看懂MOSFET產(chǎn)品說(shuō)明書,第4部分 —— 脈沖電流額定值
發(fā)布時(shí)間:2020-04-03 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】歡迎場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的愛(ài)好者們?cè)俣裙馀R,閱讀“了解MOSFET產(chǎn)品說(shuō)明書”博客系列的第四部分!今天,筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在FET產(chǎn)品說(shuō)明書的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們的。
產(chǎn)品說(shuō)明書首頁(yè)上出現(xiàn)的脈沖電流額定值(IDM)與連續(xù)電流額定值很相似,因?yàn)樗且粋€(gè)理論上的計(jì)算值。然而,與連續(xù)電流額定值不同的是,IDM只是作為熱約束條件(從正在標(biāo)準(zhǔn)化的RθJC到給定的脈沖持續(xù)時(shí)間以及“絕對(duì)最大額定值”表的腳注中明確規(guī)定的占空比)的函數(shù)被計(jì)算出來(lái)的。
以最近發(fā)布的CSD17579Q5A 30V N通道MOSFET為例。該部件的產(chǎn)品說(shuō)明書規(guī)定了105A的最大脈沖電流額定值,基本條件是脈沖持續(xù)時(shí)間小于或等于100μs,占空比小于或等于1%。為確定用于計(jì)算IDM的瞬態(tài)熱阻抗,我們將參閱下面圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)化熱阻抗曲線。如果我們?cè)诿}沖持續(xù)時(shí)間為100μs時(shí)看1%的占空比(棕色)線,得到的標(biāo)準(zhǔn)化因數(shù)為0.12,我們將用它來(lái)計(jì)算最大功率,并由此計(jì)算出該器件在這樣的脈沖持續(xù)時(shí)間和占空比條件下可處理的電流。計(jì)算這個(gè)值要用0.12乘以最大直流(DC)RθJC(4.3?C/W),得出的瞬態(tài)ZθJC為0.52?C/W。
圖1:CSD17579Q5A標(biāo)準(zhǔn)化瞬態(tài)熱阻抗曲線
使用這個(gè)熱阻抗值并計(jì)算最大電流(就像我們計(jì)算其對(duì)應(yīng)的連續(xù)電流那樣),我們將計(jì)算出的熱限制電流為119A。但是請(qǐng)稍等!產(chǎn)品說(shuō)明書規(guī)定的是105A!那怎么辦呢?如果您瞧瞧圖2在下面所展示的該器件的安全工作區(qū)(SOA),可以看出100μs的線在達(dá)到119A前實(shí)際上碰到了RDS(ON)的極限值。這個(gè)交點(diǎn)出現(xiàn)在105A處。所以,在這樣的情況下,我們將追溯性地減小絕對(duì)最大脈沖電流,因?yàn)樵撈骷腞DS(ON)的物理極限值將限制該器件,使其不能達(dá)到熱極限值。
圖2:CSD17579Q5A安全工作區(qū)
我們?yōu)槌霈F(xiàn)在SOA的每個(gè)較大脈沖計(jì)算出電流極限值(前提條件是它們不會(huì)先碰到RDS(ON)的極限值),這個(gè)值就是那些曲線的上限。
因?yàn)榻^對(duì)最大電流完全是理論上的,所以在發(fā)布該部件之前,我們將嘗試獲得一些硬數(shù)據(jù)來(lái)進(jìn)一步使自己確信:該部件有能力處理這么大的功率。遺憾的是,我們最好的電路板和測(cè)試儀也只能使器件的最大脈沖電流達(dá)到400A,這就是那個(gè)值能一直為我們發(fā)布的所有器件充當(dāng)人為設(shè)置的上限的原因。一些供應(yīng)商規(guī)定了類似的上限,然而其它供應(yīng)商并不以這樣一種方式限制自己。雖然您永遠(yuǎn)不會(huì)看到TI給FET定超過(guò)400A的IDM,(無(wú)論是在首頁(yè)還是在SOA),但下面的表1卻向您展示了在這個(gè)CSD17570Q5B(一種具有極低RDS(ON)(最大值僅為0.69mΩ)和熱阻抗(0.8?C/W)的部件)的例子中,理論上的脈沖電流額定值可以高得多么離譜。這用實(shí)例說(shuō)明了如果不同的供應(yīng)商不認(rèn)真對(duì)待功能參數(shù)(如脈沖持續(xù)時(shí)間)并忽略測(cè)試該器件時(shí)的實(shí)際極限值,它們?nèi)绾文茉诳涫玖溯^高的額定值后不被發(fā)覺(jué)。
表1:計(jì)算的CSD17570Q5B脈沖電流
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