高強度放電（HID）燈最初設計用于戶外和工業(yè)應用，因其顯色特性已得到改進且小尺寸已上市，目前已延伸至室內(nèi)應用，如辦公室照明和零售燈飾。HID燈需要一個鎮(zhèn)流器來激發(fā)放電，并在燈啟動后限制住電流?；旌项l率全橋逆變器是HID燈鎮(zhèn)流器中一個較為常用的拓撲結(jié)構(gòu)，因為它可以通過方形波產(chǎn)生替代低頻電壓，只需單一逆變器級即可同樣控制輸出電壓的振幅。

然而，當該逆變器在連續(xù)電流模式（CCM）下運行時須考慮MOSFET故障。因此，逆變器應在臨界電流模式下(CRM)運行以避免MOSEFT故障。HID燈點火后抗阻變得極低。這種情況下，逆變器不可避免地要在連續(xù)電流模式(CCM)下運行，并出現(xiàn)擊穿電流。因此，必須使用附加快速恢復二極管(FRD)來防止故障出現(xiàn)。新型UniFETII MOSFET具有可靠的體二極管特性，其峰值反向恢復電流足夠低，能夠防止器件故障。本文將介紹HID燈鎮(zhèn)流器混合頻率全橋逆變器的效能。為了驗證其有效性，使用150W室內(nèi)HID燈鎮(zhèn)流器進行實驗并提供實驗結(jié)果。

混合頻率逆變器和故障機理

HID燈鎮(zhèn)流器的工作模式簡單分為2種狀態(tài)：瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)。瞬態(tài)下，燈抗阻變得極低，因此燈電壓降低以限制燈電流。隨著燈抗阻的穩(wěn)定上升，燈電壓也逐漸增高，工作模式從瞬態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)態(tài)。峰值燈電流低于Ilimit之后，燈由恒定功率控制模式驅(qū)動。鎮(zhèn)流器的運行必須遵循上述流程，圖1顯示HID燈鎮(zhèn)流器中的混合頻率全橋逆變器。在圖1中，Q5為點火開關(guān)，產(chǎn)生一個脈沖高壓將HID燈點亮?；旌项l率逆變器由高頻臂（包括MOSFETQ1和Q2以及附加二極管D1~D4）和低頻臂（包括IGBTQ3和Q4）組成。由于燈只在點火后才會放電，因此需要一個點火電路。Q5和變壓器T組成點火電路。電源開啟后，Q5開始開關(guān)過程，一個超過3kV的高電壓即通過變壓器T應用到燈上。燈一旦通過高電壓點亮后，Q5的開關(guān)過程即停止，燈通過交流電壓方波發(fā)光。變壓器T、電感器L以及電容器C的漏電感組成低通濾波器。逆變器的運行分為4種模式，但其中2種模式反復交替。半個周期內(nèi)，在低頻臂中，一個IGBT保持導通狀態(tài)，另一個IGBT保持關(guān)斷狀態(tài)，而在高頻臂中的一個MOSFET處于高頻開關(guān)狀態(tài)。因此，平均燈電壓可通過控制高頻引腳中MOSFET的占空比得以控制。
如果逆變器的高頻臂在連續(xù)電流模式（CCM）下工作，由于MOSFET體二極管反向恢復特性較差，在高端和低端開關(guān)中必然都會出現(xiàn)高電流峰值。這種高電平電流實際上不存在擊穿條件，只是看起來像，因為高端開關(guān)和低端開關(guān)中的電流方向是相同的。高電流峰值可觸發(fā)MOSFET結(jié)構(gòu)中的寄生雙極結(jié)型晶體管。寄生雙極結(jié)型晶體管(BJT)導通后，由于負溫度系數(shù)，會形成一個熱點且更多電流匯集其中，這最終將導致器件故障。一個常見的解決方案是應用阻斷二極管來阻止體二極管導通，在MOSFET兩端并聯(lián)額外的續(xù)流二極管，以減少峰值電流水平。在圖1中，D1和D3是阻流二極管，需要較低的正向壓降；D2和D4是續(xù)流二極管，需要快速恢復特性。這些二極管必然會阻止故障出現(xiàn)，但是增加了電路復雜性和系統(tǒng)成本。

最新MOSFET技術(shù)

MOSFET體二極管的反向恢復特性遠次于分立式快速恢復二極管。功率MOSFET的體二極管反向恢復時間非常長，且反向恢復電荷非常大。盡管其性能比較差，功率MOSFET的體二極管還是經(jīng)常在橋式電路中用作續(xù)流二極管。正因為越來越多的應用將MOSFET體二極管用作系統(tǒng)關(guān)鍵元件，才促使MOSFET體二極管特性有了很大的改進。通常來說，可以通過使用壽命控制過程來實現(xiàn)這個目的，這類似于分立式快速恢復二極管。這一額外過程控制載流子的壽命，從而減少反向恢復電荷和反向恢復時間。然而，該過程也帶來某些缺陷。更多的壽命控制導致MOSFET導通電阻增大。這與導致正向壓降增大的分立式快速恢復二極管的副作用類似。另外一個負效應是漏源極間的漏電流增大，但漏電流水平仍在可接受范圍內(nèi)，并且在大多數(shù)情況下無關(guān)緊要。因此，電氣特性的主要權(quán)衡點在于反向恢復性能和導通損耗。在HID燈鎮(zhèn)流器混合頻率逆變器應用中，較小的反向恢復電荷對于系統(tǒng)可靠性是非常重要的。去除肖特基二極管(D1和D2)能夠減少導通損耗，以補償略有增加的MOSFET（Q1和Q2）導通電阻。
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現(xiàn)在，重要的是Q1和Q2有了可以與分立式快速恢復二極管D2和D4不相上下的強壯體二極管性能。為了實現(xiàn)更好的體二極管性能，開發(fā)了經(jīng)高度優(yōu)化的UniFETIIMOSFET系列。該系列改善了體二極管的耐受性并減少了輸出電容中的儲能，同時最大限度地減小如增加導通電阻等負面效應。特別是，極大改善了其峰值反向恢復電流Irr，不再會引起器件故障。此外，其dv/dt抗干擾性能是普通MOSFET的兩倍多。因此，在擊穿dv/dt模式下可承受兩倍以上的電流壓力。圖2展示了UniFETIIMOSFET系列、傳統(tǒng)MOSFT(FQPF9N50C)和分立式快速恢復二極管（BYV28X-500）的反向恢復性能。顯然，UniFETIIMOSFET系列的反向恢復特性優(yōu)于傳統(tǒng)MOSFET，甚至優(yōu)于快速恢復二極管(FRD)的反向恢復特性。 鎮(zhèn)流器的性能測試結(jié)果

為了驗證UniFETTMIIMOSFET系列的有效性，使用包括混合頻率逆變器的150W室內(nèi)HID燈鎮(zhèn)流器進行實驗。鎮(zhèn)流器的逆變器電路與圖1相同。低頻臂由2個IGBT組成，其工作頻率范圍為60Hz~120Hz。另一個臂的工作頻率范圍為30kHz~110kHz。采用普通MOSFET和FRD的傳統(tǒng)解決方案與UniFETIIMOSFET系列之間的擊穿電流對比結(jié)果如圖3所示。在傳統(tǒng)解決方案中，反向恢復電流的峰值是11.44A。而UniFETIIMOSFET系列反向恢復電流的峰值是10.48A。
結(jié)論

UniFETIIMOSFET系列具有更佳反向恢復特性，如快速恢復時間和低反向恢復電荷。因此，可去除混合頻率逆變器系統(tǒng)中防止故障所需的4個額外二極管。實驗證明UniFETIIMOSFET系列可提高混合頻率逆變器的系統(tǒng)可靠性，由于去除了額外的二極管，因此可節(jié)省電路板空間和制造成本。

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