圖1
圖2
測(cè)試方法的方法是:次級(jí)開路,初級(jí)測(cè)并聯(lián)電容,頻率100kHZ。
使用到的變壓器繞發(fā)是:
變壓器初級(jí)6匝,初級(jí)6匝中間密繞,1.5mm特氟龍線;次級(jí)18匝,次級(jí)0.5mm特氟龍線繞滿一層,貼近骨架在最里層。
[page]
可以確定的是,波形是沒有錯(cuò)誤的,波形的異常是由IGBT拖尾造成的,換MOSFET即可。下面的表格中總結(jié)了MOSFET和IGBT的開關(guān)時(shí)間。
第一個(gè)表格是MOSFET的開關(guān)時(shí)間,第二個(gè)表格是IGBT的開關(guān)時(shí)間,只有關(guān)斷延時(shí)時(shí)間長(zhǎng)一些,其他三個(gè)時(shí)間差不多,那么這些關(guān)斷延時(shí)是否對(duì)初級(jí)電流的波形產(chǎn)生了影響?實(shí)際上,這些時(shí)間是電流降到額定10%的時(shí)間,實(shí)際上還有一條細(xì)長(zhǎng)尾巴,并且由于電流較小,所以這條尾巴就越發(fā)明顯。
在更換了MOSFET的型號(hào)之后,測(cè)量出來的波形如下圖所示:
圖3
有人也許會(huì)問,C內(nèi)阻大點(diǎn)是應(yīng)該發(fā)熱比較嚴(yán)重,不至于引起這么大的震蕩吧?
電源是給高壓大電容充電的,輸入220V直流,初級(jí)峰值電流10A。電流在圖上可以看到,振蕩部分遠(yuǎn)大于10A,采樣電阻10毫歐,震蕩峰值有30-40A,所以要選這么大管子。
如果是用幾個(gè)微秒的掃描時(shí)間去測(cè)量一個(gè)工頻電路基本都會(huì)顯示類似的震檔波形,其實(shí)這個(gè)波形是不真實(shí)的東西。只是一個(gè)無關(guān)緊要的瞬間斷續(xù)電流的信號(hào),如果用示波器兩通道把這個(gè)電流波形與正弦電壓波同時(shí)測(cè)量顯示出來,就比較容易看明白了。
相關(guān)閱讀:
提升反激電源輕載效率,搞懂四個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)即可
技術(shù)分享:反激電源及變壓器的最大占空比實(shí)現(xiàn)
多年開關(guān)電源設(shè)計(jì)心得:從印制板到反激電源