• 新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下
• 首款MDmesh V產品采用TO-220封裝，導通電阻0.079Ω
• RDS(ON)低至0.022Ω/0.038Ω

• 筆記本電腦的電源適配器、液晶顯示器、電視機
• 熒光燈鎮(zhèn)流器、電信設備、太陽能電池轉換器
• 需要高壓功率因數(shù)校正或開關功率轉換的應用設備

意法半導體近日宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技術達到業(yè)內最低的單位芯片面積導通電阻。MDmesh V讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用緊湊型功率封裝，使能效和功率都達到業(yè)內領先水平。這些產品的目標應用是以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉換系統(tǒng)。

33A的STP42N65M5是意法半導體的首款MDmesh V產品，采用TO-220封裝，導通電阻0.079Ω。降低的導通電阻有助于提高能效，在大多數(shù)功率轉換系統(tǒng)中，可實現(xiàn)業(yè)內最低的RDS(ON)。STx42N65M5全系列產品還提供其它的封裝選擇，包括D2PAK貼裝以及TO-220FP、I2PAK和TO-247。目前正在量產的STx16N65M5系列也是650V產品，額定RDS(ON) 為0.299 Ω，額定電流為12A。意法半導體的MDmesh V 650V MOSFET技術藍圖還包括電流更大的產品，采用Max247封裝的產品RDS(ON)低至0.022Ω，TO-247封裝低至0.038Ω。這些產品計劃在2009年3月上市。

“MDmesh V產品在RDS(ON)上的改進將會大幅度降低PFC電路和電源的電能損耗，從而能夠實現(xiàn)能耗更低、尺寸更小的新一代電子產品，”意法半導體功率MOSFET產品部市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示，“這項新技術將幫助產品設計工程師解決新出現(xiàn)的挑戰(zhàn)，例如，新節(jié)能設計法規(guī)的能效目標，同時再生能源市場也是此項技術的受益者，因為它可以節(jié)省在電源控制模塊消耗的寶貴電能。”

作為意法半導體在成功的多漏網格技術上的最新進步，通過改進晶體管的漏極結構，降低漏--源電壓降，MDmesh V在單位面積導通電阻RDS(ON) 上表現(xiàn)異常出色。此項優(yōu)點可降低這款產品的通態(tài)損耗，同時還能使柵電荷量(Qg)保持很低，在高速開關時實現(xiàn)優(yōu)異的能效，提供低‘RDS(ON) x Qg’的靈敏值（FOM）。新產品650V的擊穿電壓高于競爭品牌的600V產品的擊穿電壓，為設計工程師提供寶貴的安全裕量。意法半導體的MDmesh V MOSFET的另一項優(yōu)點是，關斷波形更加平滑，柵極控制更加容易，并且由于EMI降低，濾波設計更加簡單。

MDmesh V MOSFET的節(jié)能優(yōu)勢和高功率密度將會給終端用戶產品的節(jié)能帶來實質性提升，例如：筆記本電腦的電源適配器、液晶顯示器、電視機、熒光燈鎮(zhèn)流器、電信設備、太陽能電池轉換器以及其它的需要高壓功率因數(shù)校正或開關功率轉換的應用設備。