳（對(duì)閘流管是陰極）。若門(mén)極接線(xiàn)是硬線(xiàn)，可采用螺旋雙線(xiàn)，或干脆用屏蔽線(xiàn)，這些必要的措施都是為了降低雜波的吸收。為增加對(duì)電子噪聲的抵抗力，可在門(mén)極和 T1 之間串入 1k? 或更小的電阻，以此降低門(mén)極的靈敏度。假如已采用高頻旁路電容，建議在該電容和門(mén)極間加入電阻，以降低通過(guò)門(mén)極的電容電流的峰值，減少雙向可控硅門(mén)極區(qū)域?yàn)檫^(guò)電流燒毀的可能。

 

結(jié)溫 Tj 的控制：為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證 Rth j-a 足夠低，維持 Tj 不高于 80%Tjmax , 其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。

 

雙向可控硅的安裝

對(duì)負(fù)載小，或電流持續(xù)時(shí)間短（小于 1 秒鐘）的雙向可控硅，可在自由空間工作。但大部分情況下，需要安裝在散熱器或散熱的支架上，為了減小熱阻，可控硅與散熱器間要涂上導(dǎo)熱硅脂。

 

雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種，夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。很多場(chǎng)合下，鉚接不是一種推薦的方法，本文不做介紹。

 

夾子壓接

這是推薦的方法，熱阻最小。夾子對(duì)器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝（SOT82 和 SOT78 ） 和絕緣封裝（ SOT186 F-pack 和更新的 SOT186A X-pack）。注意，SOT78 就是 TO220AB。

 

螺栓固定

SOT78 組件帶有 M3 成套安裝零件，包括矩形墊圈，墊圈放在螺栓頭和接頭片之間。應(yīng)該不對(duì)器件的塑料體施加任何力量。

 

安裝過(guò)程中，螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量。

 

和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理，保證平坦，10mm 上允許偏差 0.02mm。

 

安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在 0.55Nm 和 0.8Nm 之間。

 

應(yīng)避免使用自攻絲螺釘，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周?chē)穆∑?，影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩?zé)o法控制，也是這種安裝方法的缺點(diǎn)。器件應(yīng)首先機(jī)械固定，然后焊接引線(xiàn)。這可減少引線(xiàn)的不適當(dāng)應(yīng)力。

 

在可控硅設(shè)計(jì)中，選用合適的參數(shù)以及與之相對(duì)應(yīng)的軟硬件設(shè)計(jì)，用可控硅構(gòu)成的變流裝置具有節(jié)約能源、成本低廉等特點(diǎn)，目前在工業(yè)中得到飛速的發(fā)展。

 

除此以外，可控硅的應(yīng)用市場(chǎng)，可謂是相當(dāng)?shù)膹V闊，譬如：在自動(dòng)化控制領(lǐng)域、機(jī)電領(lǐng)域、工業(yè)電器以及家電等方面，都有可控硅的身影。在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)，U 型馬達(dá)和電熱阻絲也是可控硅應(yīng)用比較多的方向。通常情況下，一般采用雙向可控硅（TRIAC）或者結(jié)合交流電源來(lái)實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制、恒溫恒功率的控制電路。

 

不管是電熱阻絲還是 U 馬達(dá)，由于其加入了 TRIAC 這樣的雙向可控硅的器件，加入了 PID 控制算法所以其相關(guān)的電路設(shè)計(jì)就變得非常復(fù)雜，為了讓大家更好的更輕松的實(shí)現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，我特意開(kāi)設(shè)了此次直播課，幫忙大家系統(tǒng)地理解可控硅的在實(shí)際具體產(chǎn)品的控制電路設(shè)計(jì)。