雖然增強(qiáng)型FET比耗盡型FET的應(yīng)用要廣泛得多，但耗盡型FET尤其是JFET在模擬設(shè)計(jì)中仍占一席之地。增強(qiáng)型 MOSFET 器件需要能量來(lái)供電，而耗盡型器件需要能量“停止”供電，這是它們的主要區(qū)別。

 目前市場(chǎng)上有6種不同類型的場(chǎng)效應(yīng)管（FET），在兩類主要的FET中，增強(qiáng)型FET比耗盡型FET的應(yīng)用要廣泛得多。但耗盡型FET尤其是JFET在模擬設(shè)計(jì)中仍占一席之地。

圖1：增強(qiáng)型N溝道MOSFET。

如圖1所示，增強(qiáng)型MOSFET用作“常閉”壓控電子閥門。在沒(méi)有柵極偏置電壓時(shí)，沒(méi)有電流流動(dòng)。當(dāng)有電壓施加于MOSFET的柵極時(shí)，在P基板中形成誘發(fā)的溝道，電流開始流動(dòng)，如圖1的特征曲線所示。

圖2：耗盡型N溝道JFET。

   圖1所示的增強(qiáng)型MOSFET和圖2所示的耗盡型JFET之間的主要區(qū)別是，增強(qiáng)型MOSFET需要能量才能提供電源，而耗盡型器件要求用能量去“停止”供電。由于JFET具有“自我實(shí)現(xiàn)”（self-actualization）的特性，對(duì)于電路初始啟動(dòng)期間能量不足的應(yīng)用，JFET特別適合。在這些應(yīng)用中，由于輸入電壓過(guò)小，因而無(wú)法提供足夠的偏置電壓使增強(qiáng)型器件工作。

   這種器件的一個(gè)例子是工作于極低電壓軌的電源電路，比如采用單節(jié)電池供電的電路。很多情況下，電源需要從極低的電壓軌產(chǎn)生較高的電壓，但不必提供很大的電流。這類電源可以用來(lái)產(chǎn)生“喚醒”電壓軌，以便在啟動(dòng)時(shí)喚醒其它電路；當(dāng)電路需要更高的電壓而電壓軌不能滿足、而且只需低到中等電流時(shí)，可以使用這類電源給電路供電。

   如圖3所示，這樣的電源有兩個(gè)主要元素：一個(gè)是從很低電壓軌蘇醒過(guò)來(lái)的方法，但不能激活大多數(shù)增強(qiáng)型（常閉）器件，一個(gè)是能夠產(chǎn)生高于輸入電壓的電壓。

圖3：JFET低輸入電壓反激電源。

第一個(gè)條件可以通過(guò)使用JFET來(lái)滿足。如前所述，當(dāng)沒(méi)有施加控制電壓時(shí)，JFET將導(dǎo)通，允許電流在初始低電壓狀態(tài)下流動(dòng)。在時(shí)間t=0時(shí)，電流開始在成對(duì)的JFET Q7和Q8之間流動(dòng)，進(jìn)而在反激變壓器T1的次級(jí)繞組中感應(yīng)到電壓。當(dāng)在T1次級(jí)的反相端產(chǎn)生足夠的負(fù)電壓并達(dá)到Q7和Q8 JFET的“關(guān)斷”電壓時(shí)，這兩個(gè)JFET將關(guān)斷。這將導(dǎo)致初級(jí)電流緩慢地停止流動(dòng)，次級(jí)電壓逐漸下降到JFET Q7和Q8的柵極電壓開始再次接近0V的點(diǎn)。在這個(gè)點(diǎn)它們將再次導(dǎo)通，整個(gè)振蕩過(guò)程得以繼續(xù)。這個(gè)過(guò)程如圖4和圖5所示。

U2會(huì)不斷監(jiān)視電壓的上升。U2是一個(gè)比較器，用于監(jiān)視輸出電壓，驅(qū)動(dòng)Q9導(dǎo)通來(lái)關(guān)閉振蕩，并將電壓拉到由LTC1440比較器芯片的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓設(shè)定的規(guī)定參考值。參見(jiàn)圖4和圖5，它們來(lái)自實(shí)際的JFET評(píng)估板。圖4顯示的是次級(jí)線圈反相側(cè)的振蕩和控制信號(hào)，圖5顯示的是初級(jí)線圈的同相側(cè)。在開關(guān)周期的啟動(dòng)過(guò)程中，輸出電壓不斷爬升，而在開關(guān)周期的關(guān)閉過(guò)程中，振蕩停止，電壓下降。

圖4：輸出電壓測(cè)試點(diǎn)TP9。

圖5：輸出電壓測(cè)試點(diǎn)12。

控制方法

D7通過(guò)一對(duì)低前向壓降的肖特基二極管對(duì)振蕩器輸出進(jìn)行整流，C6和/或C5為輸出提供保持電容。值得注意的是Q6的功能。MOSFET提供輸出上升期間與負(fù)載的隔離。只有當(dāng)振蕩達(dá)到足夠的且可持續(xù)的輸出時(shí)，才允許電流流向負(fù)載。

這種控制方法是一種簡(jiǎn)單的“繼電器式”控制方法。振蕩不斷增加，直到輸出分壓器上的電壓達(dá)到LTC1440比較器的內(nèi)部電壓基準(zhǔn)。當(dāng)達(dá)到或超過(guò)閾值時(shí)，振蕩被關(guān)閉，直到輸出電壓降低到控制基準(zhǔn)以下。開-關(guān)振蕩周期取決于輸入供電電壓值（可能低于1V）和輸出負(fù)載。為了演示，將一個(gè)50kΩ的電位器串聯(lián)一個(gè)3kΩ的電阻用作測(cè)試負(fù)載。所有示波器圖形都是在負(fù)載為3kΩ、輸入供電電壓為1V時(shí)捕獲的；然而經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，在輕負(fù)載時(shí)，電路將在不到0.5V和供電電壓軌處工作。

雖然前面所述的簡(jiǎn)單JFET電源具有在極低輸入源條件下工作的優(yōu)勢(shì)，但它卻存在靜態(tài)電流消耗相對(duì)較高的問(wèn)題。在（這種電路特別有用的）電池供電應(yīng)用中，這不是一個(gè)好的特性。在次級(jí)線圈低側(cè)增加一個(gè)額外的FET開關(guān)（該開關(guān)由控制比較器驅(qū)動(dòng)的高阻抗觸發(fā)器觸發(fā)），可以消除在電源周期關(guān)閉階段的低阻抗路徑，極大地減小供電電路的靜態(tài)電流。這樣就能取得更高的效率，代價(jià)只是稍微增加了復(fù)雜性。

圖6：低靜態(tài)電流JFET升壓轉(zhuǎn)換器。

圖7：位于測(cè)試點(diǎn)TP7的Vout脈沖控制信號(hào)。

在性能方面，除靜態(tài)電流消耗外，這個(gè)低靜態(tài)電流轉(zhuǎn)換器類似于更簡(jiǎn)單的轉(zhuǎn)換器。如圖7所示，當(dāng)JFET振蕩器運(yùn)行時(shí)，輸出電壓上升，直到比較器控制電路關(guān)閉振蕩器，同時(shí)電壓也一直下降到下個(gè)周期，就像前面介紹的簡(jiǎn)單轉(zhuǎn)換器一樣。