【導(dǎo)讀】TV、戶外LED照明等功率比較大的電源系統(tǒng)中，通常輸入端使用PFC功率因素校正電路。系統(tǒng)反復(fù)起動的過程中，如系統(tǒng)動態(tài)老化Burn In測試、輸入打火測試，由于PFC控制芯片的供電VCC電源建立過程比較慢，特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況，會導(dǎo)致功率MOSFET管的驅(qū)動在起動的過程中，由于驅(qū)動電壓不足，容易進入線性區(qū)工作，功率MOSFET反復(fù)不斷的進入線性區(qū)工作，工作一段時間后，就會形成局部熱點而損壞。
例1：戶外LED照明電源，拓撲結(jié)構(gòu)為PFC+LLC，PFC兩個功率MOSFET并聯(lián)，PFC控制芯片ST6562臨界模式，Vin：90-305Vac，PFC輸出Vout即母線電壓460V，PFC電感是200uH。
具體的情況如下：
輸入端305Vac、220Vac進行打火測試，滿載情況下，電感電流會進入連續(xù)模式狀態(tài)，MOSFET失效。
從失效的圖片，可以明顯的看到，功率MOSFET進入線性區(qū)失效。
圖1：例1失效圖片
例2：日光燈電子鎮(zhèn)流器的PFC電路，系統(tǒng)在動態(tài)老化測試過程中，MOSFET產(chǎn)生損壞失效，測試實際的電路，在起動過程中，MOSFET實際驅(qū)動電壓只有5V左右，MOSFET相當(dāng)于有很長的一段時間工作在線性區(qū)，器件形成局部熱點，而且離G極比較近，因此，器件是在開通過程中，由于較長時間工作線性區(qū)產(chǎn)生的失效，工作波形和失效形態(tài)如圖2、圖3所示。
圖2：例2失效圖片
圖3：例2線性區(qū)的工作波形
來源：松哥電源
