【導(dǎo)讀】本次實(shí)驗(yàn)的目標(biāo)是利用磁場(chǎng)生成和檢測(cè)原理去構(gòu)建簡(jiǎn)單的接近檢測(cè)器,并觀察檢測(cè)器輸出電壓是如何隨著電磁體越來越靠近傳感器而增加的。
背景知識(shí)
簡(jiǎn)單的接近傳感器可檢測(cè)物體對(duì)象之間的距離,可用于多種應(yīng)用,從簡(jiǎn)單的門窗開關(guān)檢測(cè)到復(fù)雜的高精度絕對(duì)位置檢測(cè)器,應(yīng)用廣泛。接近傳感器可采用多種方式設(shè)計(jì),其中一種涉及檢測(cè)磁體(通常為永磁體,但也可能是電磁體)產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度。在本次實(shí)驗(yàn)中,我們使用鐵氧體磁芯螺線管產(chǎn)生磁場(chǎng)。螺線管是一種以圓柱形方式纏繞著磁芯(通常用于制造具有特定電感值的電感)或電磁體的線圈。
ADALP2000模擬部件套件 中的100 μH電感用于產(chǎn)生足夠強(qiáng)的磁場(chǎng),并且能夠被該套件中集成的 AD22151 磁場(chǎng)傳感器檢測(cè)到。AD22151是一款線性磁場(chǎng)傳感器,其輸出電壓與垂直施加于封裝上表面的磁場(chǎng)成比例。AD22151磁場(chǎng)傳感器的工作原理基于霍爾效應(yīng)。在磁場(chǎng)環(huán)境下,當(dāng)電流流經(jīng)某個(gè)導(dǎo)體時(shí),導(dǎo)體兩端就會(huì)產(chǎn)生電壓(霍爾電壓),這種現(xiàn)象就是霍爾效應(yīng)。運(yùn)動(dòng)電荷在磁場(chǎng)中受洛倫茲力作用會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn),從而形成電場(chǎng),產(chǎn)生霍爾電壓。
材料
● ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊
● 無焊試驗(yàn)板和跳線套件
● 四個(gè)100 Ω電阻
● 一個(gè)100 μH電感
● 一個(gè)AD22151磁場(chǎng)傳感器
● 兩個(gè)470 Ω電阻
● 一個(gè)100 kΩ電阻
● 一個(gè)0.1 μF電容
● 一個(gè)10 μF電容
● 一個(gè)200 kΩ電阻
● 一個(gè)LED
硬件設(shè)置
首先,在無焊試驗(yàn)板上構(gòu)建圖1所示的電磁體電路。
圖1.電磁體電路。
將包含AD22151磁場(chǎng)傳感器的霍爾效應(yīng)傳感器電路(圖2)添加到無焊試驗(yàn)板中。
圖2.霍爾效應(yīng)傳感器電路。
試驗(yàn)板連接如圖3所示。
圖3.磁性接近傳感器試驗(yàn)板連接。
程序步驟
使用信號(hào)發(fā)生器W1生成一個(gè)恒定的5 V信號(hào),作為AD22151的VCC輸入。打開至5 V的正電源,為電磁體供電。當(dāng)電磁體遠(yuǎn)離芯片且傳感器附近不存在磁場(chǎng)時(shí),示波器的通道1將顯示AD22151的輸出。
此電壓相當(dāng)于零高斯點(diǎn),理想情況下為中點(diǎn)電源電壓,采用5.0 V電源時(shí)為2.5 V,但由于傳感器和運(yùn)算放大器中的直流偏置要乘以運(yùn)算放大器的閉環(huán)增益,所以該電壓與中點(diǎn)電源電壓不同。
圖4.輸出失調(diào)電壓。
如果將電磁體更靠近芯片,輸出電壓隨磁場(chǎng)強(qiáng)度成比例地增加。在圖5中,可以看到電壓如何隨電磁體越來越靠近芯片而增大。當(dāng)電磁體離芯片較遠(yuǎn)時(shí),電壓將再次降低,直至達(dá)到零高斯失調(diào)電壓。
圖5.輸出電壓變化。
我們可以在5.0 V電源和引腳6的運(yùn)算放大器求和節(jié)點(diǎn)之間添加一個(gè)電阻R4,以改變輸出失調(diào)電壓。這樣在無外加磁場(chǎng)的情況下,能夠使傳感器輸出電壓盡可能接近其線性范圍的下限。接下來,我們來計(jì)算R4值。
我們指定VCC為AD22151的電源電壓,VMID為中點(diǎn)電源電壓。
在通道2使用電壓表工具測(cè)量VCC。要計(jì)算R4,必須清楚運(yùn)算放大器求和節(jié)點(diǎn)的輸入和輸出電流。通過R2的電流定義為IR2。在理想情況下,此電流為零,因?yàn)槠涿總?cè)的電壓為VMID,但零場(chǎng)內(nèi)部霍爾效應(yīng)傳感器輸出電壓與內(nèi)部緩沖電壓VREF之間會(huì)存在一個(gè)較小的失調(diào)電壓。對(duì)于低增益電路,此電壓在許多情況下可忽略不計(jì),但在高增益電路中(如本例)我們必須加以考慮。
使用電壓表測(cè)量并記錄引腳7處的電壓,并將其定義為VREF。使用電壓表測(cè)量并記錄引腳6處的電壓,并將其定義為VCM;此為運(yùn)算放大器輸入端的共模電壓,并且由負(fù)反饋驅(qū)動(dòng)至非常接近內(nèi)部霍爾效應(yīng)傳感器的輸出。計(jì)算R2兩端的電壓:
VR2 = VREF – VCM (1)
流經(jīng)R2的電流為:
IR2 = VR2/235 Ω (2)
計(jì)算流經(jīng)反饋電阻R3的電流時(shí)可考慮電磁體遠(yuǎn)離芯片時(shí)的傳感器輸出電壓,相當(dāng)于傳感器的零高斯點(diǎn)。將此電壓定義為VOUT,Z,然后計(jì)算電流:
IR3 = (VCM – VOUT,Z)/100 kΩ (3)
計(jì)算將VOUT,Z從其當(dāng)前電平降至較低電平(本例中為0.5 V)所需的電壓偏移量。請(qǐng)注意,這是一個(gè)負(fù)值,計(jì)算公式如下:
VSHIFT = 0.5 V – VOUT,Z (4)
通過反饋電阻R3使VOUT,Z偏移至0.5 V所需的額外電流ISHIFT的計(jì)算公式如下:
ISHIFT = VSHIFT/100 kΩ (5)
請(qǐng)注意,這是一個(gè)負(fù)值,因?yàn)閂SHIFT為負(fù)數(shù)。通過R4(用于產(chǎn)生所需失調(diào)電壓)流入求和節(jié)點(diǎn)的電流(IR4)與ISHIFT的方向相反,因此可以寫成IR4 = –ISHIFT,為正值。
計(jì)算R4的值,注意R4兩端電壓為VCC與VCM之差,計(jì)算公式如下:
R4 = (VCC – VCM)/IR4 (6)
圖6.包含電阻R4(可改變失調(diào)電壓)的電路。
從套件中選擇一個(gè)最接近R4計(jì)算值的電阻。四舍五入產(chǎn)生的誤差會(huì)導(dǎo)致更高的輸出電壓。將R4置于電路中,如圖6中的原理圖所示。此外,圖8中也顯示了如何將此電阻置于試驗(yàn)板中。在這種情況下,套件中可用的最接近阻值為200 kΩ。在示波器的通道1,可以看到輸出失調(diào)電壓已降至其線性范圍的下限,接近所需的0.5 V電平。
圖7.輸出失調(diào)電壓已降低。
帶LED指示燈的磁性接近傳感器
可將接近傳感器輸出端的LED用作視覺指示器??砂凑?qǐng)D8中所示進(jìn)行連接。將100 Ω電阻置于LED的陽(yáng)極和傳感器輸出端之間。這可以限制通過LED的電流。將陰極連接至GND。您會(huì)發(fā)現(xiàn),電磁體越靠近芯片,LED燈越亮,因?yàn)榇艌?chǎng)會(huì)使傳感器的輸出電壓升高。
圖8.帶LED指示燈的磁性接近傳感器。
問題:
1. 如果改變電感值,電路響應(yīng)將如何變化?
2. 為什么要降低輸出失調(diào)電壓?
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