【導(dǎo)讀】進(jìn)行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性，可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個生命周期?；陔p脈沖測試獲得的器件開關(guān)波形可以做很多事情，包括：通過對開關(guān)過程的分析驗證器件設(shè)計方案并提出改進(jìn)方向、提取開關(guān)特征參數(shù)制作器件規(guī)格書、計算開關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗為電源熱設(shè)計提供數(shù)據(jù)支撐、不同廠商器件開關(guān)特性的對比等。
測量延時的影響
被測信號在測量過程中會經(jīng)歷兩次延時，不同信號所經(jīng)歷延時的差別會對測量結(jié)果造成一定的影響。一次延時是示波器模擬前端的延時，索性示波器不同通道間延時差別在 ps 級別，對于 ns 級別的 ns、us 級別的功率器件開關(guān)過程可以忽略不計。另一次是探頭的延時，不同的探頭直接的延時差別在 ns 級別，此時對于開關(guān)速度較快的器件就有明顯的影響了，特別是對于近幾年開始逐漸推廣使用的 SiC 和 GaN 器件影響就更大了。
我們以 SiC MOSFET 開關(guān)過程測量為例來說明測量延時的影響。
在下圖中，藍(lán)色波形為未對探頭進(jìn)行延時校準(zhǔn)前獲得的波形（校準(zhǔn)前波形），紅色波形為對探頭進(jìn)行延時校準(zhǔn)后獲得的波形（校準(zhǔn)后波形）。
按照理論，在開通過程中，當(dāng) IDS 開始上升時，會在回路寄生電感上產(chǎn)生壓降，這會使 VDS 有所下降，IDS 的上升與 VDS 的下降應(yīng)該幾乎在同一時刻開始的。而在校準(zhǔn)前波形中，IDS 開始上升時，VDS 保持不變，在一段 5.5ns 延時后才開始下降。這一情況與理論明顯不符合，可以推斷此時 IDS 信號超前 VDS 信號。而在進(jìn)行校準(zhǔn)后，這一問題得到了解決。
按照理論，在關(guān)斷過程中，VDS 的尖峰應(yīng)該在IDS 過零附近。而在校準(zhǔn)前波形中，IDS 過零5.5ns 后，VDS 才達(dá)到最高值。在進(jìn)行校準(zhǔn)后，這一問題也得到了解決。
同時我們還整理出開關(guān)特性參數(shù)，包括：開通延時 td(on)、開通時間 tr、開通能量 Eon、關(guān)斷延時 td(off)、關(guān)斷時間 tf、關(guān)斷能量 Eoff?？梢钥吹介_通延時 td(on) 和關(guān)斷延遲 td(off) 校準(zhǔn)前后有 2ns 左右差異，開通時間 tr 和關(guān)斷時間 tf 校準(zhǔn)前后幾乎不變，開通能量 Eon 校準(zhǔn)前395.31uJ 比校準(zhǔn)后 147.53uJ 大了 1.67 倍，關(guān)斷能量 Eoff 校準(zhǔn)前 20.28uJ 比校準(zhǔn)后 70.54uJ小了 71.3%。
由此可見延時對于器件開關(guān)特性的分析和參數(shù)計算有著非常明顯的影響，在進(jìn)行測量之前，我們可以通過以下四種方法來進(jìn)行延時校準(zhǔn)。
方法一 : 同時測量示波器自帶方波信號
校準(zhǔn)不同電壓探頭之間的延時差別非常簡單， 只需要同時測量同一電壓信號，然后再根據(jù)測量結(jié)果進(jìn)行校準(zhǔn)即可。
我們可以利用示波器自帶的方波信號，一般在示波器側(cè)面板或前面板?？梢钥吹剑瑑蓚€探頭雖然都在測量示波器自帶方波，但在示波器屏幕上顯示的波形出現(xiàn)的延時，1 通道測量通路超前 2 通道測量通路 5.6ns。那么我們就可以在示波 器的通道設(shè)置菜單中設(shè)置 1 通道延時為 -5.6ns， 或設(shè)置 2 通道延時為 +5.6ns 完成校準(zhǔn)。
方法二 : 示波器自帶功能校正
對于固定型號的電壓或者電流探頭，其延時是基本固定的，只要知道探頭型號就能夠直接進(jìn)行延時校準(zhǔn)?，F(xiàn)在示波器的功能越來越強(qiáng)大，通過探頭的接口可以識別出探頭的型號，這樣示波器就可以直接自動設(shè)備延時校準(zhǔn)值。
方法三 : 延時校準(zhǔn)夾具
仿照方法一中同時測量同一信號來校準(zhǔn)不同電壓探頭延時差別的思路，測量同時變化的電壓和電流信號，就能夠校準(zhǔn)電壓探頭和電流探頭之間的延時差別。很多示波器廠商基于此思路已經(jīng)推出了電壓、電流探頭延時校準(zhǔn)夾具，方便工程師直接使用，而不用再自己做校準(zhǔn)源。例如泰克的相差校正脈沖發(fā)生器信號源 TEK-DPG 和功率測量偏移校正夾具 067-1686-03。
方法四 : 利用器件開關(guān)特征
如果受限于手頭設(shè)備，我們還可以通過上邊提到的器件開關(guān)過程的特征來進(jìn)行校準(zhǔn)。按照理論，在開通過程中 IDS 的上升與 VDS 的下降應(yīng) 該幾乎在同一時刻開始的。那么我們可以進(jìn)行不同測試條件下的雙脈沖測試，讀出每次開通過程中 IDS 與 VDS 之間的延時，然后去平均值后進(jìn)行校準(zhǔn)即可。
來源：功率器件顯微鏡公眾號
關(guān)于泰克科技
泰克公司總部位于美國俄勒岡州畢佛頓市，致力提供創(chuàng)新、精確、操作簡便的測試、測量和監(jiān)測解決方案，解決各種問題，釋放洞察力，推動創(chuàng)新能力。70多年來，泰克一直走在數(shù)字時代前沿。歡迎加入我們的創(chuàng)新之旅，敬請登錄：tek.com.cn
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
關(guān)斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導(dǎo)通行為的影響
