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安森美半導(dǎo)體汽車技術(shù)及車身和動(dòng)力系統(tǒng)解決方案

發(fā)布時(shí)間:2010-12-28 來(lái)源:安森美半導(dǎo)體

中心議題:
  • 先進(jìn)的汽車工藝技術(shù)
  • 車身及便利應(yīng)用解決方案
  • 動(dòng)力系統(tǒng)解決方案

隨著人們對(duì)汽車舒適性等方面要求的提高,車身電子控制和動(dòng)力性的重要性日益突顯,越來(lái)越多的汽車開(kāi)始裝備高性能的車身控制系統(tǒng)和先進(jìn)的管理系統(tǒng)。這類系統(tǒng)的增加和升級(jí)為半導(dǎo)體器件的應(yīng)用開(kāi)辟了巨大的空間。
   
但是,面對(duì)環(huán)保和豐富消費(fèi)者體驗(yàn)的需求,以及汽車器件的最嚴(yán)格規(guī)范,制造商一方面要在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和制造等方面更加注重可靠性指標(biāo)的認(rèn)證,另一方面也要保證產(chǎn)品在提供更高性能的同時(shí),符合環(huán)保節(jié)能方面的要求。本文將結(jié)合安森美半導(dǎo)體的汽車技術(shù)專長(zhǎng),談?wù)勂囓嚿砑皠?dòng)力系統(tǒng)解決方案所采用的各種器件。

先進(jìn)的汽車工藝技術(shù)
汽車電子設(shè)備的增加使汽車的各個(gè)部分都無(wú)法避免寄生信號(hào),甚至可能出現(xiàn)80 VV的峰值,汽車設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)必須考慮到這一點(diǎn)。用于汽車的模塊和組件需要能夠承受這種峰值并保證實(shí)現(xiàn)應(yīng)有的功能。安森美半導(dǎo)體利用成熟的汽車技術(shù)能力,開(kāi)發(fā)了一套專門(mén)的高電壓汽車電源技術(shù),實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的高電壓系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)解決方案,滿足最大電壓和數(shù)字門(mén)集成的要求。
   
同時(shí),汽車中越來(lái)越多的電子含量對(duì)電磁兼容性的要求越來(lái)越高,汽車制造商也制定了相應(yīng)的性能標(biāo)準(zhǔn),旨在使車載網(wǎng)絡(luò)(IVN)應(yīng)用擁有更高的抗ESD脈沖和抗EMI能力。安森美半導(dǎo)體利用創(chuàng)新的I3T50/I3T80技術(shù)提供最佳的一流器件,通過(guò)深溝槽隔離等工藝既實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)功能,又保證了可靠設(shè)計(jì),降低了芯片上不同單元(cell)結(jié)構(gòu)之間的干擾。
   
安森美半導(dǎo)體的一系列技術(shù)允許使用高達(dá)100V的電源,有利于元件的集成——包括嵌入式微處理器內(nèi)核。安森美半導(dǎo)體的汽車ASIC和專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)解決方案廣泛用于動(dòng)力總成(包括環(huán)境溫度≥150℃的高溫應(yīng)用)、安全、車身、儀表板、IVN、傳感器和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用。
   
安森美半導(dǎo)體是汽車MOSFET市場(chǎng)的主要供應(yīng)商。除了平面MOSFET產(chǎn)品系列,該公司還提供40 V和60 V溝槽MOSFET。溝槽技術(shù)是為低Rds((on))開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的,與平面技術(shù)相比,更適用于線性操作模式。


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