薄膜晶體管的新聞事件：

• 薄膜晶體管領(lǐng)域研究引起人們廣泛興趣

薄膜晶體管的事件影響：

• 2009年開始薄膜晶體管的研究取得了階段性突破

膜晶體管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一類重要的半導體器件，在平板顯示、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應用價值。最近幾年，寬帶隙氧化物半導體由于其具有低溫成膜、高電子遷移率、可見光透明等優(yōu)點，在薄膜晶體管領(lǐng)域引起了人們廣泛的研究興趣。由于常規(guī)SiO2柵介質(zhì)電容耦合較弱，當前薄膜晶體管的典型工作電壓一般大于10V，大大限制了其在便攜式領(lǐng)域的應用。研究表明，離子液、離子凝膠（IonGels）具有高達 10μF/cm2的低頻雙電層電容。研究人員采用該類雙電層柵介質(zhì)制作了工作電壓僅為1.0V-2.0V有機薄膜晶體管。但到目前為止，該類柵介質(zhì)很少用于無機氧化物半導體晶體管器件研制。

2009年開始，中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所萬青課題組在納米SiO2顆粒組成的微孔薄膜體系中觀測到了巨大的雙電層電容，并用該介質(zhì)薄膜作為柵介質(zhì)，成功研制了高性能、低壓透明薄膜晶體管，其工作電壓小于 1.5V（Appl.Phys.Lett.95,152114(2009);Appl.Phys.Lett.96,043114(2010)）。該論文被 NatureAsiaMaterials作了題為transparenttransistors:lowpower,highperformance的 Highlight專題報道。在此基礎上，課題組又成功在紙張襯底上，采用全室溫工藝，成功研制了高性能紙張晶體管，并通過氧壓調(diào)控技術(shù)，實現(xiàn)了晶體管增強型和耗盡型調(diào)控（IEEETrans.onElectronDevices.57,2258(2010)）。另外，課題組還通過簡單浸泡的途徑在 SiO2納米顆粒膜中引入Li、H等離子，明顯增強了柵介質(zhì)的雙電層電容值。接著又成功研制了具有垂直結(jié)構(gòu)的超低壓氧化物雙電層薄膜晶體管（IEEEElectronDeviceLetters,31,1263(2010)；Appl.Phys.Lett.97,052104(2010)）。

最近，課題組又自主開發(fā)了一種自組裝工藝，僅僅采用一個掩膜版，一次磁控濺射就在雙電層柵介質(zhì)上沉積了ITO溝道、ITO源/漏電極，完成了晶體管制作（IEEEElectronDeviceLetters.31,1137(2010)）。另外，課題組該還用單根SnO2納米線作為晶體管溝道，成功研制了超低壓、全透明納米線雙電層晶體管（JournalofMaterialsChemistry,20,8010(2010)）。

上述基于氧化物半導體的超低壓雙電層晶體管在低成本、便攜式傳感、顯示器件領(lǐng)域具有廣泛的應用價值。