MRFE6VP6300H的產品特性：

• 工作頻率1.8至600MHz
• 包含創(chuàng)新的靜電放電（ESD）保護技術

MRFE6VP6300H的應用范圍：

• 可用于推拉式或單端配置

飛思卡爾半導體推出一款R FLDMOS功率管，工作頻率為1.8至600MHz，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載中提供300W CW的全額定輸出功率。

MRFE6VP6300H產品是這個性能級別里唯一商用的50V LDMOS晶體管產品。有了這款新晶體管，CO2激光器、等離子體發(fā)生器、磁共振成像掃描儀和其他工業(yè)設備的制造商可以獲得前所未有的穩(wěn)定性和射頻功率性能。

MRFE6VP6300H可用于推拉式或單端配置，并放置在緊湊型NI780-4陶瓷封裝中。頻率為130兆赫時，該設備生成300W的CW輸出功率，增益為25分貝，效率達80%。該MRFE6VP6300H還包含創(chuàng)新的靜電放電（ESD）保護技術，這不僅使它成為第三類功率器件，還支持大的柵源電壓范圍（-6V至+10 V），因而在高效模式（如C類）下運行時能提高性能。