新聞事件：

• 惠普與海力士推向電阻式隨機存取內(nèi)存

事件影響：

• 憶阻器技術(shù)準備邁向商業(yè)化

惠普(HP)近日宣布與韓國業(yè)者海力士(Hynix)簽署合作研發(fā)協(xié)議，旨在將憶阻器(memristor)技術(shù)商業(yè)化；這兩家公司將共同開發(fā)新的材料與制程整合技術(shù)，好將HP的憶阻器技術(shù)由研發(fā)階段，推向以電阻式隨機存取內(nèi)存(resistive random access memory，ReRAM)形式呈現(xiàn)的商業(yè)化開發(fā)階段。

HP表示，雙方的合作并非是排他的，該公司也有可能與其它廠商在 ReRAM 領(lǐng)域合作；而HP資深院士暨HP信息與量子系統(tǒng)實驗室創(chuàng)始總監(jiān)Stan WilliAMS表示，該公司本身并不打算涉足ReRAM 業(yè)務(wù)。他在接受EETimes美國版采訪時透露，未來HP期望將ReRAM運用在自家產(chǎn)品中，但目前尚不能公開是哪種產(chǎn)品。

Williams指出，在初期，HP將與Hynix在芯片方面進行合作；接下來，HP期望將合作范圍擴及其它內(nèi)存廠商。他表示，這將讓產(chǎn)業(yè)界能以具競爭力的價格買到ReRAM。

Hynix將在自有實驗室進行憶阻器的實作；該公司在內(nèi)存技術(shù)方面是多方下注，目前也涉足其它競爭性內(nèi)存技術(shù)的研究，包括與三星電子(Samsung ElectrONics)共同研發(fā) MRAM 技術(shù)，以及與Grandis合作研發(fā)一種稱為「自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機存取內(nèi)存(spin-transfer torque RAM)」的新一代MRAM技術(shù)。

ReRAM與FeRAM、MRAM還有相變化內(nèi)存(phase-change memory)，都是新一代的內(nèi)存技術(shù)；根據(jù)HP的介紹，ReRAM是一種低功耗的非揮發(fā)性內(nèi)存，具備取代閃存的潛力，此外也有機會用以做為通用儲存媒介──也就是能扮演目前閃存、DRAM甚至是硬盤機等儲存裝置的角色。

Williams表示，采用ReRAM的終端產(chǎn)品預(yù)計在2013年底問世：「這是一種黑馬級的技術(shù)，我認為它將會脫穎而出。」HP與Hynix尚未定義出將采用ReRAM的第一批終端產(chǎn)品，但Williams認為，該種內(nèi)存技術(shù)是固態(tài)儲存、PC主存儲器與其它產(chǎn)品的理想選擇。