產(chǎn)品特性：

• 采用超緊湊、薄型封裝
• 備有數(shù)種常用的拓?fù)溥x擇
• 采用飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的 PowerTrench® MOSFET 工藝技術(shù)

應(yīng)用范圍：

• 便攜產(chǎn)品

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為滿足便攜產(chǎn)品設(shè)計人員不斷尋求效率更高、外形更小更薄的解決方案的需求，推出采用超緊湊、薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封裝的高性能 MicroFET MOSFET 產(chǎn)品系列。

設(shè)計人員使用這一行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)品系列，能夠挑選最適合其應(yīng)用和設(shè)計需求的 MicroFET MOSFET 產(chǎn)品。新的產(chǎn)品系列備有數(shù)種常用的拓?fù)溥x擇，包括單P溝道和肖特基二極管組合，單N溝道和肖特基二極管組合、雙P溝道、雙N溝道、互補(bǔ)對(complementary pair)、單N溝道和單P溝道器件。

這些 MicroFET MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的 PowerTrench® MOSFET 工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)非常低的RDS(ON)、總體柵極電荷(QG) 和米勒電荷(QGD)，從而獲得出色的傳導(dǎo)和開關(guān)性能及熱效率。相比傳統(tǒng)的MOSFET封裝，其先進(jìn)的MicroFET封裝提供了出色的功耗和傳導(dǎo)損耗特性。

飛兆半導(dǎo)體提供業(yè)界最廣泛的具有增強(qiáng)熱性能的超緊湊薄型1.6mm x 1.6mm 和2mm x 2mm MicroFET器件。這些易于使用、節(jié)省空間的高性能MOSFET是便攜應(yīng)用的理想選擇。

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