諸如歐盟耗能產(chǎn)品(ErP)指令等嚴(yán)格生態(tài)設(shè)計(jì)法規(guī)要求電視、膝上型及臺(tái)式電腦、熒光燈鎮(zhèn)流器和LED照明驅(qū)動(dòng)器等日常使用的產(chǎn)品提供極高能效。為了確保在產(chǎn)品級(jí)通過(guò)必要的批準(zhǔn),如在歐盟銷售的商品須獲得強(qiáng)制的CE標(biāo)志,新設(shè)計(jì)必須符合包括待機(jī)、部分負(fù)載或滿載條件的寬負(fù)載范圍能效目標(biāo)。
此外,設(shè)計(jì)人員也面臨符合以有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格提供高性能標(biāo)準(zhǔn)之市場(chǎng)需求的壓力。控制功率因數(shù)校正(PFC)(功率高于70W之應(yīng)用強(qiáng)制要求PFC)的集成電路(IC)集成越來(lái)越多的功能,通過(guò)減少電源元件數(shù)量及降低對(duì)電容等大體積、規(guī)格過(guò)高的器件的依賴,可以幫助滿足此要求。
有源PFC補(bǔ)償由電源導(dǎo)致、會(huì)增加電氣網(wǎng)絡(luò)內(nèi)熱量及干擾的線路電流諧波失真。由于對(duì)能效的顧慮已經(jīng)延伸,不僅涵蓋待機(jī)及降低功率模式,還包括滿額功率模式,傳統(tǒng)PFC控制工作的缺點(diǎn)就變得越來(lái)越受注目。采用臨界導(dǎo)電模式(CrM)工作的傳統(tǒng)PFC控制器的能效在電源輕載工作時(shí)往往會(huì)降低,如電器在待機(jī)模式下就是如此。
轉(zhuǎn)向數(shù)字PFC,還是不轉(zhuǎn)?
某些芯片制造商已將數(shù)字PFC作為克服此局限的出路。通過(guò)將感測(cè)模擬電壓轉(zhuǎn)換至數(shù)字域,然后應(yīng)用信號(hào)處理算法,數(shù)字控制器就不受線性特性的限制,在任何負(fù)載條件下都可以合成 極優(yōu)的輸出波形。不同模式下的能效取決于芯片制造商開(kāi)發(fā)的算法品質(zhì)。市場(chǎng)上近期推出的數(shù)字PFC控制器還集成了通過(guò)I2C等標(biāo)準(zhǔn)連接實(shí)現(xiàn)的診斷及用戶可編程等功能。
然而,有關(guān)模擬PFC將被數(shù)字PFC替代的傳言在過(guò)去已經(jīng)被證明是夸大其辭。在這種情況下,要想削弱傳統(tǒng)模擬PFC控制器的一些關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)可能還為時(shí)尚早。雖然制造商們聲稱數(shù)字PFC控制器相比模擬PFC控制器具有成本優(yōu)勢(shì),特別是在系統(tǒng)級(jí)考慮成本時(shí),但市場(chǎng)上的模擬PFC控制器的價(jià)格比最新數(shù)字PFC控制器更低。某些數(shù)字PFC控制器自推出第一代產(chǎn)品以來(lái),價(jià)格實(shí)際上已經(jīng)上漲。此外,最新模擬PFC控制器中集成的保護(hù)電路及輸入欠壓檢測(cè)等特性能夠提供僅使用極少外部元件的更具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的設(shè)計(jì)。
最新世代的模擬PFC控制器通過(guò)采用電流控制頻率反走(CCFF)等創(chuàng)新技術(shù),能夠提供更高的能效。安森美半導(dǎo)體的NCP1611和NCP1612PFC控制器中應(yīng)用了這種新的工作模式。CCFF使控制器在寬負(fù)載內(nèi)維持高能效,包括輕載和待機(jī)工作條件,以及較高負(fù)載條件。這些控制器還應(yīng)用了增強(qiáng)型特性,改善故障處理及瞬態(tài)響應(yīng),并支持不同偏置場(chǎng)景,為設(shè)計(jì)人員提供額外的靈活性。
提升所有負(fù)載條件下的能效
在CCFF架構(gòu)下,電路在大電流條件下采用臨界導(dǎo)電模式(CrM)工作。在重負(fù)載條件下臨近過(guò)零點(diǎn)時(shí)會(huì)出現(xiàn)低電流電平,而輕載條件下完整正弦方波皆為低電流電平;而在低電流電平時(shí),控制器進(jìn)入頻率受控不連續(xù)工作模式。定時(shí)器會(huì)插入死區(qū)時(shí)間,延遲啟動(dòng),直到從表征輸入電流的感測(cè)電壓上升至內(nèi)部產(chǎn)生的精密2.5 V“斜坡閾值”之斜坡所需時(shí)間用完。因此,較低輸入電流的死區(qū)時(shí)間更長(zhǎng)。圖1通過(guò)不同負(fù)載條件下升壓MOSFET的電壓波形顯示了CCFF的工作原理。
圖1:帶定時(shí)器死亡區(qū)時(shí)間控制的CCFF架構(gòu)
定時(shí)器控制死區(qū)時(shí)間而非開(kāi)關(guān)周期/關(guān)閉時(shí)間。當(dāng)電流為零時(shí),反走頻率被限制為最低的20 kHz??刂破魍ㄟ^(guò)這種方式將額定負(fù)載及輕載條件下的能效均提升至最高,特別是待機(jī)損耗被降至最低。通過(guò)延遲MOSFET導(dǎo)通時(shí)間點(diǎn)直至漏極-源極電壓到達(dá)其谷底,進(jìn)一步降低了損耗。谷底開(kāi)關(guān)還將產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)減至最少。另一項(xiàng)優(yōu)勢(shì)是系統(tǒng)不會(huì)在谷底之間停滯。由于死區(qū)時(shí)間不受電流周期時(shí)長(zhǎng)變化的影響,谷底導(dǎo)通的發(fā)生不帶有遲滯。
我們可以將CCFF工作模式與負(fù)載下降時(shí)開(kāi)關(guān)頻率上升的傳統(tǒng)CrM作比較。當(dāng)極輕負(fù)載時(shí),傳統(tǒng)CrM控制器可能進(jìn)入突發(fā)(burst)模式,產(chǎn)生可聽(tīng)噪聲。相比較而言,CCFF控制器的較低頻率被鉗位至高于可聽(tīng)頻率范圍,因而防止產(chǎn)生可聽(tīng)噪聲。
與頻率控制臨界導(dǎo)電模式(FCCrM)控制器類似,CCFF控制器的內(nèi)部電路能夠提供接近于1的功率因數(shù),即便是在開(kāi)關(guān)頻率降低的情況下。此外,跳周期模式使 PFC能夠跳過(guò)電流極低時(shí)線路過(guò)零點(diǎn)附近的周期,提供優(yōu)化的能效。這就避免了電源轉(zhuǎn)換能效特別低時(shí)的電路工作。應(yīng)當(dāng)注意的是,這種模式會(huì)產(chǎn)生一些電流波形失真。因此,跳周期模式不應(yīng)當(dāng)用于要求極高功率因數(shù)的應(yīng)用。圖2比較了CCFF控制器在跳周期模式及非跳周期模式與傳統(tǒng)CrM控制的能效。
圖2:帶定時(shí)器死亡區(qū)時(shí)間控制的CCFF架構(gòu)
如何改善功率因素(PFC)和電源的性能
http://m.jizeke.com/power-art/80019391
滿足新應(yīng)用需求的先進(jìn)PFC技術(shù)及解決方案
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增強(qiáng)控制器功能
集成快速線路/負(fù)載瞬態(tài)補(bǔ)償進(jìn)一步增強(qiáng)了PFC性能,避免由負(fù)載或輸入電壓突然變化(如啟動(dòng)時(shí))導(dǎo)致的 過(guò)多過(guò)沖或欠沖。這問(wèn)題在傳統(tǒng)PFC段中比較常見(jiàn),原因就在于通常較低的環(huán)路帶寬。相比較而言,NCP1611在輸出電壓下降至低于其穩(wěn)壓電平的95.5%時(shí)大幅加快穩(wěn)壓環(huán)路。這功能僅在PFC段已經(jīng)啟動(dòng)以配合出現(xiàn)軟啟動(dòng)工作后才啟用。如果輸出電壓超過(guò)期望電平的105%,軟過(guò)壓保護(hù)(Soft OVP)將提供的功率線性降低至零。如果輸出持續(xù)上升,當(dāng)輸出電壓到達(dá)期望電平的107%時(shí),此電路立即中斷功率提供。
此外,此控制器提供兩個(gè)版本,使設(shè)計(jì)人員能夠根據(jù)工作電壓范圍優(yōu)化啟動(dòng)電流。其中,NCP1611B的供電電壓范圍達(dá)17V,非常適合于自偏置應(yīng)用。它的低啟動(dòng)電流特性支持使用高阻抗啟動(dòng)電阻,無(wú)需大VCC電容,幫助縮短啟動(dòng)時(shí)間。NCP1611A最大啟動(dòng)電壓電平為11.5V,能采用12V電源軌供電。它提供軟啟動(dòng)功能,非常適合于電路由輔助電源等外部電源或下行轉(zhuǎn)換器供電的應(yīng)用。
NCP1611還片上提供多種重要的保護(hù)功能,可以省去分立保護(hù)電路。集成的保護(hù)功能包括雙電平限流,在旁路或升壓二極管短路的情況下,能夠關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)或進(jìn)入減小占空比的模式。這器件還應(yīng)用了欠壓保護(hù)、輸入欠壓檢測(cè)及過(guò)熱關(guān)閉。
輸出段包含經(jīng)過(guò)優(yōu)化的圖騰柱(totem pole)電路,用于將高頻工作期間的跨導(dǎo)(cross-conduction)電流減至最小。輸出電路的高驅(qū)動(dòng)能力使控制器能夠直接連接至擁有大門(mén)電荷(Qg)值的功率MOSFET。圖3顯示了采用NCP1611控制的升壓PFC電路的基本電路圖。
圖3:采用CCFF控制器的升壓PFC
對(duì)于優(yōu)化寬負(fù)載范圍條件下PFC能效來(lái)說(shuō),轉(zhuǎn)向數(shù)字PFC是不錯(cuò)的一種方式,然而利用已獲證明之模擬技術(shù)優(yōu)勢(shì)的創(chuàng)新型 PFC控制器、創(chuàng)新的電流控制頻率反走(CCFF)技術(shù),不僅能夠使模擬功率因數(shù)校正(PFC)控制器能夠在完整負(fù)載范圍內(nèi)提供高能效,可以完成快速瞬態(tài)響應(yīng)及簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),還能為設(shè)計(jì)人員提供更簡(jiǎn)單、性價(jià)比可能更高的方案。
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