日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開始SiC－MOS模塊（額定1200V/180A）的量產(chǎn)。該模塊內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由SiC－MOSFET構(gòu)成，尚屬業(yè)界首次。額定電流提高到180A，應(yīng)用范圍更廣，非常有助于各種設(shè)備的低功耗化、小型化。

另外，生產(chǎn)基地在羅姆總部工廠（日本京都），已經(jīng)開始銷售樣品，預(yù)計(jì)12月份開始量產(chǎn)并出貨。

圖1：羅姆首款無需肖特基勢壘二極管的SiC-MOS模塊

羅姆于2012年3月世界首家實(shí)現(xiàn)內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅構(gòu)成的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）的量產(chǎn)。該產(chǎn)品在工業(yè)設(shè)備等中的應(yīng)用與研究不斷取得進(jìn)展；而另一方面，在保持小型模塊尺寸的同時(shí)希望支持更大電流的需求高漲，此類產(chǎn)品的開發(fā)備受市場期待。

通常，為了實(shí)現(xiàn)大電流化，一般采用增加MOSFET使用數(shù)量等方法來實(shí)現(xiàn)，但這需要整流元件即二極管配套使用，因此長期以來很難保持小型尺寸。

圖2：相同封裝尺寸，電流提高50%

此次，羅姆采用消除了體二極管通電劣化問題的第2代SiC-MOSFET，成功開發(fā)出無需整流元件—二極管的SiC功率模塊（SiC-MOS模塊），使SiC-MOSFET的搭載面積増加，在保持小型模塊尺寸的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了大電流化。內(nèi)置的SiC-MOSFET通過改善晶體缺陷相關(guān)工藝和元件構(gòu)造，成功地攻克了包括體二極管在內(nèi)的可靠性方面的各種課題。

由此，與逆變器中使用的一般Si-IGBT相比，損耗降低50％以上，在實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)，還實(shí)現(xiàn)了50kHz以上的更高頻率，有利于外圍元件的小型化。

SiC-MOS模塊特點(diǎn)：

MOS單體即可保持開關(guān)特性不變。無尾電流，開關(guān)損耗更低

即使去掉SBD亦可實(shí)現(xiàn)與以往產(chǎn)品同等的開關(guān)特性。由于不會產(chǎn)生Si-IGBT中常見的尾電流，損耗可降低50％以上，有助于設(shè)備更加節(jié)能。另外，達(dá)到了Si-IGBT無法達(dá)到的50kHz以上的開關(guān)頻率，因此，還可實(shí)現(xiàn)外圍設(shè)備的小型化、輕量化。

圖3：與Si-IGBT相比，損耗降低50％以上

可逆向?qū)?，?shí)現(xiàn)高效同步整流電路

一般Si-IGBT元件無法逆向?qū)?，而SiC-MOSFET可通過體二極管實(shí)現(xiàn)常時(shí)逆向?qū)?。另外，通過輸入柵極信號，還可實(shí)現(xiàn)MOSFET的逆向?qū)?，與二極管相比，可實(shí)現(xiàn)更低電阻。通過這些逆向?qū)ㄌ匦裕c二極管整流方式相比，可在1000V以上的范圍采用高效同步整流方式的技術(shù)。

圖4：可逆向?qū)?，?shí)現(xiàn)高效同步整流電路
 

成功解決體二極管的通電劣化，通電時(shí)間達(dá)1000小時(shí)以上且無特性劣化

羅姆究明了體二極管通電的缺陷擴(kuò)大機(jī)理，通過工藝、元件結(jié)構(gòu)成功控制了產(chǎn)生劣化的因素。一般產(chǎn)品通電時(shí)間超過20小時(shí)導(dǎo)通電阻就會大幅增加，但本產(chǎn)品通電時(shí)間達(dá)1000小時(shí)以上導(dǎo)通電阻也不會增大。

圖5：通電時(shí)間達(dá)1000小時(shí)以上且無特性劣化