中心議題：

• 新型雙極性晶體管具備低VCEsat
• 雙極性晶體管在溫度穩(wěn)定性、ESD強(qiáng)度和反向阻斷方面具備優(yōu)勢(shì) 

近年來(lái)，中功率雙極晶體管在飽和電阻和功率范圍上的重大突破，極大地拓寬了此類(lèi)器件的應(yīng)用領(lǐng)域。恩智浦最新推出的SMD封裝中功率晶體管(BISS 4)再次顯現(xiàn)出雙極晶體管的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在為開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)了開(kāi)關(guān)損耗更小，效率更高的同時(shí)，也贏得了更多的市場(chǎng)空間。

簡(jiǎn)介

近年來(lái)雙極晶體管復(fù)蘇勢(shì)頭強(qiáng)勁。一直由MOSFET器件控制的大功率開(kāi)關(guān)領(lǐng)域也出現(xiàn)了變化，在消費(fèi)電子和通信便攜式設(shè)備中，越來(lái)越多的充電電路和負(fù)載開(kāi)關(guān)開(kāi)始采用雙極晶體管。其中的主要原因是：通過(guò)提高半導(dǎo)體芯片中的電流均衡分配，雙極晶體管在降低飽和電阻方面取得了巨大成功，新器件可以獲得更為穩(wěn)定的大電流增益。雙極晶體管電流驅(qū)動(dòng)的先天不足被顯著彌補(bǔ)，而在溫度穩(wěn)定性、ESD強(qiáng)度和反向阻斷方面的優(yōu)勢(shì)再次得到肯定。

通過(guò)推出BISS（突破性小信號(hào)）晶體管系列，恩智浦半導(dǎo)體取得了市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。第四代BISS晶體管（BISS 4，表１）的全新架構(gòu)是SMD中功率雙極晶體管技術(shù)發(fā)展的里程碑，有力拓寬了雙極晶體管的應(yīng)用領(lǐng)域。

相關(guān)型號(hào)縱覽：應(yīng)用于負(fù)載開(kāi)關(guān)的超低VCEsat、優(yōu)化產(chǎn)品

Single transistors
Type	Package	Polarity	VCEO (V)	IC (A)	ICM (A)	RCEsat typ (mΩ) @ IC; IC/IB = 10
PBSS4021NT	SOT23	NPN	20	4.3	8	36
PBSS4021NX	SOT89  (SC-62)			7	15	19
PBSS4021NZ	SOT223 (SC-73)			8	20	14
PBSS4021PT	SOT23	PNP		3.5	8	55
PBSS4021PX	SOT89 (SC-62)			6.2	15	23
PBSS4021PZ	SOT223 (SC-73)			6.6	20	22
PBSS4041NT	SOT23	NPN	60	3.8	8	46
PBSS4041NX	SOT89 (SC-62)			6.2	15	25
PBSS4041NZ	SOT223 (SC-73)			7	15	17.5
PBSS4041PT	SOT23	PNP		2.7	8	80
PBSS4041PX	SOT89 (SC-62)			5	15	40
PBSS4041PZ	SOT223 (SC-73)			5.7	15	29
Double transistors(負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化)
Type	Package	Polarity	VCEO (V)	IC (A)	ICM (A)	RCEsat typ (mΩ) @ IC; IC/IB = 10
PBSS4021SN	SOT96 (SO8)	NPN/NPN	20	7.5	15	25
PBSS4021SPN		NPN/PNP		7.5/6.3	15	25/36
PBSS4021SP		PNP/PNP		6.3	15	36
PBSS4041SN		NPN/NPN	60	6.7	15	32
PBSS4041SPN		NPN/PNP		6.7/5.9	15/10	32/47
PBSS4041SP		PNP/PNP		5.9	10	47

[page]

相關(guān)型號(hào)縱覽：應(yīng)用于高速切換的低VCEsat、優(yōu)化產(chǎn)品

Single transistors
Type	Package	Polarity	VCEO (V)	IC (A)	ICM (A)	RCEsat typ (mΩ) @ IC; IC/IB = 10
PBSS4032NT	SOT23	NPN	30	2.6	5	76
PBSS4032ND	SOT457 (SC-74)			3.5	6	50
PBSS4032NX	SOT89 (SC-62)			4.7	10	45
PBSS4032NZ	SOT223 (SC-73)			4.9	10	45
PBSS4032PT	SOT23	PNP		2.4	5	110
PBSS4032PD	SOT457 (SC-74)			2.7	5	88
PBSS4032PX	SOT89 (SC-62)			4.2	10	58
PBSS4032PZ	SOT223 (SC-73)			4.4	10	58
Double transistors
Type	Package	Polarity	VCEO (V)	IC (A)	ICM (A)	RCEsat typ (mΩ) @ IC; IC/IB = 10
PBSS4032SN	SOT96 (SO8)	NPN/NPN	30	5.7	10	45
PBSS4032SP		PNP/PNP		4.8	10	65
PBSS4032SPN		NPN/PNP		5.7/4.8	10	45/65

兩種產(chǎn)品類(lèi)型——系列產(chǎn)品的架構(gòu)和技術(shù)規(guī)格

由于雙極晶體管電阻受多重因素影響，開(kāi)發(fā)新型中功率雙極晶體管需要認(rèn)真評(píng)估完整的晶體管架構(gòu)（選材、芯片設(shè)計(jì)、芯片金屬化、芯片/封裝連接和封裝架構(gòu)）。第四代BISS雙極晶體管系列共分兩類(lèi)。

第一類(lèi)是超低VCEsat雙極晶體管——旨在最大程度降低飽和電阻RCEsat。這也是此類(lèi)產(chǎn)品架構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)遵循的唯一理念（芯片設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體襯底電阻、芯片金屬化、芯片/封裝連接），其目的就是在SMD封裝結(jié)構(gòu)中獲得14 mΩ的低飽和電阻。

第二類(lèi)是高速開(kāi)關(guān)類(lèi)雙極晶體管，除降低飽和電阻RCEsat外，此類(lèi)器件還需要在快速開(kāi)關(guān)和存儲(chǔ)時(shí)間ts（大約140 ns）方面進(jìn)行改進(jìn)，以滿(mǎn)足高頻應(yīng)用需求。此類(lèi)器件需要在規(guī)定的電阻和開(kāi)關(guān)時(shí)間之間獲取平衡，滿(mǎn)足相關(guān)設(shè)計(jì)特性的要求。

這兩類(lèi)晶體管都非常重視產(chǎn)品封裝，標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝形式包括：SOT23、SOT457/SC-74、SOT223、SOT89和SOT96/SO-8。這一理念不僅能夠滿(mǎn)足客戶(hù)多樣化的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用需求，同時(shí)也為量產(chǎn)提供了保證。

恩智浦此次針對(duì)通信和汽車(chē)電子領(lǐng)域推出了20 - 60 V產(chǎn)品，今后還有望開(kāi)發(fā)出20 - 100 V的雙極晶體管。

產(chǎn)品設(shè)計(jì)

這兩類(lèi)晶體管產(chǎn)品（符合汽車(chē)應(yīng)用的AECQ-101標(biāo)準(zhǔn)）采用不同的架構(gòu)和設(shè)計(jì)方法以滿(mǎn)足不同的設(shè)計(jì)考量和技術(shù)規(guī)范要求。我們需要了解的是產(chǎn)品中哪些元件會(huì)對(duì)電阻和飽和電壓造成影響，影響的程度有多大，以及哪些措施會(huì)影響開(kāi)關(guān)時(shí)間特性。
影響飽和電壓的主要因素是電阻電壓降以及復(fù)合和注入元件。由于復(fù)合和注入電壓總和相對(duì)輕微，因此重點(diǎn)需要注意電阻元件，主要包括半導(dǎo)體襯底電阻、芯片設(shè)計(jì)以及封裝和互連技術(shù)的電阻。
 
降低飽和電壓：低電阻半導(dǎo)體襯底、芯片金屬化結(jié)構(gòu)和芯片設(shè)計(jì)

通過(guò)選擇不同的低電阻襯底，比如：圖1所示的摻磷/摻砷襯底，可以有效降低半導(dǎo)體中的電壓降比例。另一個(gè)重要的影響因素是電流分配，應(yīng)在整個(gè)芯片范圍內(nèi)盡可能保持均衡，將芯片前端金屬化擴(kuò)展電阻降至最低。對(duì)于BISS晶體管，芯片中的均衡電流分配通過(guò)一種稱(chēng)為網(wǎng)格技術(shù)的手段來(lái)實(shí)現(xiàn)——將晶體管分成不同的格柵結(jié)構(gòu)。第四代BISS晶體管采用受專(zhuān)利保護(hù)的雙層金屬化布局，能夠最大程度提升發(fā)射極線路金屬厚度，降低飽和電阻（參見(jiàn)圖2）。

圖1

圖2
[page]
縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間：集成鉗位元件，降低擴(kuò)散電容

要在降低飽和電壓的基礎(chǔ)上縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，關(guān)鍵是最大程度降低開(kāi)關(guān)操作中晶體管的擴(kuò)展電容。這主要通過(guò)集成寄生的鉗位結(jié)構(gòu)（圖3）來(lái)實(shí)現(xiàn)，該設(shè)計(jì)可以避免過(guò)驅(qū)動(dòng)處于飽和狀態(tài)的晶體管，能夠有效降低晶體管的存儲(chǔ)時(shí)間ts。

圖3

典型應(yīng)用

低VCEsat晶體管兼具雙極晶體管的優(yōu)勢(shì)和低RCEsat值，主要滿(mǎn)足常規(guī)開(kāi)關(guān)應(yīng)用（與典型的RDSon MOSFET器件有所不同），包括驅(qū)動(dòng)電壓較小的電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備用負(fù)載開(kāi)關(guān)（圖4）。由于實(shí)際應(yīng)用中反向電流阻斷和高能效具有決定性意義，因此雙極晶體管比MOSFET更有優(yōu)勢(shì)。低VCEsat晶體管常常作為充電晶體管使用，比如：手機(jī)的電源管理單元。

圖4

另外，筆記本電腦中使用低VCEsat晶體管，可以降低風(fēng)扇或接口電源負(fù)載開(kāi)關(guān)的損失，延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。

除了具有低VCEsat特點(diǎn)外，針對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間優(yōu)化的雙極晶體管完全滿(mǎn)足高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用(50 - 200 kHz)要求，典型應(yīng)用包括PWM和開(kāi)關(guān)式電源。其中，使用冷陰極熒光燈(CCFL)的背光顯示器就屬于開(kāi)關(guān)式電源應(yīng)用。不同的電源規(guī)格需要有相應(yīng)的功率等級(jí)與之匹配，恩智浦各種類(lèi)型的SMD封裝器件為用戶(hù)提供了最好的選擇。

市場(chǎng)前景

低VCEsat晶體管的問(wèn)世為雙極晶體管開(kāi)拓了應(yīng)用更加廣泛的市場(chǎng)空間，特別是為便攜式設(shè)備的負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)了高效解決方案。為滿(mǎn)足該行業(yè)中高端設(shè)備需求，未來(lái)有望推出無(wú)引線封裝產(chǎn)品，進(jìn)一步降低器件高度，縮小板載空間占用。低VCEsat雙極晶體管的未來(lái)發(fā)展非常值得期待。