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用于二次監(jiān)視雷達航空應用的RF晶體管

發(fā)布時間:2012-09-12 責任編輯:abbywang

【導讀】航天、軍工的產品級別總是高于一般商用,高可靠性和對溫度的高要求,并不是每個商用級別的廠商可以輕易達到的。Microsemi發(fā)布用于二次監(jiān)視雷達航空應用的RF晶體管,可以提供700W峰值功率,21dB功率增益,以及1030 Mhz下70% 漏極效率,以期降低總體漏極電流和熱耗散。


致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布推出用于大功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二次監(jiān)視無線電 (secondary surveillance radio, SSR)應用的射頻(RF)晶體管系列中的首款產品1011GN-700ELM。SSR用于發(fā)送信息至裝備有雷達應答器的飛機并收集信息,允許航空交通控制系統識別、跟蹤和測量特定飛機的位置。美高森美新型700W峰值1011GN-700ELM器件的工作頻率為1030MHz,并且支持短脈沖和長脈沖擴展長度信息(extended length message, ELM) 。新型晶體管基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC) 技術,這項技術特別適合大功率電子應用。

美高森美公司RF集成系統產品部門副總裁David Hall表示:“我們積極推進下一代GaN on SiC功率器件的開發(fā),把握不斷增長的更高性能航天和軍事應用的機會。通過發(fā)布新產品,我們現在提供功率為250、500和700W的高可靠性GaN on SiC晶體管,用于二次監(jiān)控雷達搜索和跟蹤應用。我們還在研發(fā)多個其它GaN on SiC晶體管產品,將于今年稍后時間推出。”

美高森美即將推出的產品包括多個用于L,S和C波段雷達系統的高脈沖功率GaN on SiC晶體管,還提供一整套GaN微波功率器件,包括S波段雷達型款:2729GN-150,2729GN-270,2731GN-110M,2731GN-200M,3135GN-100M,3135GN-170M,2735GN-35M和2735GN-100M。正在開發(fā)的數款新產品包括用于涵蓋960-1215 MHz的L波段航空電子產品;涵蓋1200-1400MHz的L波段雷達,以及涵蓋2.7-2.9 GHzS波段雷達的較大功率器件。

關于1011GN-700ELM RF晶體管

1011GN-700ELM晶體管具有無與倫比的性能,包括700W峰值功率,21dB功率增益,以及1030 Mhz下70% 漏極效率,以期降低總體漏極電流和熱耗散,其它的主要產品特性包括:

短脈沖和長脈沖間歇模式: ELM =  2.4 ms, 64%和6.4% LTD
出色的輸出功率: 700W
高功率增益: >21 dB最小值
受控的動態(tài)范圍:增量1.0dB,總計15 dB
漏極偏壓 - Vdd: +65V

使用GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實現的系統優(yōu)勢包括:

采用簡化阻抗匹配的單端設計,替代需要附加合成的較低功率器件
較高峰值功率和功率增益,用于減少系統功率放大級數和最終功率級合成
單級配對提供帶有余量的1.3kW功率,四路結合提供4 kW的總體系統功率
65V的高工作電壓,減小電源尺寸和直流電流需求
極高的穩(wěn)健性,提高系統良率
放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS工藝器件減小50%

封裝和供貨

1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨,采用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線,實現長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數周,但鑒于產品成本的緣故,不會提供免費的樣品。

關于美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation) 為通信、國防與安全、航天,以及醫(yī)療與工業(yè)市場提供業(yè)界綜合性的半導體與系統解決方案系列,包括混合信號集成電路、系統單芯片(SoC)與專用集成電路(ASICS)、可編程模擬解決方案、功率管理產品、時鐘與語音處理器件、射頻解決方案、分立組件,以及以太網供電(PoE)IC與中跨(Midspan)產品。美高森美總部設于美國加利福尼亞州Aliso Viejo,全球員工總數約3,000人。
 

 

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