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2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

發(fā)布時間:2012-10-23 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】恩智浦半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢,與傳統(tǒng)無引腳封裝相比,焊接連接質(zhì)量更好。


新型 PMPB11EN和 PMPB20EN 30V N溝道MOSFET是采用恩智浦 DFN2020MD-6 (SOT1220) 封裝的20多類器件中率先推出的兩款產(chǎn)品。這兩款MOSFET的最大漏極電流(ID)大于10A,10V時的超低導(dǎo)通電阻Rds(on)分別為12 mOhm(典型值)和16.5 mOhm(典型值),因此導(dǎo)通損失小,功耗更低,電池使用壽命更長。

NXP推出業(yè)內(nèi)2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET
圖題:NXP推出業(yè)內(nèi)2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

新型DFN2020 MOSFET高度僅為0.6毫米,比當(dāng)今市場上大多數(shù)2 mm x 2 mm的產(chǎn)品更加輕薄,是智能手機和平板電腦等便攜應(yīng)用設(shè)備中超小型負(fù)載開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換器和充電開關(guān)的理想之選。該款MOSFET還適用于其他空間受限應(yīng)用,其中包括直流電機、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通信以及LED照明,在這類應(yīng)用中功率密度和效率尤為關(guān)鍵。DFN2020的封裝尺寸僅為標(biāo)準(zhǔn)SO8封裝的八分之一,提供與其相當(dāng)?shù)臒嶙瑁軌虼婢哂邢嗤瑢?dǎo)通電阻Rds(on)值范圍的許多大型MOSFET封裝,如SO8封裝、3 mm x 3 mm封裝或TSSOP8封裝。

新型MOSFET提升了恩智浦超小型無引腳MOSFET產(chǎn)品線,截止到今年年末將有超過60種封裝,封裝尺寸為2 mm x 2 mm或1 mm x 0.6 mm。如今,恩智浦是超小型低導(dǎo)通電阻Rds(on) MOSFET的主要生產(chǎn)商,提供電平場效應(yīng)晶體管(FET)和雙極晶體管技術(shù)。
 
 

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