產(chǎn)品特性：

• 采用了IR最新一代MOSFET硅技術(shù)
• IRF6798MPbF的中罐D(zhuǎn)irectFET封裝提供低于1毫歐的導(dǎo)通電阻
• IRF6706S2PbF小罐D(zhuǎn)irectFET也具備低電荷和低導(dǎo)通電阻

應(yīng)用范圍：

• 服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。

IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關(guān)和熱特性，成為一個(gè)為高頻率 DC-DC 開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化的解決方案。

IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR 通過改善關(guān)鍵參數(shù)不斷提升功率 MOSFET 的性能。新款 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET 芯片組把低電荷及低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 與業(yè)界最低的柵極電阻 (Rg) 相結(jié)合，使傳統(tǒng)上由典型同步降壓轉(zhuǎn)換器的同步和控制接口產(chǎn)生的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗降到了最低。”

IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封裝提供低于1 m? 的導(dǎo)通電阻，使整個(gè)負(fù)載范圍可保持極高的效率。新器件配有單片集成式肖特基二極管，能夠減少與體二極管傳導(dǎo)相關(guān)的損耗，并能實(shí)現(xiàn)反向恢復(fù)損耗，進(jìn)一步提高解決方案的整體性能。IRF6798MPbF 還提供僅為 0.25 m? 的極低柵極電阻，避免了與 Cdv/dt 相關(guān)的擊穿。

IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具備低電荷和低導(dǎo)通電阻，可減少開關(guān)損耗及傳導(dǎo)損耗，還可為快速開關(guān)提供極低的柵極電阻。

產(chǎn)品基本規(guī)格