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我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)出口仍將穩(wěn)步發(fā)展
在日前舉辦的“2008中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)高峰論壇”上，商務(wù)部部長(zhǎng)助理崇泉表示，目前，我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)從高速增長(zhǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)橹兴僭鲩L(zhǎng)，增速趨于平穩(wěn)，但是中國(guó)作為世界電子信息產(chǎn)品制造中心的地位不會(huì)改變。目前，我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)形成了全方位、多層次的開(kāi)放格局。隨著經(jīng)濟(jì)全球化的深入發(fā)展，我國(guó)電子信息...
2008-10-24
電子信息產(chǎn)業(yè)
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新型光學(xué)加速度傳感器動(dòng)力學(xué)性能設(shè)計(jì)
本文針對(duì)基于菲涅耳衍射微透鏡的新型光學(xué)加速度傳感器設(shè)計(jì)了一種簡(jiǎn)單實(shí)用的敏感加速度的振動(dòng)系統(tǒng)，它是由一個(gè)微彈性機(jī)械結(jié)構(gòu)連接在外框架上構(gòu)成。微彈性機(jī)械結(jié)構(gòu)是在一塊硅片上通過(guò)簡(jiǎn)單的MEMS工藝加工的，可以通過(guò)改變硅片的厚度和彈性臂的寬度來(lái)設(shè)計(jì)不同的彈性系數(shù)和振動(dòng)系統(tǒng)的固有頻率，以滿足傳...
2008-10-24
傳感器 新型 光學(xué)加速度
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功率器件熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算
本文主要探討電子設(shè)備熱失效的問(wèn)題，通過(guò)對(duì)功率器件發(fā)熱原理的分析和散熱的計(jì)算，得出散熱方式的設(shè)計(jì)和散熱器的選擇。
2008-10-24
熱設(shè)計(jì) 功率器件 散熱計(jì)算
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中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè) 本土市場(chǎng)嚴(yán)重滯后
短短幾年內(nèi)，我國(guó)太陽(yáng)能電池產(chǎn)量躍居世界第一，10家企業(yè)海外上市。中國(guó)生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池95%以上銷往國(guó)外，歐洲、美國(guó)、日本是主要的買家，而國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能光伏市場(chǎng)遠(yuǎn)未形成。
2008-10-23
太陽(yáng)能電池 光伏產(chǎn)業(yè)
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ABB變頻器在風(fēng)力發(fā)電行業(yè)的應(yīng)用
本文簡(jiǎn)介了四種風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)，講述了變速恒頻雙饋風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)工作原理以及ABB風(fēng)力發(fā)電變頻器，最后講了一個(gè)應(yīng)用案例。
2008-10-23
風(fēng)力發(fā)電 ABB 變頻器
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IGBT技術(shù)——半導(dǎo)體技術(shù)與封裝的完美匹配
本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示了在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來(lái)的性能提升。
2008-10-23
IGBT 半導(dǎo)體 開(kāi)關(guān) 外殼
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江西首個(gè)多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在樟樹(shù)正式投產(chǎn)
10月23日，引進(jìn)世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達(dá)5000萬(wàn)美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬(wàn)噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在江西樟樹(shù)正式投產(chǎn)，這是江西省首個(gè)投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氫硅
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高壓交流隔離開(kāi)關(guān)和接地開(kāi)關(guān)選用的若干問(wèn)題
本文分析了高壓交流隔離開(kāi)關(guān)和接地開(kāi)關(guān)選用的若干問(wèn)題，包括：隔離開(kāi)關(guān)開(kāi)合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開(kāi)關(guān)開(kāi)合感應(yīng)電流、單柱垂直斷口隔離開(kāi)關(guān)的額定接觸區(qū)、接地開(kāi)關(guān)的短路持續(xù)時(shí)間和隔離開(kāi)關(guān)的過(guò)載能力、接地開(kāi)關(guān)的長(zhǎng)期通流問(wèn)題、絕緣子爬電距離是否需要進(jìn)行海拔修正的問(wèn)題。
2008-10-23
隔離開(kāi)關(guān) 接地開(kāi)關(guān) 轉(zhuǎn)換電流 隔離電流 接觸區(qū)
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過(guò)壓保護(hù)的備用電路: 技巧和竅門
過(guò)壓保護(hù)(OVP)器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應(yīng)用中，基本的過(guò)壓保護(hù)電路不足以勝任器件保護(hù)的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當(dāng)修改電路，可以在發(fā)生過(guò)壓或欠壓時(shí)利用輸出電容儲(chǔ)能保持能量。本文討論如何針對(duì)這兩種需求修改...
2008-10-23
過(guò)壓保護(hù) 電路 MOSFET
- 高功率密度的電源模塊設(shè)計(jì)要點(diǎn)及方案推薦
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