【導(dǎo)讀】中高功率逆變器中的IGBT切換時(shí)會(huì)引起很大的電壓和電流尖峰,這種尖峰是導(dǎo)致嚴(yán)重EMI的重要原因。Vishay最新開發(fā)的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流,壽命超過(guò)30萬(wàn)小時(shí),可耐105℃高溫。
Vishay推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖
電容器---Vishay Roederstein MKP386M,該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊上,容量從0.047µF到10µF,可在+105℃高溫下工作,有700VDC~2500VDC和420VAC~800VAC共7個(gè)電壓等級(jí)。
MKP386M可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流,壽命超過(guò)30萬(wàn)小時(shí),可減少由切換IGBT引起的電壓和電流尖峰,這種尖峰是電磁干擾(EMI)的重要來(lái)源。典型應(yīng)用包括功率轉(zhuǎn)換器、頻率轉(zhuǎn)換器,以及風(fēng)力機(jī)逆變器、中功率和高功率太陽(yáng)能逆變器、汽車動(dòng)力總成中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
Vishay還提供結(jié)構(gòu)長(zhǎng)度58mm的器件,用于高功率IGBT模塊。緩沖電容器的ESR低至1.5mΩ,容量公差±5 %,引線間隔的每毫米自感為0.7nH,RMS電流高達(dá)20A。器件采用阻燃塑料外殼和環(huán)氧樹脂密封,無(wú)鉛、無(wú)鹵素,符合RoHS指令。
MKP386M現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為十周到十二周。