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基于LM5036的半橋DC/DC電源非恒定電流限制

發(fā)布時(shí)間:2022-01-17 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】同時(shí),LM5306在過(guò)流保護(hù)時(shí)可以進(jìn)入打嗝模式。其周期可由RES引腳上的外接電容進(jìn)行配置。除了傳統(tǒng)的過(guò)流打嗝模式,LM5036還支持倒灌電流的嗝模式保護(hù) 。當(dāng)?shù)构嚯娏鞣磸?fù)出現(xiàn)時(shí),LM5036也可進(jìn)入打嗝模式。打嗝重啟電容器處設(shè)置15μA電流源。


LM5036是一款高度集成化的半橋PWM控制器,集成了輔助偏置電源,為電信,數(shù)據(jù)通信,工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器提供高功率密度解決方案。LM5036包含使用電壓模式控制實(shí)現(xiàn)半橋拓?fù)涔β兽D(zhuǎn)換器所需的所有功能。 該器件適用于隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的初級(jí)側(cè),輸入電壓高達(dá)100V。與傳統(tǒng)半橋及全橋控制器相比,LM5036有著自身不可替代的優(yōu)勢(shì):


(1)集成輔助偏置電源,為L(zhǎng)M5036及原邊和副邊元器件供電,無(wú)需外部輔助電源,減少電路板尺寸和成本,有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度和良好的熱可靠性。


(2)增強(qiáng)的預(yù)偏置啟動(dòng)性能可實(shí)現(xiàn)負(fù)載帶壓?jiǎn)?dòng)時(shí),輸出電壓的單調(diào)遞增并避免倒灌電流。


(3)通過(guò)脈沖匹配改善了逐周期電流限制,從而在輸入電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生均勻的輸出電流限制水平,并且還可以防止變壓器飽和。


脈沖匹配的電流限制保護(hù)機(jī)制:


恒流限制問(wèn)題和解決方案:


在逐周期運(yùn)行期間,當(dāng)電流感測(cè)信號(hào)ISENSE達(dá)到正閾值IPOS_LIM時(shí),激活CBC電流限制操作。控制器基本上表現(xiàn)為峰值電流模式控制,在CBC操作期間電壓回路打開(kāi)。峰值電流模式控制的一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題是當(dāng)半橋拓?fù)涞恼伎毡却笥?.25(降壓轉(zhuǎn)換器為0.5)時(shí)出現(xiàn)的次諧波振蕩。


經(jīng)驗(yàn)法則是增加補(bǔ)償斜坡,其斜率必須設(shè)置為通過(guò)電流檢測(cè)電阻器轉(zhuǎn)換到初級(jí)側(cè)的輸出電感器電流的下坡的至少一半。如果希望在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期后消除次諧波振蕩,則必須將斜率補(bǔ)償設(shè)置為輸出電感電流下行斜率的一倍。這被稱(chēng)為無(wú)差拍控制。


但是,在添加斜率補(bǔ)償后會(huì)出現(xiàn)另一個(gè)問(wèn)題。電流限制電平隨輸入電壓而變化,如下圖所示。由于不同輸入電壓下的斜率補(bǔ)償幅度不同,實(shí)際電流限制電平隨給定內(nèi)部電流限制閾值的輸入電壓而變化。這樣的機(jī)制使得輸出電流限制容差較差。需要更多的設(shè)計(jì)余量,導(dǎo)致功率密度較差。


非恒定電流限制


LM5036通過(guò)匹配初級(jí)MOSFET的ton次數(shù)來(lái)確保穩(wěn)定的CBC操作。 通過(guò)VIN調(diào)節(jié)峰值電流限制閾值,以確保減小輸出電流限制隨輸入電壓的變化。所有這些功能都由三個(gè)CS引腳和相關(guān)的外部電阻設(shè)置。 使用LM5036設(shè)計(jì)計(jì)算表格可以計(jì)算這些電阻的值。正電流和負(fù)電流(導(dǎo)致輸出電壓下降甚至損壞)都將被感測(cè)和限制。


基于LM5036的半橋DC/DC電源非恒定電流限制


LM5036器件開(kāi)發(fā)了一種新技術(shù) - 輸入電壓補(bǔ)償。 通過(guò)在電流感測(cè)信號(hào)和斜率補(bǔ)償信號(hào)之上添加作為輸入電壓的函數(shù)的額外信號(hào),可以在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)最小化電流限制值的變化,從而可以得到更加精準(zhǔn)的輸出功率限制,最大化地避免輸出功率的閾值隨著輸入電壓的變化而變化。在LM5036器件中,斜率補(bǔ)償信號(hào)是鋸齒電流信號(hào)ISLOPE,在振蕩器頻率(開(kāi)關(guān)頻率的兩倍)上從0增加到50μA(典型值)。


補(bǔ)償后的電流檢測(cè)信號(hào)現(xiàn)在可以推導(dǎo)為:


基于LM5036的半橋DC/DC電源非恒定電流限制


基于LM5036的半橋DC/DC電源非恒定電流限制


上圖左為L(zhǎng)M5036逐周期電流限制的外接電路、LM5036內(nèi)部實(shí)現(xiàn)示意電路。右圖為電流感測(cè)信號(hào)的組成說(shuō)明??梢?jiàn)LM5036在電流檢測(cè)上不僅檢測(cè)正向電流,還通過(guò)外接RLIM電阻及內(nèi)部電流源VLIM提升電流感測(cè)的電流值,從而留出測(cè)量空間以便感測(cè)反向電流和設(shè)置反向電流閾值。同時(shí)由于引入輸入電壓VIN信號(hào)到電流感測(cè)上,使得感測(cè)電流包含輸入電壓信息。從而實(shí)現(xiàn)在整個(gè)電壓輸入范圍內(nèi),電流閾值保持在一個(gè)很小的范圍內(nèi)。


與此同時(shí),LM5036擁有脈沖匹配機(jī)制,在Cycle-By-Cycle運(yùn)行期間保持主變壓器的磁通平衡。上下兩個(gè)主MOSFET的占空比始終保持匹配狀態(tài),以確保變壓器伏秒積平衡,有效防止變壓器飽和。


脈沖匹配方式如下圖所示。當(dāng)在第1階段達(dá)到電流限制時(shí),LM5036內(nèi)部的FLAG信號(hào)由低變高。 RAMP信號(hào)在FLAG信號(hào)的上升沿被采樣,然后在高邊mosfet相位的下一半開(kāi)關(guān)周期內(nèi)將保持原本采樣值并正常運(yùn)行。當(dāng)高側(cè)相位RAMP信號(hào)上升到采樣值以上時(shí),高側(cè)PWM脈沖關(guān)閉,這樣最終會(huì)使得兩個(gè)相位的占空比匹配。


脈沖匹配機(jī)制


同時(shí),LM5306在過(guò)流保護(hù)時(shí)可以進(jìn)入打嗝模式。其周期可由RES引腳上的外接電容進(jìn)行配置。除了傳統(tǒng)的過(guò)流打嗝模式,LM5036還支持倒灌電流的嗝模式保護(hù) 。當(dāng)?shù)构嚯娏鞣磸?fù)出現(xiàn)時(shí),LM5036也可進(jìn)入打嗝模式。打嗝重啟電容器處設(shè)置15μA電流源。

(來(lái)源:中電網(wǎng))


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