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淺談存儲(chǔ)器芯片封裝技術(shù)的挑戰(zhàn)
存儲(chǔ)器想必大家已經(jīng)非常熟悉了，大到物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器終端，小到我們?nèi)粘?yīng)用的手機(jī)、電腦等電子設(shè)備，都離不開(kāi)它。作為計(jì)算機(jī)的“記憶”裝置，其主要功能是存放程序和數(shù)據(jù)。一般來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器可分為兩類：易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。其中，“易失性存儲(chǔ)器”是指斷電以后，內(nèi)存信息流失的存儲(chǔ)器，例如DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），包括電腦中的內(nèi)存條。
2020-12-10
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快速的DDR4 SDRAM開(kāi)創(chuàng)宇航新時(shí)代
為了發(fā)掘宇航市場(chǎng)的潛力，衛(wèi)星運(yùn)營(yíng)商正通過(guò)提供增值服務(wù)，如超高分辨率成像、流媒體視頻直播和星上人工智能，提升星上處理的能力以減少下行鏈路的需求。從2019年到2024年，高吞吐量載荷的市場(chǎng)需求預(yù)計(jì)增長(zhǎng)12倍，帶寬增加至26500 Gbps。
2020-11-13
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AntMicro開(kāi)源DRAM控制器添加對(duì)RPC DRAM的支持
物聯(lián)網(wǎng)是從半導(dǎo)體技術(shù)的小型化中受益匪淺的領(lǐng)域之一，因?yàn)楦嗟挠?jì)算能力可以被封裝到越來(lái)越小的設(shè)備中。由于體積縮小、功耗降低，各種設(shè)備（包括支持人工智能的設(shè)備）的應(yīng)用方式在幾年前是不可能實(shí)現(xiàn)的。這一領(lǐng)域最令人興奮的發(fā)展之一是RPC（reduced pin count）DRAM的出現(xiàn)，這是一種小尺寸的存儲(chǔ)器，Antmicro已經(jīng)開(kāi)發(fā)了對(duì)開(kāi)源內(nèi)存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
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【科普小課堂】工業(yè)級(jí)VS消費(fèi)級(jí)，一文讀懂存儲(chǔ)小秘密
面對(duì)眾多類型的高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品時(shí)，你是否曾有過(guò)“選擇困難”？遇到DRAM、存儲(chǔ)卡和固態(tài)硬盤(pán)時(shí)，你是否也曾傻傻分不清楚？沒(méi)關(guān)系，以后你不必再為此苦惱。
2020-07-13
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識(shí)別
從20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)計(jì)中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計(jì)中漏電流造成的問(wèn)題也會(huì)導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。
2020-04-08
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DRAMless并非永遠(yuǎn)代表低預(yù)算
閃存控制器的設(shè)計(jì)要么具有外部 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）接口，要么就沒(méi)有具備。一旦部署在其應(yīng)用程序中，像是SSD和其他閃存設(shè)備（如USB磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器）中，具有DRAM的設(shè)備通?？梢蕴峁┹^高的性能。這通常是隨機(jī)性能。
2020-02-13
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路由器主板布局布線的幾個(gè)坑，你踩過(guò)嗎？
路由器是家家戶戶的必備品，其主板包含了USB、LAN、SDRAM、2.4G、WIFI等模塊，這些模塊當(dāng)中涉及的的點(diǎn)有RF、USB Differential、ESD、WIFI、50歐姆阻抗、90歐姆阻抗等等，今天就路由器布局布線需要注意的點(diǎn)做個(gè)簡(jiǎn)單的探討。
2019-07-25
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這款高效又緊湊的電源解決方案，用過(guò)的設(shè)計(jì)師們都說(shuō)好
系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員被要求生產(chǎn)更小、效率更高的電源解決方案，以滿足所有行業(yè)SoC和FPGA的高耗電需求。在先進(jìn)的電子系統(tǒng)中，因?yàn)殡娫幢仨毞旁赟oC或其外圍設(shè)備（如DRAM或I/O設(shè)備）附近，因此電源封裝的可占用空間至關(guān)重要。在便攜式儀器中，如手持條碼掃描儀或醫(yī)療數(shù)據(jù)記錄儀系統(tǒng)，空間更為緊湊。
2019-07-11
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CMOS圖像傳感器的3D堆疊技術(shù)
為了加速影像數(shù)據(jù)處理， 業(yè)界研發(fā)了在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)影像傳感器中配備嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，推出了配備DRAM的三層堆疊式CMOS影像傳感器，SONY是最早發(fā)布這一產(chǎn)品的廠家，這款型號(hào)為IMX400的三層堆疊式感光元件(Exmor RS)是專為智能手機(jī)而打造的。
2018-06-26
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是時(shí)候?qū)ふ业统杀?span id="goqaoqa" class='red'>DRAM替代方案了
2017年是DRAM需求強(qiáng)勁成長(zhǎng)的一年。過(guò)去三年來(lái)，平面DRAM微縮已經(jīng)大幅減緩了。DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng)，并為廠商創(chuàng)造了新的利潤(rùn)記錄。就像石油危機(jī)一樣，在DRAM危機(jī)下，客戶必須為DRAM付出了更多代價(jià)。因此，現(xiàn)在是時(shí)候?qū)ふ业统杀咎娲桨噶恕?/p>
2018-01-10
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讓超頻性能倍增的新型DRAM存取技術(shù)
毫無(wú)疑問(wèn)，微處理器的頻率可以通過(guò)許多方式大幅增加，但卻受限于主存儲(chǔ)器的性能而必須降低其頻率來(lái)維持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文作者通過(guò)對(duì)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的存取技術(shù)，可望提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)單元的訪問(wèn)速度。
2018-01-04
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DRAM技術(shù)的極限在哪里？
過(guò)去二十年來(lái)，基于 DRAM 的計(jì)算機(jī)內(nèi)存的存取帶寬已經(jīng)提升了 20 倍，容量增長(zhǎng)了 128 倍。但延遲表現(xiàn)僅有 1.3 倍的提升，卡內(nèi)基梅隆大學(xué)的研究者 Kevin Chang 如是說(shuō)，他提出了一種用于解決該問(wèn)題的新型數(shù)據(jù)通路…
2017-12-20
- X-CUBE-STL：支持更多STM32， 揭開(kāi)功能安全的神秘面紗
- 大聯(lián)大世平集團(tuán)的駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)（DMS）方案榮獲第六屆“金輯獎(jiǎng)之最佳技術(shù)實(shí)踐應(yīng)用”獎(jiǎng)
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