- 電壓法測(cè)量LED結(jié)溫的原理
- 測(cè)試儀器性能介紹
LED應(yīng)用于照明除了節(jié)能外,長(zhǎng)壽命也是其十分重要的優(yōu)勢(shì)。目前由于LED熱性能原因,LED及其燈具不能達(dá)到理想的使用壽命;LED在工作狀態(tài)時(shí)的結(jié)溫直接關(guān)系到其壽命和光效;熱阻則直接影響LED在同等使用條件下LED的結(jié)溫;LED燈具的導(dǎo)熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)是否合理也直接影響燈具的壽命。因此功率型LED及其燈具的熱性能測(cè)試,對(duì)于LED的生產(chǎn)和應(yīng)用研發(fā)都有十分直接的意義。
電壓法測(cè)量LED結(jié)溫的原理
LED熱性能的測(cè)試首先要測(cè)試LED的結(jié)溫,即工作狀態(tài)下LED的芯片的溫度。關(guān)于LED芯片溫度的測(cè)試,理論上有多種方法,如紅外光譜法、波長(zhǎng)分析法和電壓法等等。目前實(shí)際使用的是電壓法。1995年12月電子工業(yè)聯(lián)合會(huì)/電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合會(huì)議發(fā)布的>標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于電壓法測(cè)量半導(dǎo)體結(jié)溫的原理、方法和要求等都作了詳細(xì)規(guī)范。
電壓法測(cè)量LED結(jié)溫的主要思想是：特定電流下LED的正向壓降Vf與LED芯片的溫度成線性關(guān)系,所以只要測(cè)試到兩個(gè)以上溫度點(diǎn)的Vf值,就可以確定該LED電壓與溫度的關(guān)系斜率,即電壓溫度系數(shù)K值,單位是mV/°C。K值可由公式K=ㄓVf/ㄓTj求得。K值有了,就可以通過測(cè)量實(shí)時(shí)的Vf值,計(jì)算出芯片的溫度(結(jié)溫)Tj。為了減小電壓測(cè)量帶來的誤差,>標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定測(cè)量系數(shù)K時(shí),兩個(gè)溫度點(diǎn)溫差應(yīng)該大于等于50度。對(duì)于用電壓法測(cè)量結(jié)溫的儀器有幾個(gè)基本的要求：
A、電壓法測(cè)量結(jié)溫的基礎(chǔ)是特定的測(cè)試電流下的Vf測(cè)量,而LED芯片由于溫度變化帶來的電壓變化是毫伏級(jí)的,所以要求測(cè)試儀器對(duì)電壓測(cè)量的穩(wěn)定度必須足夠高,連續(xù)測(cè)量的波動(dòng)幅度應(yīng)小于1mV。
B、這個(gè)測(cè)試電流必須足夠小,以免在測(cè)試過程中引起芯片溫度變化;但是太小時(shí)會(huì)引起電壓測(cè)量不穩(wěn)定,有些LED存在匝流體效應(yīng)會(huì)影響Vf測(cè)試的穩(wěn)定性,所以要求測(cè)試電流不小于IV曲線的拐點(diǎn)位置的電流值。
C、由于測(cè)試LED結(jié)溫是在工作條件下進(jìn)行的,從工作電流(或加熱電流)降到測(cè)試電流的過程必須足夠快和穩(wěn)定,Vf測(cè)試的時(shí)間也必須足夠短,才能保證測(cè)試過程不會(huì)引起結(jié)溫下降。
在測(cè)量瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)條件的結(jié)溫的基礎(chǔ)上,可以根據(jù)下面公式算出LED相應(yīng)的熱阻值：
Rja=ㄓT/P=【TaTj】/P
其中Ta是系統(tǒng)內(nèi)參考點(diǎn)的溫度(如基板溫度),Tj是結(jié)溫,P是使芯片發(fā)熱的功率對(duì)于LED可以認(rèn)為就是LED電功率減去發(fā)光功率。由于LED的封裝方式不同,安裝使用情況不同,對(duì)熱阻的定義有差別,測(cè)試時(shí)需要相應(yīng)的支架和夾具配套。SEMI的標(biāo)準(zhǔn)中定義了兩種熱阻值,Rja和Rjb,其中：Rja是測(cè)量在自然對(duì)流或強(qiáng)制對(duì)流條件下從芯片接面到大氣中的熱傳導(dǎo),情形如圖一(a)所示。
圖一
Rja在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的條件下測(cè)量,可用于比較不同封裝散熱的情況。
Rjb是指在自然對(duì)流以及風(fēng)洞環(huán)境下由芯片接面?zhèn)鞯较路綔y(cè)試板部分熱傳時(shí)所產(chǎn)生的熱阻,可用于由板溫去預(yù)測(cè)結(jié)溫。見圖二
圖二
大功率LED封裝都帶基板,絕大部分熱從基板通過散熱板散發(fā),測(cè)量LED熱阻主要是指LED芯片到基板的熱阻。與Rjc的情況更加接近。見圖三
圖三
幾款測(cè)試儀器性能介紹
目前用于LED熱性能測(cè)試的設(shè)備是參照EIA/JESD51標(biāo)準(zhǔn)的要求進(jìn)行設(shè)計(jì)的。典型的設(shè)備有：MicReD公司的T3Ster®;AnaTech公司的Phase10ThermalAnalyzer;TEA公司的differentTTSsystems等。由于LED熱性測(cè)試的進(jìn)口設(shè)備價(jià)格昂貴,使用復(fù)雜,目前國內(nèi)只有很少的單位配備了進(jìn)口設(shè)備。目前國產(chǎn)設(shè)備和進(jìn)口設(shè)備相比,綜合技術(shù)指標(biāo)方面有一定差距,尤其是分析軟件方面差距較大。但是由于LED芯片體積較大,測(cè)試要求和集成電路的測(cè)試要求有很大不同,大部指標(biāo)已經(jīng)可以完全滿足測(cè)試要求。在價(jià)格方面國產(chǎn)設(shè)備有很大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),設(shè)計(jì)要求也以LED測(cè)試為主,使用方便,有利LED熱性能測(cè)試的廣泛使用。
