機(jī)電繼電器的終結(jié)者!深扒MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2018-12-07 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】傳統(tǒng)機(jī)電繼電器 (Electromechanical Relay, EMR) 從發(fā)明至今已有上百年歷史,一直被廣泛使用, 直至微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)開(kāi)關(guān)技術(shù)在近幾十年之快速發(fā)展,憑借其易于使用、尺寸小、可以極小的損耗可靠地傳送0Hz/dc至數(shù)百GHz信號(hào)等特性,MEMS開(kāi)關(guān)在射頻測(cè)試儀器、儀表和射頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用上,成為出色的可替代器件,并改變著電子系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)方式。
不少公司試圖開(kāi)發(fā)MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù),不過(guò)都同樣面臨著大規(guī)模生產(chǎn)并大批量提供可靠產(chǎn)品的挑戰(zhàn) 。其中ADI公司積極投入MEMS開(kāi)關(guān)項(xiàng)目,并建設(shè)了自有先進(jìn)的MEMS開(kāi)關(guān)制造設(shè)施,以滿足業(yè)界對(duì)于量產(chǎn)的需求。
基本原理
ADI MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)的關(guān)鍵是靜電驅(qū)動(dòng)的微加工懸臂梁開(kāi)關(guān)組件概念。本質(zhì)上可以將它視作微米尺度的機(jī)械開(kāi)關(guān),其金屬對(duì)金屬觸點(diǎn)通過(guò)靜電驅(qū)動(dòng)。
開(kāi)關(guān)采用三端子配置進(jìn)行連接。功能上可以將這些端子視為源極、柵極和漏極。下圖是開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)化示意圖,情況A表示開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)位置。
將一個(gè)直流電壓施加于柵極時(shí),開(kāi)關(guān)梁上就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)靜電下拉力。這種靜電力與平行板電容的正負(fù)帶電板之間的吸引力是相同的。當(dāng)柵極電壓斜升至足夠高的值時(shí),它會(huì)產(chǎn)生足夠大的吸引力(紅色箭頭)來(lái)克服開(kāi)關(guān)梁的彈簧阻力,開(kāi)關(guān)梁開(kāi)始向下移動(dòng),直至觸點(diǎn)接觸漏極。過(guò)程如下圖情況B所示。
這時(shí),源極和漏極之間的電路閉合,開(kāi)關(guān)接通。拉下開(kāi)關(guān)梁所需的實(shí)際力大小與懸臂梁的彈簧常數(shù)及其對(duì)運(yùn)動(dòng)的阻力有關(guān)。注意:即使在接通位置,開(kāi)關(guān)梁仍有上拉開(kāi)關(guān)的彈簧力(藍(lán)色箭頭),但只要下拉靜電力(紅色箭頭)更大,開(kāi)關(guān)就會(huì)保持接通狀態(tài)。
最后,當(dāng)移除柵極電壓時(shí)(下圖情況C),即柵極電極上為0V時(shí),靜電吸引力消失,開(kāi)關(guān)梁作為彈簧具有足夠大的恢復(fù)力(藍(lán)色箭頭)來(lái)斷開(kāi)源極和漏極之間的連接,然后回到原始關(guān)斷位置。
下圖1為采用單刀四擲 (ST4T) 多路復(fù)用器配置的四個(gè)MEMS開(kāi)關(guān)的放大圖。每個(gè)開(kāi)關(guān)梁有五個(gè)并聯(lián)阻性觸點(diǎn),用以降低開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的電阻并提高功率處理能力。
圖1 ,四個(gè)MEMS懸臂式開(kāi)關(guān)梁(SP4T配置)
MEMS開(kāi)關(guān)需要高直流驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)以靜電力驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)。為使器件盡可能容易使用并進(jìn)一步保障性能,ADI公司設(shè)計(jì)了配套驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)來(lái)產(chǎn)生高直流電壓,其與MEMS開(kāi)關(guān)共同封裝于QFN規(guī)格尺寸中。此外,所產(chǎn)生的高驅(qū)動(dòng)電壓以受控方式施加于開(kāi)關(guān)的柵極電極。它以微秒級(jí)時(shí)間斜升至高電壓。斜升有助于控制開(kāi)關(guān)梁的吸引和下拉,改善開(kāi)關(guān)的動(dòng)作性能、可靠性和使用壽命。下圖2顯示了一個(gè)QFN封裝中的驅(qū)動(dòng)器IC和MEMS芯片實(shí)例。驅(qū)動(dòng)器IC僅需要一個(gè)低電壓、低電流電源,可與標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯驅(qū)動(dòng)電壓兼容。這種一同封裝的驅(qū)動(dòng)器使得開(kāi)關(guān)非常容易使用,并且其功耗要求非常低,大約在10mW到20mW范圍內(nèi)。
圖2,驅(qū)動(dòng)器IC(左)和MEMS開(kāi)關(guān)芯片(右)安裝并線焊在金屬引線框架上
性能優(yōu)勢(shì)
以ADGM1004/ADGM1304 SP4T 系列為例,其各項(xiàng)參數(shù)與傳統(tǒng)機(jī)電繼電器比較 (圖3) 有著不少明顯優(yōu)勢(shì)。
圖3, ADGM1004/ ADGM1304 MEMS與傳統(tǒng)機(jī)電繼電器比較
ADGM1004/ADGM1304 SP4T 同時(shí)含整合式驅(qū)動(dòng)器,適用于繼電器替代品、RF 測(cè)試儀器,以及 RF 切換。產(chǎn)品規(guī)格詳情及相關(guān)評(píng)估板EVAL-ADGM1004EBZ可瀏覽Digi-Key 產(chǎn)品專頁(yè)。
應(yīng)用示例
過(guò)去,要在ATE測(cè)試設(shè)備中實(shí)現(xiàn)dc/RF開(kāi)關(guān)功能,必須使用EMR開(kāi)關(guān)。但是,由于存在以下問(wèn)題,使用繼電器可能會(huì)限制系統(tǒng)性能:
繼電器開(kāi)關(guān)的尺寸較大,必須遵守“禁區(qū)”設(shè)計(jì)規(guī)則,這意味著它要占用很大面積,缺乏測(cè)試可擴(kuò)展性。
繼電器開(kāi)關(guān)的使用壽命有限,僅為數(shù)百萬(wàn)個(gè)周期。
必須級(jí)聯(lián)多個(gè)繼電器,才能實(shí)現(xiàn)需要的開(kāi)關(guān)配置(例如,SP4T配置需要三個(gè)SPDT繼電器)。
使用繼電器時(shí),可能遇到PCB組裝問(wèn)題,通常導(dǎo)致很高的PCB返工率。
由于布線限制和繼電器性能限制,實(shí)現(xiàn)全帶寬性能可能非常困難。
繼電器驅(qū)動(dòng)速度緩慢,為毫秒級(jí)的時(shí)間量級(jí),從而限制了測(cè)試速度。
以典型的dc/RF開(kāi)關(guān)扇出16:1多路復(fù)用功能為例 (圖4),需要九個(gè)DPDT EMR繼電器和一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器IC,來(lái)實(shí)現(xiàn)18:1多路復(fù)用功能(八個(gè)DPDT繼電器只能產(chǎn)生14:1多路復(fù)用功能)。圖5中,顯示了相同的扇出開(kāi)關(guān)功能,僅使用五個(gè)ADGM1304或ADGM1004SP4T MEMS開(kāi)關(guān),因而得以簡(jiǎn)化。
圖6中顯示了實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)原理圖的視覺(jué)演示PCB的照片。左側(cè)顯示了物理繼電器解決方案,說(shuō)明了繼電器解決方案占用了多大的面積、保持布線連接之間的對(duì)稱如何困難,以及對(duì)驅(qū)動(dòng)器IC的需求。從右側(cè)則可看出,占用PCB面積減小,開(kāi)關(guān)功能的布線復(fù)雜性降低。按面積計(jì)算,MEMS開(kāi)關(guān)使占用面積減少68%以上,按體積計(jì)算,則可能減少95%以上。
ADGM1304 和ADGM1004 MEMS開(kāi)關(guān)內(nèi)置低電壓、可獨(dú)立控制的開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器;因此,它們不需要外部驅(qū)動(dòng)器IC。由于MEMS開(kāi)關(guān)封裝的高度較?。ˋDGM1304的封裝高度為0.95mm,ADGM1004的封裝高度為1.45mm),因此開(kāi)關(guān)可以安裝PCB的反面。較小的封裝高度增大了可實(shí)現(xiàn)的信道密度。
圖6. DC/RF扇出測(cè)試板的視覺(jué)比較:實(shí)現(xiàn)16:1多路復(fù)用功能,使用九個(gè)EMR開(kāi)關(guān)(左黃)和五個(gè)MEMS開(kāi)關(guān)(右紅)
本文小結(jié)
最后,小尺寸解決方案通常對(duì)于任何市場(chǎng)都是一項(xiàng)關(guān)鍵要求。MEMS在這方面具有令人信服的優(yōu)勢(shì)。下圖7以實(shí)物照片比較了封裝后的ADI SP4T(四開(kāi)關(guān))MEMS開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)和典型DPDT(四開(kāi)關(guān))機(jī)電繼電器的尺寸。MEMS開(kāi)關(guān)節(jié)省了大量空間,其體積僅相當(dāng)于繼電器的5%。這種超小尺寸顯著節(jié)省了PCB板面積,增加PCB板的雙面開(kāi)發(fā)之可能。這一優(yōu)勢(shì)對(duì)于迫切需要提高信道密度的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備制造商特別有價(jià)值。
圖7,ADI引線框芯片級(jí)封裝MEMS開(kāi)關(guān)(四開(kāi)關(guān))與典型機(jī)電式RF繼電器(四開(kāi)關(guān))的尺寸比較
推薦閱讀:
特別推薦
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn),助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
- 了解交流電壓的產(chǎn)生
- 單結(jié)晶體管符號(hào)和結(jié)構(gòu)
- 英飛凌推出用于汽車(chē)應(yīng)用識(shí)別和認(rèn)證的新型指紋傳感器IC
- Vishay推出負(fù)載電壓達(dá)100 V的業(yè)內(nèi)先進(jìn)的1 Form A固態(tài)繼電器
- 康佳特推出搭載AMD 銳龍嵌入式 8000系列的COM Express緊湊型模塊
- 村田推出3225尺寸車(chē)載PoC電感器LQW32FT_8H系列
技術(shù)文章更多>>
- “扒開(kāi)”超級(jí)電容的“外衣”,看看超級(jí)電容“超級(jí)”在哪兒
- DigiKey 誠(chéng)邀各位參會(huì)者蒞臨SPS 2024?展會(huì)參觀交流,體驗(yàn)最新自動(dòng)化產(chǎn)品
- 提前圍觀第104屆中國(guó)電子展高端元器件展區(qū)
- 高性能碳化硅隔離柵極驅(qū)動(dòng)器如何選型,一文告訴您
- 貿(mào)澤電子新品推薦:2024年第三季度推出將近7000個(gè)新物料
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門(mén)搜索
濾波電感
濾波器
路由器設(shè)置
鋁電解電容
鋁殼電阻
邏輯IC
馬達(dá)控制
麥克風(fēng)
脈沖變壓器
鉚接設(shè)備
夢(mèng)想電子
模擬鎖相環(huán)
耐壓測(cè)試儀
逆變器
逆導(dǎo)可控硅
鎳鎘電池
鎳氫電池
紐扣電池
歐勝
耦合技術(shù)
排電阻
排母連接器
排針連接器
片狀電感
偏光片
偏轉(zhuǎn)線圈
頻率測(cè)量?jī)x
頻率器件
頻譜測(cè)試儀
平板電腦