【導讀】本文是一份工程，描述了利用 InnoSwitch3-CE 系列 IC 中的 INN3168 的 1.5 A、30 V 輸出嵌入式電源。該設計展示了由于高集成度而可能實現(xiàn)的高功率密度和效率，同時仍然提供卓越的性能。
本文是一份工程，描述了利用 InnoSwitch3-CE 系列 IC 中的 INN3168 的 1.5 A、30 V 輸出嵌入式電源。該設計展示了由于高集成度而可能實現(xiàn)的高功率密度和效率，同時仍然提供卓越的性能。
電路說明
輸入 EMI 濾波
保險絲 F1 隔離電路并提供元件故障保護，共模扼流圈 L1 和 X 電容器 C1 提供 EMI 衰減。橋式整流器 BR1 對交流線路電壓進行整流，并在輸入電容器 C2 上提供全波整流直流電。電容器C6 提供共模噪聲濾除。
InnoSwitch-CE初級
變壓器初級的一端連接至整流直流母線，另一端連接至 InnoSwitch3-CE IC (U1) 內(nèi)部的集成功率 MOSFET。由于變壓器漏感的影響，由 D1、R4、R3 和 C3 形成的低成本 RCD 鉗位限制了峰值漏極電壓。該 IC 是自啟動的，在首次施加交流電時，使用內(nèi)部高壓電流源為 BPP 引腳電容器 C5 充電。在正常操作期間，初級側(cè)模塊由變壓器上的輔助繞組供電。其輸出配置為反激式繞組，使用二極管 D2 和電容器 C4 進行整流和濾波，并通過限流電阻器 R5 饋入 BPP 引腳。
電阻器 R6、R7 和 R8 提供線電壓檢測并向 U1 提供電流，該電流與電容器 C2 兩端的直流電壓成正比。在大約 100 V DC 時，流經(jīng)這些電阻器的電流超過線路欠壓閾值，從而使能 U1。在大約 420 V DC 時，流經(jīng)這些電阻器的電流超過線路過壓閾值，從而導致 U1 禁用。
InnoSwitch-CE IC 次級
InnoSwitch-CE 的次級側(cè)提供輸出電壓、輸出電流感應并驅(qū)動 MOSFET，從而提供同步整流。
IC 的次級側(cè)通過次級繞組正向電壓或輸出電壓自供電。輸出電壓為器件供電，通過 VR2 饋入 VO 引腳，從而保護 VO 引腳不達到 27V 額定值，因為輸出額定電壓為 30V。它將通過內(nèi)部穩(wěn)壓器為去耦電容器 C7 充電。
OVP 檢測齊納二極管 VR3 通過 R16 提供次級側(cè)輸出過壓保護。電阻器 R13 和 R14 形成檢測輸出電壓的分壓器網(wǎng)絡。INN3168C IC 具有 1.265 V 的內(nèi)部基準。電容器 C9 可對影響電源運行的高頻噪聲進行去耦。輸出電流由 R10 檢測，閾值約為 35 mV，以減少損耗。一旦超過這些電阻器上的電流檢測閾值，該器件就會調(diào)整開關脈沖的數(shù)量以維持固定的輸出電流。電容器 C8 保護 U1 免受 ESD 影響。
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