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優(yōu)化便攜設備中大輸出電流DC-DC轉換的熱耗散

發(fā)布時間:2011-09-16 來源:安森美半導體

中心議題:

  • 電源器件的小型化及封裝創(chuàng)新
  • DC-DC開關轉換器的功率耗散計算
  • 功率與溫度的相關性
  • 熱設計指南
解決方案:
  • 計算DC-DC開關轉換器的功率耗散
  • DC-DC開關轉換器的熱設計

精心選擇器件和良好的熱設計能幫助工程師優(yōu)化應用于移動設備的超小型DC-DC轉換器設計,實現(xiàn)功率密度的增加,同時還保證可靠性。

電源器件的小型化

終端用戶需要那些能夠提供豐富功能的超小型設備,如手機、便攜式媒體播放器(PMP)或全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)(GPS)設備等,這就要求設計人員在啟動每個新的電路板設計時,使用更小的元器件。在數(shù)字集成電路(IC)方面,貫徹摩爾定律使元器件制造商能夠顯著減小芯片尺寸,同時還可提高器件性能和集成度。模擬IC的換代產品也提供與它們前一代產品相當或更高的性能,而印刷電路板(PCB)的占位面積更小。電源半導體制造商也在追求小型化,利用更小的占位面積提供更高的功率處理能力,從而提供盡可能最高的功率密度。

然而,追求這個目標為系統(tǒng)設計人員帶來了更嚴格的熱管理挑戰(zhàn)。電源轉換期間損耗的能量以熱力的形式釋放,而減小元器件的尺寸(與產生的熱量有關)會導致工作溫度升高。原因很簡單,裸片越小,發(fā)散熱量的能力就越低。小型化可能帶來的不利后果包括低可靠性、不可預測的器件表現(xiàn)以及極端情況下器件的損毀。一般來說,結溫越高,器件失效的可能性就越高。

要想在現(xiàn)代便攜設備中成功使用超小型電源器件,就需要密切關注元器件和電路板兩級,將器件內的發(fā)熱量降至最低,并確保能夠高效地移除熱量。

封裝創(chuàng)新

為了將生成的熱量減到最少,器件設計人員首先要考慮高的電源轉換效率。例如,對于負載點(PoL)穩(wěn)壓器等通用型應用而言,開關轉換器就比線性轉換器更有優(yōu)勢。最好的開關轉換器可以提供95%到97%區(qū)間的峰值效率。

為了能夠有效地散熱,近年來涌現(xiàn)了多款小外形因數(shù)的新型電源封裝。這些封裝經(jīng)過優(yōu)化,將裸片與外殼之間的熱阻抗降至最低,使熱量能夠高效地從器件移除。

在針對便攜應用的最新封裝中,諸如µDFN或µCSP這樣的超小型無鉛型封裝在底部集成了裸露金屬焊盤。焊盤向下焊接,將熱量直接傳導到PCB上。封裝尺寸可以是2mmx2mm或更小,這類封裝的器件能提供最大1.5 A左右的連續(xù)電流。

為了確保以盡可能大的輸出電流來實現(xiàn)穩(wěn)定的工作并將使用壽命延至最長,在采用這些器件進行設計時,工程師需要運用合理的熱設計準則,在電路板布線等方面考慮器件廠商的建議。

計算功率耗散

可以用等式1計算開關轉換器的功率耗散:

                  (等式1)

假定穩(wěn)壓器產生固定的輸出電壓值,在輸出電流最大和效率最低時功率耗散最大;而在環(huán)境溫度很高和輸入電壓最低時會出現(xiàn)能效最低的情況。

分析DC-DC轉換器的設計可以論證如何計算最壞情況下必要的功率耗散,并了解功率耗散與封裝熱阻抗和允許的最高環(huán)境工作溫度之間有怎樣的相關性。

以安森美半導體的NCP1529 DC-DC轉換器為例,該器件采用熱增強型2mmx2mmx0.5mm µDFN-6封裝或3mmx1.5mmx1mm TSOP5封裝,適合用于電池供電設備。NCP1529的輸入電壓范圍為2.7V至5.5V,支持單個鋰離子電池或3個堿/鎳鎘/鎳氫電池供電,輸出電壓可在0.9V至3.9V之間調節(jié),最大輸出電流為1.0A。此外,IC具有內部熱關斷電路,防止在結溫超過最大值時器件受到災難性損壞。如果溫度達到180℃,器件會被關斷,所有功率晶體管和控制電路也將被關斷。當溫度溫度低于140℃時,器件會通過軟啟動模式重新啟動。

當然,最佳的應用設計應當注意降低關斷狀況發(fā)生的潛在機率,首先要做的工作之一便是清晰地了解工作效率。
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我們可以考慮這樣一款器件:提供1.2V IC內核電壓,最高流經(jīng)900mA的電流。圖1顯示的是NCP1529在環(huán)境溫度為85℃、輸入電壓為2.7V、輸出電壓為1.2V的條件下不同輸出電流時的工作效率。輸出電流為0.9A時,器件的工作效率為60%。


圖1 Vin=2.7 V、Vout=1.2 V、溫度為85℃時的NCP1529能效

將這些數(shù)值代入等式1,得到下面的功率耗散最壞情況的表達式:

這個數(shù)字非常重要,可以幫助我們優(yōu)化各種應用的熱性能。

功率與溫度的相關性

熱阻抗(RθJA)用于描述封裝將熱量從硅結點傳遞到外界環(huán)境中的能力。熱阻抗越低,器件就能夠越好地傳遞大量熱量。RθJA的表達單位為℃/W,因此我們?yōu)楣こ處熖峁┝艘粋€工具,可將以瓦(W)計算的電氣功率(耗散)與以攝氏度(℃)為單位的溫度關聯(lián)起來。

在最新電源器件的數(shù)據(jù)表中,往往宣稱器件的RθJA值極低。但系統(tǒng)設計人員如果期望在終端產品中達到預期的性能,必須密切注意電路板布線和PCB的熱設計。NCP1529的數(shù)據(jù)表顯示了器件單獨的RθJA(µDFN-6封裝,220℃/W),以及這款器件用于推薦的電路板布線時的RθJA(40℃/W)。這些數(shù)字顯示PCB設計對熱阻抗有顯著影響。事實上,遵從器件制造商的建議能夠將有效的RθJA降低5倍。
知道了RθJA和PDIP(max),就可以使用下面的等式計算出應用能夠承受的最大環(huán)境溫度:

此處,TJmax是器件能夠承受的最大結溫(NCP1529對應的溫度為150℃)。

需要注意的是,NCP1529同時提供TSOP-5和µDFN-6封裝,我們可以快速地確定每種封裝選擇對工作性能的影響。表1歸納了各種封裝的功率耗散、封裝熱阻抗和計算出的最高環(huán)境溫度。

表1顯示,要想轉換器在最高的環(huán)境溫度下令人滿意地工作,封裝選擇是要重點關注的一個事項。


表1:電氣域與熱域之間的數(shù)據(jù)轉換[page]

另一種評估封裝熱特性對應用性能影響的方法是檢查功率下降曲線。圖2顯示了NCP1529的曲線,詳述了µDFN-6和TSOP-5封裝最大環(huán)境溫度閾值與功率耗散之間的關系。


圖2 IC功率下降特性曲線

環(huán)境溫度低于70℃時,TSOP-5和µDFN-6封裝都可以耗散720mW的功率,因此能滿足這一應用的最壞情況要求。然而,µDFN-6封裝的功率耗散能力更強,與采用TSOP-5封裝的同等轉換器設計相比,能夠承受的溫度更高。

µDFN-6封裝的性能優(yōu)勢歸因于其熱增強型結構,裸露的金屬焊盤顯著降低了裸片到PCB的熱阻抗。

熱設計指南

在每次計算中,TA值都假定是最佳可能的熱阻抗,也就是使用建議的電路板布線時所能達到的熱阻抗。如前文所述,電路板布線對器件熱性能以及相應的應用有極大影響。設計師在使用任何DC-DC轉換器時都應當查詢所選元件的文檔,確保通過硬件實現(xiàn)該設計時能夠達到預期的性能。

熱性能的提高可以可以通過以下特性來優(yōu)化,譬如加設散熱通孔、將關鍵跡線(trace)寬度拓至最寬、使用對接地層或電源層的熱連接,或是指定熱性能增強的PCB材料(如絕緣金屬基板)。NCP1529的熱設計指南建議將VIN跡線加寬,并增加幾個通孔,建立多個對電源層的熱連接。此外,建議將穩(wěn)壓器的接地引腳連接至PCB頂層。頂層、底層及所有接地層之間應當使用空余的通孔來連接,從而增加散熱器的有效尺寸,而且這些通孔應當離得越近越好,或者在使用µDFN-6封裝時最好位于裸露焊盤底下。µDFN-6裸露焊盤必須被正確地焊接至PCB主散熱器。

當然,設計人員也必須牢記電路板布線對轉換器電氣性能的影響。優(yōu)化的熱布線應當具備輔助功能,如為大電流通道設置寬跡線,以及單獨的電源層和接地層等,將穩(wěn)壓器的噪聲免疫性和環(huán)路穩(wěn)定性提升至最佳。

圖3顯示了使用µDFN-6封裝的NCP1529時推薦的焊盤布線,顧及到了電氣和熱設計注意事項。紅色箭頭表示熱能由封裝流向周圍環(huán)境。


圖3 建議的NCP1529 μDFN-6電路板布線

結論

設計人員要在當今便攜產品嚴苛的空間限制下應用高性能DC-DC轉換器,必須密切注意工作條件、功率耗散、元器件性能和熱設計。與舊款的功率封裝相比,具有熱增強特性的最新小型封裝技術支持更高的功率耗散。便攜系統(tǒng)設計人員通過將這些最新小型封裝同板級的熱設計相結合,就能夠在小空間中視實現(xiàn)可靠的大電流設計。

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