你的位置:首頁 > 傳感技術(shù) > 正文

汽車應(yīng)用中的磁阻傳感器

發(fā)布時(shí)間:2011-08-25

中心議題:
  • 探究汽車應(yīng)用中的磁阻傳感器
解決方案:
  • 通過 ANSYS 方法進(jìn)行 FEM 仿真可確定磁場(chǎng)
  • 采用基于 AMR 效應(yīng)的現(xiàn)代智能傳感器

磁阻效應(yīng)支持汽車內(nèi)的多種傳感器應(yīng)用。磁阻傳感器主要用來測(cè)量機(jī)械系統(tǒng)的速度和角度。這樣,磁阻傳感器就成為電氣元件、磁性元件和機(jī)械元件所組成的復(fù)雜系統(tǒng)的一部分。因?yàn)樗性紩?huì)影響系統(tǒng)的反應(yīng),所以在規(guī)劃系統(tǒng)及其操作時(shí)要非常重視對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的仿真。下面重點(diǎn)討論這種系統(tǒng)的建模和仿真。

電子技術(shù)的應(yīng)用日益廣泛,對(duì)汽車的發(fā)展具有決定性的促進(jìn)作用。未來的進(jìn)一步發(fā)展也會(huì)在很大程度上由不斷創(chuàng)新的電子元件驅(qū)動(dòng)。傳感器技術(shù)可檢測(cè)車輛及其周圍環(huán)境條件,因此具有特殊意義。有多種傳感器系統(tǒng)可用于此類目的,例如加速度傳感器、溫度傳感器或轉(zhuǎn)矩傳感器等。磁場(chǎng)測(cè)量傳感器在汽車內(nèi)尤其常見,主要用于機(jī)械變量的非接觸式檢測(cè)。通常這種傳感器通過霍爾元件,或者基于各向異性磁阻 (AMR) 效應(yīng)實(shí)現(xiàn)。與使用霍爾效應(yīng)的解決方案相比,AMR 傳感器有許多優(yōu)點(diǎn),例如抖動(dòng)更少、靈敏度更高。但在提高準(zhǔn)確性或降低整體系統(tǒng)成本方面,二者不分伯仲。除了在電子羅盤中利用磁阻傳感器測(cè)量地球磁場(chǎng)之外,尤其是借助磁場(chǎng)指示機(jī)械系統(tǒng)的運(yùn)動(dòng)和位置時(shí),可使用磁阻傳感器確定角度和速度。防滑系統(tǒng)、引擎和傳送控制都需要這種數(shù)據(jù)。產(chǎn)生磁場(chǎng)的永磁體的機(jī)械設(shè)計(jì)和選擇會(huì)在很大程度上影響測(cè)量數(shù)據(jù)的獲取。因此,在部署整個(gè)系統(tǒng)之前使用仿真技術(shù)進(jìn)行深入分析非常重要,以確保達(dá)到目標(biāo)功能并降低成本。因此,在前期開發(fā)過程中建立系統(tǒng)模型,之后用于支持后續(xù)產(chǎn)品的開發(fā),對(duì)于解決設(shè)計(jì)過程中產(chǎn)生的這類問題也能發(fā)揮重要作用。下文將探討新型速度傳感器的整體系統(tǒng)建模和仿真。

圖 1 AMR 傳感器系統(tǒng)包含兩個(gè)封裝
 

圖 2 各向異性磁阻效應(yīng)

信號(hào)檢測(cè)


現(xiàn)代傳感器系統(tǒng)主要由兩個(gè)元件組成 —基本傳感器和信號(hào)處理專用集成電路 (ASIC)(圖 1)?,F(xiàn)已證明,后來由 Lord Klevin 于 1857 年發(fā)現(xiàn)的各向異性磁阻效應(yīng)特別適用于檢測(cè)磁場(chǎng)。首先考慮通常具有多種磁疇結(jié)構(gòu)的鐵磁性材料。這些稱之為韋斯磁疇的結(jié)構(gòu),其內(nèi)部磁化的方向彼此不同。如果將這種材料平鋪為一薄層,那么磁化矢量處于材料層平面方向。另外,可較精確地假設(shè)只存在一個(gè)磁疇。當(dāng)這種元件暴露于外部磁場(chǎng)中時(shí),后者會(huì)改變內(nèi)部磁化矢量的方向。如果同時(shí)一股電流通過該元件,就會(huì)產(chǎn)生電阻(圖 2),這取決于電流和磁化之間的角度。當(dāng)電流和磁化方向彼此成直角時(shí),電阻最小,當(dāng)二者平行時(shí),電阻最大。電阻變化的大小取決于材料。鐵磁性材料的性質(zhì)也決定對(duì)溫度的依賴性。電阻最大變化為 2.2% 并且對(duì)溫度變化反應(yīng)良好的最佳合金是 81% 的鎳和 19% 的鐵組成的合金。恩智浦所有傳感器系統(tǒng)中的基本傳感器都采用這種強(qiáng)磁鐵鎳合金。在惠斯登電橋電路中單獨(dú)配置幾個(gè) AMR 電阻,以增強(qiáng)輸出信號(hào)并改善溫度反應(yīng)特性。此電路也可在制造過程中進(jìn)行微調(diào)。圖 3 顯示如何在裸片上配置 AMR 元件。
[page]
確定速度的裝置多半由兩個(gè)組件組成:編碼器輪和傳感器系統(tǒng)。編碼器輪可以是主動(dòng)式或被動(dòng)式。主動(dòng)輪已磁化,因此 MR 傳感器可檢測(cè)北極和南極之間的變化。如果是被動(dòng)輪,則由一種齒狀結(jié)構(gòu)代替磁化。如圖 1 所示,傳感器頭上也必須有一塊用于產(chǎn)生磁場(chǎng)的永磁體。接下來,我們只討論因公差極小而著稱的被動(dòng)編碼器輪。當(dāng)傳感器對(duì)稱地面對(duì)一個(gè)齒或者被動(dòng)輪兩齒之間的空隙時(shí),這不會(huì)使 AMR 元件的磁化矢量產(chǎn)生任何偏斜。忽略外部噪聲場(chǎng)并考慮橋電路時(shí),輸出信號(hào)獲得零值。然而,如果傳感器頭處于齒邊緣前面,則磁輸入信號(hào)達(dá)到極值。齒/空隙或空隙/齒切換類型的函數(shù)結(jié)果與磁輸入信號(hào)正弦曲線的最小值或最大值非常接近。

信號(hào)處理


為了確定速度,將磁輸入信號(hào)編碼處理為電脈沖序列,而且通常通過 7/14 mA 協(xié)議傳送。在最簡(jiǎn)單的情況下,可使用比較器產(chǎn)生脈沖序列。通常會(huì)向比較器電路添加磁滯以消除低噪聲的影響。然而,這種施密特觸發(fā)器在噪聲水平較高的條件下不能確保其功能性。例如,傳感器頭和編碼器輪之間空隙出現(xiàn)顯著波動(dòng)會(huì)導(dǎo)致磁輸入信號(hào)振幅發(fā)生波動(dòng)。如果振幅變得很小,甚至不再超過或低于磁滯臨界值,則不管編碼器輪的位置如何,輸出信號(hào)都保持其有效工作時(shí)的最后狀態(tài)。在檢測(cè) ABS 系統(tǒng)中的轉(zhuǎn)速時(shí),傳感器和編碼器輪之間的距離可能會(huì)出現(xiàn)這種變化。當(dāng)存在負(fù)載變化(例如突然轉(zhuǎn)向動(dòng)作),橫向作用于輪上的離心力會(huì)在輪軸上產(chǎn)生彎曲力矩。這將改變安裝在與傳感器相關(guān)的軸上的編碼器輪的位置,這些傳感器是與輪懸架相結(jié)合的。

磁位移也會(huì)影響系統(tǒng)的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。例如,噪聲場(chǎng)可使實(shí)際測(cè)量信號(hào)加強(qiáng)或減弱,致使施密特觸發(fā)器的臨界值被高估或低估。然而,位移不僅是由外部場(chǎng)引起的。被動(dòng)輪極高的速度可使輪中產(chǎn)生渦流,而這又會(huì)產(chǎn)生磁噪聲場(chǎng)。所產(chǎn)生的位移會(huì)影響操作的可靠性。

為消除此噪聲對(duì)輸出信號(hào)的影響,另一封裝中裝入了信號(hào)處理專用集成電路(ASIC)。后者也包含一個(gè)線路驅(qū)動(dòng)器,以便為信號(hào)處理和高電壓接口提供電源電壓(圖 1)。圖 4 所示為信號(hào)處理架構(gòu)。用于故障排除的中心元件為包括調(diào)式放大器、偏移抵消電路和智能比較器。根據(jù)傳感器和編碼器輪之間的距離,可調(diào)式放大器可以與信號(hào)級(jí)匹配。對(duì)于偏移抵消電路,有一種控制系統(tǒng)(與高通濾波器不同)可消除偏移,同時(shí)將系統(tǒng)頻率保持為 0?Hz。否則,就不可能檢測(cè)到停止不動(dòng)的編碼器輪。智能比較器的臨界值是可變的,并且可設(shè)置,使磁滯處于信號(hào)振幅的 20% 和 45% 之間。這可確保充分抑制噪聲,而且振幅突降達(dá) 50% 也不會(huì)影響系統(tǒng)的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。模擬前端的個(gè)別組件控制則通過數(shù)字接口實(shí)現(xiàn)。所述系統(tǒng)均利用仿真技術(shù)開發(fā)和驗(yàn)證。下文將概略介紹系統(tǒng)開發(fā),同時(shí)闡述如何使用模型來改進(jìn)設(shè)計(jì)。

圖 3 裸片上的 AMR 元件配置
 

圖 4 現(xiàn)代速度傳感器的信號(hào)處理原理
 [page]

圖 5 網(wǎng)格 — 磁場(chǎng)有限元模擬的起點(diǎn)
[page]
系統(tǒng)仿真


要開發(fā)傳感器系統(tǒng),首先必須對(duì)預(yù)期的磁輸入信號(hào)有一個(gè)總體了解。首先要了解編碼器輪和傳感器頭上永磁體的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,以及預(yù)期尺寸和公差。通過 ANSYS 方法進(jìn)行 FEM 仿真可確定磁場(chǎng)。這里就有對(duì)編碼器輪、傳感器元件和磁體進(jìn)行建模的問題(圖 5)。然后便可根據(jù)傳感器元件和編碼器輪之間的距離,確定與之呈函數(shù)關(guān)系的磁場(chǎng)強(qiáng)度。圖 6 是傳感器橋上的磁輸入信號(hào)與距離呈函數(shù)關(guān)系的三維圖示。很容易看出輸入信號(hào)呈正弦曲線,信號(hào)振幅隨距離增加而明顯減小。除了距離之外,位置偏離也會(huì)導(dǎo)致振幅減小。例如,如果傳感器頭不在編碼器輪前面的中心位置,那么信號(hào)振幅也會(huì)減小。根據(jù) FEM仿真方法,這樣也可將機(jī)械規(guī)范轉(zhuǎn)化成預(yù)期磁變量。與氣隙變化不同,傾斜會(huì)導(dǎo)致偏移,這同樣會(huì)影響系統(tǒng)的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。FEM 仿真也可以預(yù)估其造成的影響(圖 7),而且結(jié)果可直接轉(zhuǎn)化為可容許的位置公差。

確定磁場(chǎng)之后是傳感器系統(tǒng)仿真。AMR 元件的電阻變化是各向異性磁阻效應(yīng)的直接結(jié)果。這樣,磁場(chǎng)仿真的結(jié)果會(huì)導(dǎo)致代表信號(hào)處理中輸入信號(hào)的電阻發(fā)生變化。對(duì)模擬前端進(jìn)行建??刹捎?Simulink。這種行為模型是概念設(shè)計(jì)的產(chǎn)物,標(biāo)志著產(chǎn)品開發(fā)的起點(diǎn)。每個(gè) Simulink 塊對(duì)應(yīng)一個(gè)模擬信號(hào)處理組件,例如放大器或過濾器。但是,尚未考慮模擬組件的控制部分,這由數(shù)字系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)。HDL 設(shè)計(jì)則仿真通過數(shù)字方法實(shí)現(xiàn)的功能,而且在完成產(chǎn)品開發(fā)之后就會(huì)最終成形。因此,整體系統(tǒng)仿真是 Simulink 對(duì)模擬組件的行為模型以及 ModelSim 對(duì) HDL 設(shè)計(jì)的共同仿真(圖8)??赏ㄟ^仿真從概念階段順利過渡到 HDL 設(shè)計(jì)及后續(xù)階段。在共同仿真中,可用 ModelSim 中部署的 Verilog 代碼逐漸代替 Simulink 參考模型,從而可逐項(xiàng)驗(yàn)證 HDL 設(shè)計(jì)??沙掷m(xù)進(jìn)行此過程,直到在 Verilog 中實(shí)現(xiàn)整個(gè)數(shù)字部件,而模擬系統(tǒng)部件仍保持為 Simulink 模型。此工具組合也已證明對(duì) IC 評(píng)估同樣有用。自始至終使用這種工具可以更容易理解 IC 行為,并可創(chuàng)建用來分析和解釋任何錯(cuò)誤的框架。這些工具的主要好處在于,能夠更快速、更準(zhǔn)確地答復(fù)客戶的查詢,以及更好地了解與環(huán)境條件相關(guān)的傳感器功能。

圖 6 與傳感器頭和編碼器輪間距離呈函數(shù)關(guān)系的磁輸入信號(hào)模擬


圖 7 為確定可容許的位置公差而進(jìn)行的磁場(chǎng)計(jì)算
 
圖 8 模擬前端和數(shù)字塊的共同仿真
[page]
結(jié)論

通過此項(xiàng)建模,可以分析與輸入信號(hào)呈函數(shù)關(guān)系的系統(tǒng)行為。圖 9 中的第一張圖表顯示通過改變傳感器和編碼器輪之間的距離而產(chǎn)生的磁輸入信號(hào)。此信號(hào)是有限元件仿真結(jié)果,之后 AMR 效應(yīng)可將此信號(hào)轉(zhuǎn)化成傳感器橋的電輸出信號(hào)。中間的圖表是模擬信號(hào)處理的結(jié)果。下面一張圖表顯示輸出信號(hào)。此器件使用 A 7/14/28 mA 協(xié)議。這種協(xié)議可用來傳送額外信息,例如感測(cè)旋轉(zhuǎn)或氣隙長度。除了這些結(jié)果之外,也可以檢查數(shù)字控制的運(yùn)行情況。圖 10 顯示的是 ModelSim 中的信號(hào)圖象實(shí)例。

通過MATLAB 進(jìn)行仿真控制并結(jié)合其他仿真器可創(chuàng)造更多選擇。首先,例如可使模擬自動(dòng)化。然后可以使用大量算法在 MATLAB 中進(jìn)行信號(hào)仿真。例如,對(duì)所需系統(tǒng)和信號(hào)參數(shù)進(jìn)行蒙特卡羅 (Monte Carlo) 仿真,隨后進(jìn)行自動(dòng)化分析。通過 FEM 仿真器(例如 NASYS),可以擴(kuò)展所仿真的系統(tǒng)組件,甚至包括 MR 傳感器頭和相關(guān)編碼器,從而將系統(tǒng)視圖擴(kuò)展到傳感器周圍直接相關(guān)的區(qū)域。圖 11 顯示的是用于此目的的整個(gè)工具鏈。
 

圖 9 模擬結(jié)果:電輸出信號(hào)比對(duì)磁輸入信號(hào)
 
圖 10 數(shù)字系統(tǒng)元件的仿真

圖 11 完整的仿真鏈

總結(jié)

許多汽車應(yīng)用中都采用基于 AMR 效應(yīng)的現(xiàn)代智能傳感器。對(duì)傳感器系統(tǒng)的要求自然會(huì)因應(yīng)用而異。在部署整個(gè)系統(tǒng)之前先進(jìn)行系統(tǒng)仿真可確保各項(xiàng)功能符合規(guī)范。假設(shè)發(fā)現(xiàn)磁變量、機(jī)械變量和電變量之間存在復(fù)雜的相互影響,只用一件簡(jiǎn)單的仿真工具不能解決問題。此時(shí)需要結(jié)合使用不同工具,每件工具都是針對(duì)特定任務(wù)的最佳解決方案。因此使用磁場(chǎng)仿真器來確定磁輸入信號(hào),同時(shí)Simulink對(duì)模擬輸入進(jìn)行仿真。HDL設(shè)計(jì)之后對(duì)模擬部件進(jìn)行數(shù)字控制仿真。最終整個(gè)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)全面仿真。建模已成為預(yù)開發(fā)的一部分,并隨著產(chǎn)品開發(fā)的進(jìn)程不斷優(yōu)化改進(jìn)。最后就會(huì)得到經(jīng)過驗(yàn)證確認(rèn)符合產(chǎn)品規(guī)范的設(shè)計(jì),以及可用來解決后續(xù)問題的模型,作為市場(chǎng)支持的一部分?!  ?div>要采購傳感器么,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!

上一篇:串聯(lián)電池電壓及溫度測(cè)量方法研究

下一篇:燃料電池車用大功率DC/DC變換器電磁兼容性研究

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
充電器 充電樁 觸控屏 觸控顯示 觸摸開關(guān) 傳感技術(shù) 傳感器 傳感器模塊 船型開關(guān) 串聯(lián)電阻公式 創(chuàng)智成 磁傳感器 磁環(huán)電感 磁敏三極管 磁性存儲(chǔ)器 磁性元件 磁珠電感 存儲(chǔ)器 大功率管 單向可控硅 刀開關(guān) 等離子顯示屏 低頻電感 低通濾波器 低音炮電路 滌綸電容 點(diǎn)膠設(shè)備 電池 電池管理系統(tǒng) 電磁蜂鳴器
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉