- 采用miniQFN10封裝
- 工作電壓為1.65V~4.3V
- 便攜式終端產(chǎn)品中用于音頻、SIM卡和多功能信號切換
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出3款新型單極雙擲(SPDT)和雙路的雙極雙擲(DPDT)CMOS低壓模擬開關--- DG2735A、DG2725和DG2599。這些器件具有低工作電壓和低導通電阻,采用小尺寸miniQFN封裝,可在空間受限的便攜式終端產(chǎn)品中用于音頻、SIM卡和多功能信號切換。
DG2735A和DG2725是雙路SPDT開關,采用miniQFN10封裝,工作電壓為1.65V~4.3V。DG2735A可確保在2.7V下的最大導通電阻為0.6Ω,在2.7V下的開啟和關斷時間為64ns和42ns,是接收機和揚聲器中音頻輸出切換的絕佳選擇。DG2725在3V下的典型導通電阻為0.7Ω,同時具有更低的寄生電容。
DG2599在1.65V~5V電壓下工作,可用作4路SPDT或雙路DPDT開關。器件采用minQFN16封裝,在3V下的典型導通電阻為2.8Ω,-3dB的帶寬高達186MHz。DG2725和DG2599具有掉電保護功能,在V+=0V,VCOM1或VCOM2=4.3V情況下,可以確保COM1和COM2的漏電流小于1µA。
新的DG2735A、DG2725和DG2599模擬開關適合用在消費、計算和通信產(chǎn)品中,如手機、PMP和PDA等、調制解調器和外設、計算機、電子書,以及平板電腦等。這些器件兼容1.65V邏輯電平,易于與低電壓的DSP或MCU控制邏輯接口,很適合直接用單節(jié)鋰離子電池供電的情況。
日前發(fā)布的器件采用Vishay的亞微米CMOS低壓工藝技術,按照 JESD78規(guī)范測試的閂鎖保護電流大于300mA。在導通時,開關在雙方向上能以同樣的性能傳輸小于電源軌的信號,在關斷時能夠阻斷電源級別的信號,并且保證采取先斷后通的切換操作。
Vishay Siliconix嚴格遵守對社區(qū)和環(huán)境的承諾,使用無鉛器件端接生產(chǎn)這些模擬開關。器件的miniQFN封裝采用鎳鈀金器件端接(用后綴“-E4”表示),滿足所有JEDEC標準對回流焊和MSL等級的要求。開關符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2002/95/EC。