產(chǎn)品特性：
- 將提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度
- 尺寸僅為8x8mm
- 功率MOSFET
功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項新技術(shù)將會提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小的裸片，并提供一個裸露的金屬漏極焊盤，有效排除內(nèi)部產(chǎn)生的熱量。薄型封裝將使設(shè)計人員能夠設(shè)計更薄的電源外殼，為當(dāng)今市場提供緊湊時尚的新產(chǎn)品?？蛻艨蓮膬蓚€公司獲得這款新的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品：意法半導(dǎo)體和英飛凌（Infineon Technologies）均將推出采用這個創(chuàng)新封裝的MOSFET晶體管，意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品名稱是PowerFLAT™ 8x8 HV，英飛凌的產(chǎn)品名稱是ThinPAK 8x8，從而為客戶提供高品質(zhì)雙貨源供貨。
新封裝的纖薄外形和優(yōu)異的散熱性能，結(jié)合意法半導(dǎo)體MDmesh V技術(shù)的無與倫比的超低單位裸片面積導(dǎo)通電阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性，節(jié)省印刷電路板空間。意法半導(dǎo)體將在現(xiàn)有的MDmesh V 產(chǎn)品陣容內(nèi)加入PowerFLAT 8x8 HV封裝的MOSFET，目前已發(fā)布該系列首款產(chǎn)品：650V STL21N65M5。
意法半導(dǎo)體功率晶體管產(chǎn)品部市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示：“我們與英飛凌的合作卓有成效，已開發(fā)出一項高性能封裝技術(shù)，我們的客戶可以獲得尖端的應(yīng)用設(shè)計和全球兩大功率半導(dǎo)體廠商支持的芯片封裝。這項具有突破性的封裝技術(shù)結(jié)合意法半導(dǎo)體獨有的業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的MDmesh V制程，我們的全新MOSFET將提供相同額定電壓產(chǎn)品中最高的功率密度和能效。”
STL21N65M5的主要特性：
- RDS(ON)：0.190?
- 最大額定輸出電流 （ID）：17A
- 結(jié)到外殼熱阻率（Rthj-c）：1.0 ºC/W
關(guān)于意法半導(dǎo)體的MDmesh™ V技術(shù)：
MDmesh V是意法半導(dǎo)體的新一代多漏極網(wǎng)格技術(shù)，該項技術(shù)可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，同時不會對開關(guān)性能產(chǎn)生很大的影響。采用這項技術(shù)的MOSFET能夠讓設(shè)計人員符合對電子產(chǎn)品能效有更高要求的環(huán)保設(shè)計法規(guī)，還能讓他們有機(jī)會在再生能源等新興產(chǎn)業(yè)中尋找市場機(jī)遇，因為在全球發(fā)展新興產(chǎn)業(yè)的浪潮中，最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗是降低每瓦成本的關(guān)鍵所在。
MDmesh V架構(gòu)改進(jìn)了晶體管的漏極結(jié)構(gòu)，可有效降低漏源電壓降，結(jié)果，裸片單位面積的導(dǎo)通電阻非常低，尺寸小的器件也能取得超低的通態(tài)損耗。事實上，在采用TO-220標(biāo)準(zhǔn)封裝的650V MOSFET產(chǎn)品中，MDmesh V取得了世界最低的 RDS(ON) 記錄。
MDmesh V 器件的柵電荷量(Qg)也很低，在高速開關(guān)時能效優(yōu)異，RDS(ON) x Qg 性能因數(shù) (FOM)很小。新產(chǎn)品650V的擊穿電壓高于競爭品牌的600V產(chǎn)品的擊穿電壓，為設(shè)計工程師提供了十分寶貴的安全裕量。這些器件的 Vdss額定擊穿電壓很高，具有出色的耐dV/dt斜率能力，并100%經(jīng)過雪崩測試。另一項優(yōu)勢是，整齊的關(guān)斷波形有助于簡化柵極控制，降低對EMI濾波的要求。
現(xiàn)已上市的MDmesh V技術(shù)產(chǎn)品采用各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括TO-220、TO-220FP、I2PAK、TO-247和Max247。
