產(chǎn)品特性:
- 產(chǎn)品分620V和525V兩種
- 導(dǎo)通電阻低至1.28Ω/0.98Ω
- 出色的dv/dt特性
- 采用小封裝,減少占位空間
應(yīng)用范圍:
- 鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器
- 半橋電路
- 開關(guān)電源
意法半導(dǎo)體(ST)進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效,功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù),結(jié)合更低的導(dǎo)通電阻,確保晶體管具有更高的能效。此外,配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度,將大幅度提高可靠性和安全性。
620V的STx6N62K3是新推出的SuperMESH3系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品,隨后還將推出620V的STx3N62K3和525V 的STx7N52K3 和STx6N52K3。利用SuperMESH3技術(shù)可以降低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn),在620V電壓下,DPAK封裝的STD6N62K3把導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到 1.28Ω;在525V電壓下,STD7N52K3把導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到0.98Ω,從而提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效。新技術(shù)還降低反向恢復(fù)時(shí)間(Trr)、柵電荷量和本征電容,提高開關(guān)性能和工作頻率。
優(yōu)化的垂直結(jié)構(gòu)和帶狀拓?fù)涞娜诤希瑸橐夥ò雽?dǎo)體的SuperMESH3技術(shù)增添了一個(gè)新的優(yōu)點(diǎn):即出色的dv/dt特性。這個(gè)特性可以讓照明系統(tǒng)和消費(fèi)電子設(shè)備具有更高的可靠性和安全性。為實(shí)現(xiàn)全方位的強(qiáng)健性,SuperMESH3器件全部經(jīng)過了100%的雪崩測試,并集成了齊納二極管保護(hù)功能。
在可比的快速恢復(fù)高壓晶體管技術(shù)中,SuperMESH3的單位面積導(dǎo)通電阻最小,受益于這項(xiàng)技術(shù), STx6N62K3、STx7N52K3、STx3N62K3和STx6N52K3可以使用比同級別產(chǎn)品尺寸更小的封裝,如DPAK。這可以節(jié)省晶體管的占位面積和電路板空間,同時(shí),在開關(guān)和散熱性能方面,還能與尺寸更大的產(chǎn)品媲美。
STx6N62K3采用IPAK、DPAK、TO-220和TO-220FP封裝。
2.5Ω的STx3N62K3將采用IPAK、DPAK、D2PAK、TO-220和TO-220FP封裝。0.98Ω的STx7N52K3將采用DPAK、D2PAK、TO-220和TO-220FP封裝,1.2Ω的STx6N52K3將采用DPAK和TO-220FP封裝。這些產(chǎn)品將豐富SuperMESH3 620V和525V系列產(chǎn)品組合,新產(chǎn)品將于2008年第四季度投產(chǎn)。